在“如何推动分布式与微电网的结合?”主题讨论环节,乐叶光伏科技有限公司总裁助理唐旭辉表示,强大的技术储备,可以节约资源,进而推动行业进步,降低度电成本。
2016-11-05 23:06:151504 3.5G/HSDPA技术架构与手机开发要点是什么?
2021-06-02 06:18:30
功能电子化一般是通过增加高压(约350 V)电池和高性能电机直接耦合到ICE动力系统来实现的。这些‘全’混合动力汽车(HEV)一直是燃油能效车辆的定义类,从提高能效的角度,是非常有吸引力的。然而,他们增加了相当大的成本和重量。
2019-07-31 07:20:17
探讨STM32H7xx设备新的架构,外设和系统的块• 结束的时候你将能够• 理解STM32H7新产品特性• 安装开发工具,运行demo,和外设的example• 能够介绍STM32H7xx
2023-09-11 06:16:25
历史舞台,但作为指令集架构的Vector ISA仍然在一些领域发挥着它的作用,而且也可能在未来取得更大的成功。下一次我们来探讨Vector ISA的发展和未来。原作者:MikesICroom
2022-09-19 15:18:24
探讨互联网IPv6技术的发展与演进
2021-05-25 06:56:02
一、高压直流电源技术原理如关于IT负载电源的分析,90%以上的数据设备电源普遍采用ATX和SSI拓扑架构,其典型的原理框图如图 1 所示。在交流UPS供电时,IT内部的电源总是将外部供给的交流电通过
2021-11-15 08:23:43
ARM V7版架构有哪些系列?其主要有哪些应用?ARM V8版架构是什么?有哪些特点?
2021-10-25 06:03:33
2019年开始,RISC-V得到了越来越多的重视,原因有很多,ARM授权费高是关键的因素,下面就来说说关于ARM和RISC-V架构,以及相关的内容。 关于ARM 1991 年ARM 公司成立于英国
2021-04-25 09:13:19
。 复频模式操作可以通过一个简单的外部设置来启 用。在这种特殊的操作模式下,当转换器进入过 功率状态时,开关频率会翻倍。这样,转换器能 够处理由外部磁化干扰引起的变压器电感降低高达50%功能整体900V
2021-11-01 16:52:52
Keil C51V900 uVision大小:4M [hide]Keil C51V900 uVision4.rar[/hide]
2009-11-23 15:53:18
技术性能◆ 使用对象液体、汽体或蒸汽。􀂋 测量范围LDN900-2400 0-6-36kPaLDN900-2500 0-30-180kPaLDN900
2011-03-23 18:02:54
虽然区域变量的出现已经可以解决大部分的需求了,但如果今天要做的是在两个不同的VI之间传递资料,你用区域变量就无法达到这样的动作,所以在这个章节,我们教大家一个新的变量,叫全域变量,顾名思义就是可以在
2014-12-23 10:42:26
SSH10N90A(Vdss=900v在实验中我们加的最高电压为800v但目前在加至400v后mos管就坏掉了)图中MOS管Vdss=500v(模拟电压最高500v)。实验中使用10kΩ的多圈电位器来调节栅极电压的大小以控制漏极电流。
2018-04-04 12:29:08
本资料涵盖有2千个型号的MOS管,可以根据电压,电流,封装,内阻等快速选出合适的型号MOS:电压范围:-200V~+900V电流范围:-95A~250AIGBT电压范围:270V~1200V电流范围:40A~150A
2012-03-25 11:24:06
Power Integrations公司今日发布900 V恒压/恒流离线反激式开关IC器件,为InnoSwitch?-EP产品系列再添新成员。新器件适用于由高压直流或三相电供电的工业控制、电机驱动
2018-10-09 14:15:31
的设计考虑了小型、快速、低功耗的现实情况来实做,但并没有对特定的微架构做过度的设计。 截至2017年5月,RISC-V已经确立了版本2.22的用户空间的指令集(userspace ISA),而特权指令集
2023-04-03 15:29:09
取得了性能上的突破,能够实现ZIF技术以前望尘莫及的新型应用。本文将探讨ZIF架构的诸多优势,介绍这些优势如何使无线电设计性能达到的新高度。
2021-03-11 07:43:34
的计算机体系架构专
别出心裁地按照RISC-V模块化的指令来组织内容
对比x86、ARM 和MIPS 的设计,通过对比分析,突显RISC-V 的优势
可以作为从业者随时翻阅的案头参考书
开头的蒙娜丽莎像让
2024-01-24 19:06:40
推送更新:修复大量BUG,隔空投送获改进在纽约证券交易所上市一年后,中国电动汽车初创企业蔚来似乎陷入了困境之中。当地时间周二早些时候蔚来公布了公司截至2019年6月30日的第二季度未经审计财报。财报
2019-10-02 07:00:00
输入900V,输出500V的高压稳压电源——三极管串联应用的典范:
2018-09-13 18:18:07
有没有大神是做人脸识别相关的技术的?公司需要做这方面的技术储备,现在一点头绪都没有。哪位大神,可以提供相关方案呢?不胜感激!!!
2017-02-03 10:18:32
什么是HarmonyOS?鸿蒙OS架构及关键技术是什么?
2021-09-23 09:02:48
{:11:}手头有个900V,1600W的开关电源,电压一直升不上去。到底是哪的问题,查不出来。有哪位大神介绍点斩波升压这方面的资料。
2013-01-17 09:32:42
关于无线流媒体技术探讨,不看肯定后悔
2021-05-31 07:00:49
0 RISC-V和其他开放架构有何不同如果仅从“免费”或“开放”这两点来评判,RISC-V架构并不是第一个做到免费或开放的处理器架构。在开始之前,我们先通过论述几个具有代表性的开放架构,来分析
2021-07-26 06:58:42
比如某一款锁相放大器的参数特征之一是:动态储备大于100 dB。这是什么意思?
2016-04-14 16:36:02
谐振高压测试设备的广泛使用将存在许多问题,将会有许多问题需要解决,并且需要简单明了的技术介绍来引入操作实验规范。实验结果的分析和比较也是一些需要注意的问题。频率转换的谐振高压测试装置必须能够在出
2018-09-27 09:25:26
高性能VCO设计仍然采用分立电路来实施,可能要求高达30 V的电源电压。这就给当今的PLL或RF系统设计师提出了挑战:低压PLL IC如何与高压VCO实现接口。电平转换接口通常利用有源滤波电路来实施
2019-06-26 06:39:37
基于docker技术的工业App架构是如何构成的?
2021-09-28 06:35:40
简介今天可以使用的高集成度先进射频设计可让工程师设计出性能水平超过以往的RF系统,阻隔、灵敏度、频率控制和基带处理领域的最新进展正在影响RF系统架构设计,本文旨在探讨某些参数特性,以及它们对系统性能的影响。
2019-06-21 07:08:26
就显得极为重要了,数字电源管理正是顺应了市场的这种需求。 数字电源管理的几种主要架构 随着电源管理技术的发展,数字电源管理逐步成为业界公认的发展方向,I2C/SMBus物理接口成为通用的标准数字电源
2018-09-26 14:59:42
AutoX创始人肖健雄来信:无人车量产的4大技术储备
2020-04-24 12:38:06
业界普遍认为,混合波束赋形(例如图1所示)将是工作在微波和毫米波频率的5G系统的首选架构。这种架构综合运用数字 (MIMO) 和模拟波束赋形来克服高路径损耗并提高频谱效率。如图1所示,m个数
2019-07-11 07:57:45
概述:K1794是一款N沟道MOS场效应管,漏极电流,Id=5A、漏源击穿电压V(br)ds=900V、漏极最大耗散功率Pdm=125W,K1794可以用K1358、K1117、K718、K794、KK872...
2021-04-08 07:29:39
故障。以下是学习啦小编为大家精心准备的:计算机维修与维护技术探讨相关论文。内容仅供参考,欢迎阅读!计算机维修与维护技术探讨全文如下:摘 要: 随着计算机应用的普及和网络的发展,给人们的工作和生活带来很多方...
2021-09-08 07:10:19
SVF4N90D大功率900V高压MOS管TO252封装广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动 ,更多-4n90场效应管参数产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-12-21 14:54:05
供应SVF4N90F 4A、900V常用n沟道mos管,提供4n90场效应管引脚图,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-12-21 15:03:50
提供SVF9N90F 9a、900v高压mos管n沟道,提供场效应管9n90参数代换,广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动 ,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-12-21 15:11:29
供应SVF3878AP7采用TO247封装n沟道增强mos场效应管900v、9a ,广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动 ,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-12-22 11:19:04
供应900v mos管型号SVF3878P7场效应晶体管提供9n90场效应管电路图,广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动 ,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-12-22 11:26:48
供应士兰微高压MOS管9A、900V场效应管SVF3878PN,提供9n90参数及代换,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-12-26 17:14:25
MH电极的放电储备和充电储备容量
1,放电储备容量 ①作用放电储备容量是为了防止电池过放电时发生贮氢合金粉的强制被氧化。实际
2009-11-05 16:51:20911 数据存储指南 存储备份技术详解
数据存储备份技术一般包含硬件技术及软件技术等,硬件技术主要是磁带机技术,软件技术主要是通用和专
2010-01-09 10:16:07993 数据存储备份技术大全
数据存储备份技术一般包含硬件技术及软件技术等,硬件技术主要是磁带机技术,软件技术主要是通用和专用备份软件技
2010-03-29 10:44:581590 LED这个曾经作为霓虹灯的代名词,却在彩电领域掀起了一场技术革命。进入到2010年,LED液晶电视更是成商家必推买家首选。然而LED平板电视推广的热潮还未退去,新一代OLED产品就已经迎
2011-09-26 08:55:48414 锐迪科微电子1月5日宣布与多媒体集成电路供应商泰鼎微系统(Trident Microsystems)签署了一项IP特许和开发协议。
2012-01-09 09:30:20844 本文就此对8位RISC体系架构中采用的关键技术所应该考虑的问题进行了分析和探讨,具有一定的研究价值和意义。
2012-02-20 10:37:261024 SiC市场领导者Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。
2015-09-07 09:29:311923 全球SiC领先者CREE推出了业界首款900V MOSFET:C3M0065090J。凭借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术,该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子
2016-01-04 17:00:191782 致力于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司(纳斯达克股票代号:POWI)今日发布900 V恒压/恒流离线反激式开关IC器件,为InnoSwitch™-EP产品系列再添新成员。
2016-03-23 10:21:351207 全域电网资源聚合架构的研究与应用
2017-01-17 19:43:033 回顾2014年9月,英特尔以90亿人民币入股展讯。集微网曾报道展讯未来将得到英特尔在制造工艺、人才、手机芯片技术储备、x86架构授权等领域的支持。这一合作成果终于在今天与大家见面。
2017-02-28 08:34:35661 意法半导体 (ST) 同级领先的900V MOSFET晶体管,提升反激式转换器的输出功率和能效
2017-09-21 14:45:167390 据报道,印度储备银行已采取措施遏制加密货币对卢比的交易并成立了一个小组,探讨自己的数字货币。
2018-05-11 15:13:00759 毫无疑问,成熟的锂离子电池在不短的时期内仍将是动力、消费电子和中小规模储能的最好选择。但受制于现有体系架构和关键材料影响,锂离子电池能量密度要实现300Wh/kg就具有极大的难度。
2018-04-12 17:42:3713654 耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司今日发集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch™-XT2系列离线式开关电源IC
2018-10-24 11:40:014300 12月14日,振芯科技在互动平台上表示,目前储备了5G领域相关射频收发等技术,未来将视行业情况开展产品研制或市场拓展。
2018-12-19 13:40:243407 OPPO副总裁沈义人“偷偷”在微博放出几张OPPO折叠手机的照片,立刻引来各方关注。他表示,折叠手机除了屏幕变大,以及可以折叠一下,用户体验并没有巨大提升,如果想购买这款产品的粉丝数量足够多,OPPO会考虑是否“量产”。这表示OPPO可能不打算将它推出市场,仅仅是作为技术储备。
2019-02-26 08:47:16399 而且单片集成的FET采用GND为衬底的平面DMOS结构,相比以Drain为衬底的垂直沟道FET,动点面积更小,配以HF900的抖频功能和优化的驱动设计,使得EMI调试更加轻松。
2019-10-12 09:18:053962 3月13日消息,据国外媒体报道,周四公布的一份报告称,为了在5G到来时代给自己做好技术储备,智能手机制造商一加手机(OnePlus)将投资近3000万美元,用以提升和改进其5G研发实验室。
2020-03-13 14:05:412109 中国联通新900M网络部署探讨
2021-03-19 10:08:467 基于全同态加密和全域泛化的云环境匿名算法
2021-06-24 15:25:5813 应用,完全满足新型电动汽车800V高压平台输入。器件已通过车规级认证,为电动汽车提供高性能高可靠性的应急电源应用。 InnoSwitch3-AQ内部集成多模式准谐振反激控制器、900V初级开关管、次级
2021-08-02 09:29:502948 9月11日,悠易互通“全域新增长·悠享会”在苏州裸心泊顺利举行,当天,20多位CMO齐聚一堂共同围绕“增长”这一核心命题,探讨全域营销新生态下的品牌增长之道。 本次活动参会嘉宾分别来自:立白集团
2021-11-23 19:27:501214 在第十六届ITS中国智能交通年会上,千方科技总裁潘璠对“千方科技Omni-T全域交通解决方案”进行迭代升级,提出了“智能物联时代呼唤全域交通数字治理”的论断,并对全域交通的“四全”要素——全业务领域
2022-01-10 14:47:282959 创维数字在WiFi7已有相应技术储备 京东方21年利润258.26亿同比增412.86% 创维数字2022年4A级以上景区视频拍摄将超过200部 在互动平台上我们看到创维数字回复说,创维数字的VR
2022-03-17 16:20:271432 两款900V FET均属于常闭型器件,通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷,提供更高的效率,明显超越传统硅 (Si) 器件,具有显著优势。
2022-09-16 15:42:02818 日前,Power Integrations(PI)举办新品媒体线上沟通会,公司资深技术培训经理Jason Yan介绍了在美国APEC展(国际电力电子应用展)上发布的一款重要新品——900V氮化
2023-03-24 10:28:28609 、高耐压的半导体器件。近期,深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)宣布推出900V耐压的氮化镓(GaN)器件,为InnoSwitch3系列反激式开关IC再添新品。 据了解,新IC采用该公司特有的PowiGaN技术,使用独
2023-03-30 11:48:45564 接连而至的时候,任正非称华为储备人才不储备美元。 今天华为心声社区分享了任正非近日的一段讲话,《任总在高端技术人才使用工作组对标会上的讲话》,任正非表示,要建立一个自己的高端人才储备库,不拘一格获取优秀人才,但在招聘时要讲清楚公司的业务边界,允许在边界
2023-09-04 19:17:29936 电子发烧友网站提供《SLW9N90CZ美浦森高压MOSFET 900V 9A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 13:48:280 电子发烧友网站提供《SLW9N90C美浦森高压MOSFET 900V 9A .pdf》资料免费下载
2022-04-29 13:53:240 SVS80R900DE36A,800V高压超结mos管,可广泛应用于适用于硬/软开关拓扑,是士兰微mos代理商,提供产品详细参数及样品申请。>>
2022-09-20 16:57:531 供应SVF4N90D常用900vmos管,提供4n90应用电路图中文资料,广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-12-21 14:55:250 提供SVF4N90F4A、900vn沟道功率mos管,提供4n90参数代换广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-12-21 15:04:511 提供SVF9N90F9a900vn沟道增强型mos管开关,提供9n90三极管的参数,广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-12-21 15:12:292 供应SVF3878AP79a、900v耐压的mos管,提供9n90场效应晶体管,广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-12-22 11:20:291 供应SVF3878P7晶体管mos参数900v9a,提供9n90场效应管代换,广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-12-22 11:28:200 提供士兰微高压MOS管9A、900V场效应管SVF3878PN,提供9n90参数及代换,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-12-26 17:16:121 在11月2日深圳举办的2023国际集成电路展览会暨研讨会(IIC Shenzhen 2023)的全球电子成就奖颁奖典礼上,Power Integrations旗下的 900V GaN 产品
2023-11-03 09:49:30366 电子发烧友网站提供《一种物联网智能终端的架构探讨.pdf》资料免费下载
2023-11-07 14:47:580 保证了HEMT器件产品在0-850V的电压区间上的安全稳定工作,在国内市场中位居前列。利用芯生代的GaN-on-Si外延片,可开发出650V、900V、以及1200V HEMT产品,推动氮化镓向更高压、更高功率应用领域迈进。
2023-11-16 11:56:22596 这次采用900V架构能极大地减轻高压线束重量,不仅提升充电效率,更与蔚来独特的换电模式相结合,打造出行业领先的综合能源补给解决方案。此外,新车的智能电驱平台更精简电机尺寸和重量,运用多元尖端技术提升功率密度,彰显极致造车工艺。
2023-12-20 14:28:54296 值得注意的是,全域900V高压架构能提供高达925V整体电压,且峰值充电功率可达600kW,电池放电电流最大可达765A。在该高压架构下,搭载了新型900V高性能智能电驱平台。
2023-12-25 10:37:01447 ET9是蔚来全球化战略和全栈技术能力融合的代表,汇聚了17项全球首创技术以及52项行业领先技术,累计获得525项专利。除此之外,ET9还搭载了全球唯一的全线控智能底盘及全域900V高压架构,高压区最高电压可达到925V
2023-12-27 14:04:58211 令人遗憾的是,现有的软件储备池大多将物理储备池视为“黑箱”,特性完全依赖制造过程,缺乏适应性。这使得大部分报告的储备池系统只擅长处理与特定器件时间尺度匹配的任务,极大地制约了其实践效果。
2024-02-23 09:39:5487 实验名称:高压放大器在铁磁铁电异质结系统物理储备池计算中的应用研究方向:低功耗自旋电子材料与器件实验设备:ATA-7010高压放大器,信号发生器,电流源,纳伏表,数字万用表等实验目的:将信号发生器
2024-03-07 08:01:1254
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