东芝推出了40V N沟道功率MOSFET
- MOSFET(209668)
- 东芝(120305)
- 低功耗(102341)
相关推荐
罗姆开发出耐压40V的功率MOSFET
日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)开发出耐压40V的功率MOSFET ,最适合用于以工业设备和车载领域为中心的、输入电压24V的DC/DC转换器。
2012-08-08 09:18:231142
飞兆半导体推出型号为FDB9403的40V PowerTrench MOSFET
飞兆半导体公司新推出了40V 的N沟道PowerTrench MOSFET FDB9403,该产品可帮助设计人员在汽车动力转向系统的设计工程师需要能够提供更高效率和更佳功率控制的解决方案。
2012-12-04 14:56:04971
Vishay推出新款40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L
Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381452
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET,支持车载设备对更大电流的需求
中国上海, 2023 年 2 月 3 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布推出采用新型L-TOGL™(大型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装的车载40V N沟道功率MOSFET
2023-02-06 10:01:471034
40V功率MOSFET能满足汽车要求吗?
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范,具体而言,低压MOSFET必须耐受高温和高尖峰电流。
2019-08-09 07:28:08
N沟道和P沟道MOSFET的区别是什么
为正时,它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道MOSFET的源极接地,漏极连接到负载,当栅极施加正电压时,FET导通。N 沟道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它们
2023-02-02 16:26:45
N沟道增强型MOSFET TDM3550
[table=98%]N沟道增强型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征该TDM3550采用先进的沟槽技术◆40V/ 100A[tr]提供优异的RDS(ON)和低门电荷。[td=331]◆RDS(ON)
2018-11-16 13:42:48
N沟通和P沟道的功率MOSFET的特征是什么
功率MOSFET有二种类型:N沟通和P沟道,在系统设计的过程中,选择N管还是P管,要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征,然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
功率MOSFET结构及特点
,合适于功率MOSFET的应用。这种结构称为垂直导电双扩散MOS结构VDMOSFET(Vertical Double Diffused MOSFET)。N沟道MOSFET衬底为高掺杂的N+衬底,高掺杂沟道
2016-10-10 10:58:30
LT1160的典型应用:半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23:01
MAX1553高效40V升压转换器电子资料
概述:MAX1553能够以恒定电流驱动串联的白色LED,为蜂窝电话、PDA及其它手持设备提供高效的显示器背光驱动。这款升压转换器内部包含一个40V、低RDSON的N沟道MOSFET开关,可提高效率、延长电池寿命。
2021-04-21 07:38:25
P沟道和N沟道MOSFET在开关电源中的应用
子的欧姆区域(ohmic region),MOSFET“完全导通”。在对比图中,N沟道欧姆区的VGS是7V,而P沟道的是-4.5V。随着栅极电压增加,欧姆曲线的斜率变得更陡,表明器件导电能力更强。施加
2018-03-03 13:58:23
SL2060场效应管 20V85A N沟道功率MOS管
2.1A SOT23-3L封装N沟道【40V MOS管 N/P沟道】SL448040V13ASOP-8封装N沟道SL418440V60ATO-252封装 N沟道SL4884 40V10ASOP-8封装N沟道 【40V
2020-06-13 11:47:55
SL2098场效应管 20V9.7A N沟道功率MOS管
沟道【55V MOS管 N沟道】SL342255V2.1A SOT23-3L封装N沟道【40V MOS管 N/P沟道】SL448040V13ASOP-8封装N沟道SL418440V60ATO-252封装
2020-06-19 10:57:37
SL25N10场效应管100V25A N沟道 TO-252 功率MOS管
沟道【40V MOS管 N/P沟道】SL448040V13ASOP-8封装N沟道SL418440V60ATO-252封装 N沟道SL4884 40V10ASOP-8封装N沟道 【40V MOS管 N沟道
2020-06-09 10:23:37
SL2N15场效应管100V2A N沟道 SOT23-3L 功率MOS管
SL4421-60V-7ASOP-8封装P沟道【55V MOS管 N沟道】SL342255V2.1A SOT23-3L封装N沟道【40V MOS管 N/P沟道】SL448040V13ASOP-8封装N沟道
2020-06-05 10:20:57
SL3020 N沟道场效应管 30V16A 功率MOS管
P沟道【55V MOS管 N沟道】SL342255V2.1A SOT23-3L封装N沟道【40V MOS管 N/P沟道】SL448040V13ASOP-8封装N沟道SL418440V
2020-06-20 10:04:16
SL3042 N沟道场效应管 30V88A的功率MOS管
N沟道SL4421-60V-7ASOP-8封装P沟道【55V MOS管 N沟道】SL342255V2.1A SOT23-3L封装N沟道【40V MOS管 N/P沟道
2020-06-20 10:05:27
SL3400 N沟道场效应管 30V5.7A的功率MOS管
【55V MOS管 N沟道】SL342255V2.1A SOT23-3L封装N沟道【40V MOS管 N/P沟道】SL448040V13ASOP-8封装N沟道SL418440V60ATO-252封装 N沟道
2020-06-20 10:11:31
SL3402 N沟道场效应管 30V4A的功率MOS管
`SL3402 30V4A 40毫欧SOT23-3LSL3402 N沟道场效应管 30V4A的功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管,经验丰富,实力雄厚,技术支持。是您值得信赖合作的实力中低
2020-06-22 10:53:25
SL3404 N沟道场效应管 30V5.7A的功率MOS管
N沟道】SL342255V2.1A SOT23-3L封装N沟道【40V MOS管 N/P沟道】SL448040V13ASOP-8封装N沟道SL418440V60ATO-252封装 N沟道SL4884
2020-06-22 11:03:37
SL3404 N沟道场效应管 30V5.7A的功率MOS管
MOS管 N沟道】SL342255V2.1A SOT23-3L封装N沟道【40V MOS管 N/P沟道】SL448040V13ASOP-8封装N沟道SL418440V60ATO-252封装 N沟道
2020-06-24 10:37:08
SL3406 N沟道场效应管30V4A的功率MOS管
管 N沟道】SL342255V2.1A SOT23-3L封装N沟道【40V MOS管 N/P沟道】SL448040V13ASOP-8封装N沟道SL418440V60ATO-252封装 N沟道
2020-06-24 10:39:23
SL3414 N沟道场效应管20V6A的功率MOS管
N沟道】SL342255V2.1A SOT23-3L封装N沟道【40V MOS管 N/P沟道】SL448040V13ASOP-8封装N沟道SL418440V60ATO-252封装 N沟道SL4884
2020-06-24 10:40:54
SL3416 N沟道场效应管20V6A功率MOS管
2.1A SOT23-3L封装N沟道【40V MOS管 N/P沟道】SL448040V13ASOP-8封装N沟道SL418440V60ATO-252封装 N沟道SL4884 40V10ASOP-8封装N沟道 【40V MOS
2020-06-29 16:40:19
SL35N10场效应管100V35A N沟道 TO-252 功率MOS管
沟道【40V MOS管 N/P沟道】SL448040V13ASOP-8封装N沟道SL418440V60ATO-252封装 N沟道SL4884 40V10ASOP-8封装N沟道 【40V MOS管 N沟道
2020-06-09 10:36:41
SL4184 N沟道场效应管40V60A功率MOS管
SL4184 40V60A 9毫欧TO-252SL4184 N沟道场效应管40V60A功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管,经验丰富,实力雄厚,技术支持。是您值得信赖合作的实力中低压MOS
2020-07-01 16:58:17
SL40p03场效应管30V39A N沟道 DFN3x3-8 功率MOS管
沟道【40V MOS管 N/P沟道】SL448040V13ASOP-8封装N沟道SL418440V60ATO-252封装 N沟道SL4884 40V10ASOP-8封装N沟道 【40V MOS管 N
2020-06-10 14:31:13
低开启40V 10A N沟道 MOS管原厂
TO-252 N沟道 MOS管30V 85A TO-252 N沟道 MOS管 【40V MOS N沟道】40V 10A SOP8 N沟道 MOS管【60V MOS N沟道】60V 3A SOT23 N
2020-11-02 16:02:10
具有升压稳压器的半桥N沟道功率MOSFET驱动器
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V(绝对最大值)的高压(HV)轨道上工作
2019-05-10 06:46:05
开关电源设计之:P沟道和N沟道MOSFET比较
,N沟道欧姆区的VGS是7V,而P沟道的是-4.5V。随着栅极电压增加,欧姆曲线的斜率变得更陡,表明器件导电能力更强。施加的栅极电压越高,MOSFET的RDS(on)就越小。在某些应用中
2021-04-09 09:20:10
手持电动工具产品方案汇总 40V,1.4 mΩ,200A NTMFS5C430NLT1G
NTMFS5C430NLT1G是一款 单 N沟道 功率 MOSFET,40V,1.4 mΩ,200A。特性:•低RDS(开启)•将传导损耗降至最低•低输入电容•最大限度地减少开关损耗•最高结温为
2021-12-29 13:44:23
聚能芯供应替代AOD4184的SL4184MOS管,40V/60A/9毫欧N沟道的
AOD484SL4184N沟道TO-252 40V 60A可替代 AOD4184SL444N沟道TO-252 60V 12A可替代 AOD444SL50N06 N沟道TO-252 60V 50ASL15N
2020-06-04 14:30:12
英飞凌40V和60V MOSFET
尤为明显,其中包含封装电阻在内的总通态电阻几乎减半。英飞凌推出了多个型号的40V和 60V MOSFET器件(图3),使设计工程师能够轻松地找到最理想的应用解决方案。图3:40V和60V产品组合实用性
2018-12-06 09:46:29
Vishay推出500V N沟道功率MOSFET:SiHF8
Vishay推出500V N沟道功率MOSFET:SiHF8N50L-E3
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比,该器件的
2010-04-07 10:52:52777
英飞凌推出单P沟道40V汽车电源MOSFET产品:OptiMOS P2
英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆,从而进一步
2011-09-13 08:33:16692
东芝推出可在高温下应用的车载功率MOSFET
东芝于日前宣布,开始销售可确保在175℃条件下工作的车载设备用功率MOSFET“TK80A04K3L”。这是一款耐压为+40V的n通道产品,是该公司功率MOSFET系列“U-MOS IV”的新成员。除车载电子设备外,还可用于工业电子设备和消费类电子产品等的马达驱动电路和开关稳压器。
2013-01-23 09:25:13737
东芝推出汽车用单通道高边N沟道功率MOSFET栅极驱动器
东京—东芝公司(TOKYO:6502)旗下半导体&存储产品公司今天宣布,推出单通道高边N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅极驱动器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:361787
东芝拓展650V超结结构N沟道功率MOSFET新品 景嘉微发布JH920
东芝拓展650V超结结构N沟道功率MOSFET新品 景嘉微发布JH920 东芝拓展新一代超级结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的产品线 东芝电子元件及存储装置株式会社 (“东芝
2022-03-18 17:35:264583
东芝推出功率MOSFET-“TPH9R00CQH”
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。
2022-04-01 16:42:3610908
东芝新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET支持车载大电流设备
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出采用新型L-TOGLTM(大型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB
2023-02-04 18:31:452676
LFPAK88中的N沟道 40V,1.2mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7S1R2-40H
LFPAK88 中的 N 沟道 40 V、1.2 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7S1R2-40H
2023-02-08 19:09:240
LFPAK88中的N沟道 40V,1.0 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7S1R0-40H
LFPAK88 中的 N 沟道 40 V、1.0 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7S1R0-40H
2023-02-09 21:51:430
LFPAK88中的N沟道 40V,2mOhm 标准电平 MOSFET-BUK7S2R0-40H
LFPAK88 中的 N 沟道 40 V、2 mOhm 标准电平 MOSFET-BUK7S2R0-40H
2023-02-16 20:59:320
LFPAK88中的N沟道 40V,2.5mOhm 标准电平 MOSFET-BUK7S2R5-40H
LFPAK88 中的 N 沟道 40 V、2.5 mOhm 标准电平 MOSFET-BUK7S2R5-40H
2023-02-16 20:59:450
LFPAK88中的N沟道 40V,1.5mOhm 标准电平 MOSFET-BUK7S1R5-40H
LFPAK88 中的 N 沟道 40 V、1.5 mOhm 标准电平 MOSFET-BUK7S1R5-40H
2023-02-17 19:45:060
LFPAK56E中的N沟道 40V,0.9 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9J0R9-40H
LFPAK56E 中的 N 沟道 40 V、0.9 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9J0R9-40H
2023-02-20 19:32:070
LFPAK33中的N沟道 40V,9.5 mΩ 标准电平 MOSFET-山毛榉7M9R5-40H
LFPAK33 中的 N 沟道 40 V、9.5 mΩ 标准电平 MOSFET-山毛榉7M9R5-40H
2023-02-20 20:12:560
LFPAK33中的N沟道 40V,20.0 mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9M20-40H
LFPAK33 中的 N 沟道 40 V、20.0 mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9M20-40H
2023-02-20 20:15:130
LFPAK33中的N沟道 40V,11.0 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9M11-40H
LFPAK33 中的 N 沟道 40 V、11.0 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9M11-40H
2023-02-20 20:15:430
LFPAK33中的N沟道 40V,15.0 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7M15-40H
LFPAK33 中的 N 沟道 40 V、15.0 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7M15-40H
2023-02-20 20:16:320
LFPAK56中的N沟道 40V,2.4 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y2R4-40H
LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、2.4 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y2R4-40H
2023-02-21 18:48:530
LFPAK56中的N沟道 40V,1.9 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y1R9-40H
LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、1.9 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y1R9-40H
2023-02-21 18:49:070
LFPAK56中的N沟道 40V,1.4 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y1R4-40H
LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、1.4 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y1R4-40H
2023-02-21 18:49:370
LFPAK56中的N沟道 40V,2.8 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y2R8-40H
LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、2.8 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y2R8-40H
2023-02-21 19:25:590
LFPAK56中的N沟道 40V,2.0 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y2R0-40H
LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、2.0 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y2R0-40H
2023-02-21 19:28:280
LFPAK56中的N沟道 40V,2.5 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y2R5-40H
LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、2.5 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y2R5-40H
2023-02-21 19:28:460
双N沟道 40V,9.4 mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9K8R7-40E
双 N 沟道 40 V、9.4 mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9K8R7-40E
2023-02-21 19:37:460
双N沟道 40V,7.2mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9K6R8-40E
双 N 沟道 40 V、7.2 mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9K6R8-40E
2023-02-21 19:40:300
双N沟道 40V,6.8 mΩ 标准电平 MOSFET-山毛榉7K6R8-40E
双 N 沟道 40 V、6.8 mΩ 标准电平 MOSFET-山毛榉7K6R8-40E
2023-02-21 19:41:570
双N沟道 40V,5.8 mΩ 标准电平 MOSFET-山毛榉7K6R2-40E
双 N 沟道 40 V、5.8 mΩ 标准电平 MOSFET-山毛榉7K6R2-40E
2023-02-21 19:42:170
LFPAK33中的N沟道 40V,9.1 mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9M9R1-40E
LFPAK33 中的 N 沟道 40 V、9.1 mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9M9R1-40E
2023-02-21 19:46:280
LFPAK33中的N沟道 40V,14mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9M14-40E
LFPAK33 中的 N 沟道 40 V、14 mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9M14-40E
2023-02-21 19:50:030
LFPAK33中的N沟道 40V,45 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7M45-40E
LFPAK33 中的 N 沟道 40 V、45 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7M45-40E
2023-02-21 19:51:420
LFPAK33中的N沟道 40V,10 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7M10-40E
LFPAK33 中的 N 沟道 40 V、10 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7M10-40E
2023-02-21 19:53:380
LFPAK56中的N沟道 40V,3.5 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y3R5-40E
LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、3.5 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y3R5-40E
2023-02-22 18:40:510
双N沟道 40V,8.5 mΩ 标准电平 MOSFET-山毛榉7K8R7-40E
双 N 沟道 40 V、8.5 mΩ 标准电平 MOSFET-山毛榉7K8R7-40E
2023-02-22 18:43:410
LFPAK33中的N沟道 40V,12mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7M12-40E
LFPAK33 中的 N 沟道 40 V、12 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7M12-40E
2023-02-22 18:45:180
N 沟道 LFPAK 40V,3.3 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN3R3-40YS
N 沟道 LFPAK 40 V、3.3 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN3R3-40YS
2023-02-22 18:48:170
N 沟道 LFPAK 40V,14mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN014-40YS
N 沟道 LFPAK 40 V、14 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN014-40YS
2023-02-22 18:57:370
I2PAK中的N沟道 40V,1.6 mΩ 标准电平 MOSFET。-PSMN1R5-40ES
I2PAK 中的 N 沟道 40 V、1.6 mΩ 标准电平 MOSFET。-PSMN1R5-40ES
2023-02-22 19:02:450
采用 SOT78 封装的N沟道 40V,1.7 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R9-40PL
采用 SOT78 封装的 N 沟道 40 V、1.7 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R9-40PL
2023-02-23 18:38:590
I²PAK中的N沟道 40V,1.9 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9E1R9-40E
I²PAK 中的 N 沟道 40 V、1.9 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9E1R9-40E
2023-03-03 20:09:280
RBA160N04AHPF-4UA01 40V – 160A –N沟道功率 MOS FET 应用:汽车
RBA160N04AHPF-4UA01 40V – 160A – N 沟道功率 MOS FET 应用:汽车
2023-03-13 19:19:370
东芝推出150V N沟道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”,其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺,可用于工业设备开关电源,涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。
2023-03-31 10:05:32728
宝砾微 PL1303N04 QFN6*6-40L 40V/25.0A N沟道功率MOSFET
应用: DC-DC转换 SMPS中的同步整流 硬开关和高速电路 电动工具 电机控制 概述: PL1303N04是宝砾微推出的4开关N沟道功率MOSFET,采用QFN6*6-40L封装。产品具有较强
2023-04-11 14:47:50515
RBA160N04AHPF-4UA01 40V – 160A –N沟道功率 MOS FET 应用:汽车
RBA160N04AHPF-4UA01 40V – 160A – N 沟道功率 MOS FET 应用:汽车
2023-07-04 20:37:050
东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET,有助于汽车设备实现高散热和小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出两款采用东芝新型S-TOGLTM(小型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。
2023-08-22 11:03:21557
东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出两款采用东芝新型S-TOGL(小型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品已于8月17日开始支持批量出货。
2023-08-24 11:19:10601
评论
查看更多