2023基本创新日成功举办 碳化硅年度新品震撼发布

 10月26-27日，以“创芯致远，共赢未来”为主题的2023基本创新日活动在深圳隆重举办。基本半导体总经理和巍巍博士在会上正式发布了第二代碳化硅MOSFET芯片、汽车级及工业级碳化硅MOSFET功率模块、功率器件门极驱动器及驱动芯片等系列新品。基本半导体功率器件整体解决方案集中亮相，吸引了来自新能源汽车、光伏储能、工业控制等领域以及第三代半导体产业生态圈的上百家科技企业、科研院所、投资机构等200余位代表的热烈关注。

 年度重磅新品震撼发布
第二代碳化硅MOSFET芯片

基本半导体第二代碳化硅MOSFET芯片系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发，比上一代产品在品质系数因子、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。同时，产品的封装更为丰富，以更好满足客户需求。可广泛应用于新能源汽车电机控制器、车载电源、光伏逆变器、光储一体机、充电桩、UPS及PFC电源等领域。

今年基本半导体还将推出更大导通电流、更低导通电阻以及更高耐压的1200V/18mΩ 和2000V/24mΩ 碳化硅 MOSFET芯片系列产品，并开发了2000V/40A 碳化硅二极管芯片进行配合使用。

 
汽车级碳化硅MOSFET功率模块

基本半导体专为新能源汽车主驱逆变器应用设计开发了高低压系列汽车级碳化硅MOSFET功率模块，并在此次发布会上整体亮相，包括PcoreTM6汽车级HPD模块（6芯片并联、8芯片并联）、PcoreTM2汽车级DCM模块、PcoreTM1汽车级TPAK模块、PcellTM汽车级模块等。







该系列汽车级功率模块采用先进的有压型银烧结工艺，以及高性能铜线键合技术；采用氮化硅AMB陶瓷基板，以及直接水冷的PinFin结构，使得产品具有低动态损耗、低导通电阻、高阻断电压、高电流密度、高可靠性等特点。

工业级碳化硅MOSFET功率模块

为更好满足工业客户对于高功率密度的需求，基本半导体推出工业级全碳化硅 MOSFET 功率模块PcoreTM2 E2B，该产品基于高性能 6英寸晶圆平台设计，在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。产品可广泛应用于大功率充电桩、燃料电池DCDC器、数据中心UPS、高频DCDC变换器、高端电焊机、光伏逆变器等领域。

 
门极驱动芯片及驱动器

基本半导体针对多种应用场景研发推出碳化硅及IGBT门极驱动芯片，可适应不同的功率器件和终端应用，新产品包括单、双通道隔离驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。产品可广泛用于光伏储能、新能源汽车、工业电源、商用空调等领域。

同时，基本半导体还推出6CP0215T12-B11、2CP0220T等系列即插即用碳化硅驱动器，以及2QP0535T、2QP/CP0225T等系列IGBT驱动器，产品集成软关断、隔离DC/DC电源、原副边欠压保护和VCE短路保护等功能，可适配功率器件最高电压2300V，可广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、风电变流器、电机传动、大功率开关电源等领域。

 
功率器件产品及技术交流

新品发布会后，基本半导体技术专家分别介绍了公司在碳化硅MOSFET芯片、硅IGBT 和碳化硅 MOSFET 混合并联研究技术、混合碳化碳化硅功率模块、功率器件门极驱动器及驱动芯片的创新产品和技术经验。

市场部总监魏炜介绍第二代碳化硅MOSFET芯片核心技术

器件研发中心副总监张学强介绍硅IGBT 和碳化硅 MOSFET 混合并联研究技术

模块研发中心总监周福鸣介绍碳化硅功率模块产品先进技术

青铜剑技术副总经理陈恒星介绍门极驱动器及驱动芯片产品

 

2023亚欧第三代半导体高峰论坛

此外，为继续深化碳中和愿景下的亚欧第三代半导体科研创新合作，原中欧第三代半导体高峰论坛今年升级为“2023亚欧第三代半导体高峰论坛”，并与此次基本创新日活动同期举办，迄今已成功举办六届，已发展成为联动亚欧第三代半导体产学研交流的创新合作名片。中国工程院院士、英国皇家工程院院士陈清泉等嘉宾出席论坛。

来自法国Yole Développement、尼得科、日新、采埃孚、瑞士Energy Depot、重投天科、欣锐科技、中科汇珠等亚欧国家的科研院所、高校以及企业界的近十位专家学者，分别围绕第三代半导体前沿技术、市场热点、产业进程和未来趋势等议题，共同探讨全球第三代半导体产业的突破发展和时代机遇。

2023基本创新日活动亮点纷呈，现场嘉宾反响热烈。面对未来的机遇与挑战，创新与合作始终是不变的话题！基本半导体将继续深耕碳化硅功率器件领域，矢志创新、勇攀技术高峰，携手产业链上下游合作伙伴，共创产业新辉煌！