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Toshiba推车用低导通电阻功率MOSFET
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Toshiba推出小巧轻薄型共漏极MOSFET，具有极低导通电阻，适合快速充电设备
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下简称“Toshiba”）推出了“SSM14N956L”，这是一款额定电流为20A的12V
2023-05-19 10:20:071678
1678平面栅和沟槽栅的MOSFET的导通电阻构成
两者因为其栅极都是在外延表面生长出来的平面结构所以都统称为平面栅MOSFET。还有另外一种结构是把栅极构建在结构内部，挖出来的沟槽里面，叫做沟槽型MOSFET。针对两种不同的结构，对其导通电阻的构成进行简单的分析介绍。
2023-06-25 17:19:026125
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大联大世平集团推出基于TOSHIBA产品的工业型条码打印机解决方案
本方案采用的TB67S128FTG是一款两相双极步进电机驱动IC，绝对最大输出为50V/5A。TOSHIBA的创新工艺帮助MOSFET驱动实现了低功耗以及0.25Ω的低导通电阻，这可以减少大电流驱动时热量的产生。
2023-07-13 09:51:501261
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功率MOSFET基本结构：超结结构
高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压以2.4-2.6次方增长，导通电阻急剧增大，电流额定值降低。
2023-11-04 08:46:126731
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Toshiba推出适用于USB设备和电池组保护的30V N沟道共漏MOSFET
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。这是一款低导通电阻、30V N沟道共漏MOSFET，适用于带USB的设备和电池组保护。产品发货即日起开始。
2023-11-08 16:22:221301
1301具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
的工作效率。在这些应用中，中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电 路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导通电阻
2023-11-20 01:30:561063
1063昕感科技推出超低导通电阻的SiC MOSFET器件
近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:571617
1617具有可控接通功能的TPS22930 超小型、低导通电阻负载开关数据表
电子发烧友网站提供《具有可控接通功能的TPS22930 超小型、低导通电阻负载开关数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-15 10:51:390
0具有可控接通功能的超小型、低导通电阻负载开关TPS22912 数据表
电子发烧友网站提供《具有可控接通功能的超小型、低导通电阻负载开关TPS22912 数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-15 13:46:040
0昕感科技发布一款1200V低导通电阻SiC MOSFET产品N2M120013PP0
近日，昕感科技发布一款兼容15V栅压驱动的1200V低导通电阻SiC MOSFET产品N2M120013PP0，导通电阻在15V栅压下低至13mΩ，配合低热阻TO-247-4L Plus封装，可以有效提升电流能力，满足客户的大功率应用需求。
2024-05-11 10:15:441889
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MOSFET导通电压的测量方法
MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。MOSFET的导通电压，也称为阈值电压（Vth），是MOSFET从截止状态到导通状态的电压值。 MOSFET
2024-08-01 09:19:552997
2997ROHM推出超低导通电阻和超宽SOA范围的Nch功率MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向企业级高性能服务器和AI服务器电源，开发出实现了业界超低导通电阻*1和超宽SOA范围*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041208
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TPS22995低导通电阻负载开关技术解析与应用指南
Texas Instruments TPS22995导通电阻负载开关支持可配置上升时间，以最大限度地减小浪涌电流。该单通道负载开关包含一个可在0.4V至5.5V输入电压范围内运行的N沟道MOSFET，并且支持3.8A的最大连续电流。
2025-09-02 14:57:49638
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MDD MOS导通电阻对BMS系统效率与精度的影响
在电池管理系统（BMS）中，MDD辰达半导体MOSFET作为电池组充放电的开关与保护核心元件，其导通电阻（RDS(on)）参数对系统性能有着直接且深远的影响。作为MDDFAE，在支持客户调试或可
2025-11-12 11:02:47339
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选型手册：MOT3712G P 沟道功率 MOSFET 晶体管
仁懋电子（MOT）推出的MOT3712G是一款P沟道增强型功率MOSFET，凭借-30V耐压、低导通电阻及高电流承载能力，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型：P沟道
2025-11-21 10:31:06233
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关于0.42mΩ超低导通电阻MOSFET的市场应用与挑战
在电源管理系统和高效电池管理系统（BMS）设计中，MOSFET作为开关元件，扮演着重要角色。由于其导通电阻直接影响到电路效率、功率损耗和热量产生，因此低导通电阻的MOSFET成为越来越多高效系统
2025-12-16 11:01:13198
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