日本电装试制出了采用SiC功率元件制成的逆变器。该逆变器的特点是输出功率密度高达60kW/L，这一数值达到了“全球最高水平”。
2012-05-22 08:55:46
2361 
碳化硅（SiC）功率元件正快速在太阳能（PV）逆变器应用市场攻城掠地。SiC功率元件具高频和耐高温特性，不仅可较传统硅功率半导体，提供更高的电源转换效率，更可减少所需的电容和感测器数量，已吸引愈来愈多太阳能逆变器制造商青睐。
2013-06-25 09:25:301676 在导通数据中，原本2，742µJ的开关损耗变为1，690µJ，损耗减少了约38%。在关断数据中也从2，039µJ降至1，462µJ，损耗减少了约30%。
2020-07-17 17:47:44949 
与功率MOSFET相比，功率MOSFET中的SiC具有一系列优势，例如更高的电导率，更低的开关速度和更低的传导损耗[1] [2]-[6]。
2021-03-12 11:59:027220 随着电动汽车（EV）制造商之间在开发成本更低、行驶里程更长的车型方面的竞争日益激烈，电力系统工程师面临着减少功率损耗和提高牵引逆变器系统效率的压力，这可以改善行驶里程并提供竞争优势。效率与较低的功率
2022-10-25 17:05:021429 
相比IGBT芯片面积减少了50% ,取消了IGBT使用的反并联二极管。
逆变器效率主要与功率器件的导通损耗和开关损耗相关,而SiC逆
变器在这两点均具有一定优势。
2023-01-09 10:36:55178 随着电动汽车 （EV） 制造商之间在开发成本更低、行驶里程更长的车型方面的竞争日益激烈，电力系统工程师面临着减少功率损耗和提高牵引逆变器系统效率的压力，这可以提高行驶里程并提供竞争优势。效率与较低
2023-02-27 16:12:146898 
适用SiC逆变器的各要素技术(SiCpower module,栅极驱动回路,电容器等)最优设计与基准IGBT对比逆变器能量损失减少→EV续驶里程提升(5%1)
2024-01-26 10:25:44144 
描述这一经过验证的参考设计概述了如何实现基于 SiC 的三级三相直流/交流并网逆变器级。50kHz 的较高开关频率降低了滤波器设计的磁性元件尺寸，并因此提高了功率密度。通过使用可降低开关损耗
2018-10-29 10:23:06
进一步实现小型化。开关损耗大幅降低，可进一步提升大功率应用的效率ROHM利用独有的内部结构并优化散热设计开发出新型封装，从而开发并推出了600A额定电流的全SiC功率模块产品。由此，全SiC功率模块在工业
2018-12-04 10:20:43
半导体器件具有导通电阻小、阻断电压高、耐高温耐高压等优点。随着SiC基半导体工艺的成熟，SiC成为工作于较高环境温度和较大功率场合下的--宽禁带半导体材料。近年来随着电力电子技术在电动汽车、风力发电
2019-10-24 14:25:15
基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳能光伏逆变器、能源存储、车辆电气化（如充电器
2019-07-31 06:16:52
效率，并实现了全球节能。事实上，有人估计的IGBT帮助阻止750000亿磅的CO 2排放量在过去25年。 就像二十世纪八十年代的IGBT革命一样，今天宽带隙半导体碳化硅（SiC）再次显示出为电力
2023-02-27 13:48:12
程度的小电流，所以与Si-FRD相比，能够明显地减少损耗。而且，该瞬态电流基本上不随温度和正向电流而变化，所以不管何种环境下，都能够稳定地实现快速恢复。另外，还可以降低由恢复电流引起的噪音，达到降噪的效果。SiC半导体SiC-MOSFET
2019-03-14 06:20:14
二极管（FRD:快速恢复二极管），能够明显减少恢复损耗。有利于电源的高效率化，并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化，而且可以降噪。 广泛应用于空调、电源、光伏发电系统中的功率调节器、电动汽车
2019-04-22 06:20:22
比Si器件低，不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗。 而且MOSFET原理上不产生尾电流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT时，能够明显地减少开关损耗，并且实现散热部件
2023-02-07 16:40:49
，不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗。而且MOSFET原理上不产生尾电流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT时，能够明显地减少开关损耗，并且实现散热部件的小型化。另外
2019-04-09 04:58:00
的VF随着温度升高而下降，传导损耗减少，看起来好像是好事，但随着VF的下降，IF增加，即使损耗略有下降，但发热増加量更胜一筹，甚至可能陷入VF下降、IF增加的热失控状态。而SiC-SBD随着温度升高
2018-11-30 11:52:08
SiC-SBD与Si-FRD（快速恢复二极管）的trr比较。恢复的时间trr很短，二极管关断时的反向电流IR大幅减少，收敛也更快。简言之即，反向恢复电荷量Qrr少＝开关损耗小。开关损耗小时，有2个可能性
2019-03-27 06:20:11
工作等SiC的特征所带来的优势。通过与Si的比较来进行介绍。”低阻值”可以单纯解释为减少损耗，但阻值相同的话就可以缩小元件（芯片）的面积。应对大功率时，有时会使用将多个晶体管和二极管一体化的功率模块
2018-11-29 14:35:23
，不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗。而且MOSFET原理上不产生尾电流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT时，能够明显地减少开关损耗，并且实现散热部件的小型化。另外
2019-05-07 06:21:55
电流和FRD的恢复电流引起的较大的开关损耗，通过改用SiC功率模块可以明显减少，因此具有以下效果：开关损耗的降低，可以带来电源效率的改善和散热部件的简化（例：散热片的小型化，水冷/强制风冷的自然风冷化
2019-05-06 09:15:52
电流和FRD的恢复电流引起的较大的开关损耗，通过改用SiC功率模块可以明显减少，因此具有以下效果：开关损耗的降低，可以带来电源效率的改善和散热部件的简化（例：散热片的小型化，水冷/强制风冷的自然风冷化
2019-03-25 06:20:09
2030年前达到峰值，努力争取2060年前实现碳中和。2021年3月，中央财经委员会第九次会议提出构建以新能源为主体的新型电力系统。 碳化硅（SiC）禁带宽、临界击穿场强大、热导率高，是第三代半导体的典型
2023-02-27 14:22:06
新型逆变器控制策略的设计本文以高频链逆变器为被控对象,在推导出被控对象的动态模型后,提出了一种新型控制方案:即内环电流环采用混合型PI-模糊控制策略,外环电压环采用PI控制策略的瞬时值双闭环控制方案.[hide][/hide]
2009-12-10 16:47:21
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【关键词】：功率损耗,导通电
2010-05-06 08:55:20
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33:51
旋转引起的风阻损耗等。电机损耗分类下面介绍几种减少电机损耗的措施 一、定子损耗降低电动机定子I^2R损耗的主要方法有：1、增加定子槽截面积，在同样定子外径的情况下，增加定子槽截面积会减少磁路面积，增加
2017-07-22 13:43:22
项目名称：微电网结构与控制研究试用计划：本人从事电力电子开发与研究已有10年，目前在进行微电网结构与其控制相关项目，我们拥有两电平和多电平并网逆变器，需要将逆变器功率器件全部更换为SiC MOS，以
2020-04-29 18:26:12
MOSFET整流器和逆变器的工作频率。另外，LC滤波器的截止频率也可以提高，这意味着LC滤波器的容量将会降低，从而降低ACL和ACC滤波电路的损耗和重量。表1APS产品的规格2、基于1.2kV全SiC
2017-05-10 11:32:57
。设计挑战然而，SiC MOSFET 技术可能是一把双刃剑，在带来改进的同时，也带来了设计挑战。在诸多挑战中，工程师必须确保：以最优方式驱动 SiC MOSFET，最大限度降低传导和开关损耗。最大
2017-12-18 13:58:36
Tesla的SiC MOSFET只用在主驱逆变器电力模块上，共24颗，拆开封装每颗有2个SiC裸晶(Die)所以共48颗SiC MOSFET。除此之外，其他包括OBC、一辆车附2个一般充电器、快充电桩等，都可以放上SiC，只是SiC久缺而未快速导入。不过，市场估算，循续渐进采用SiC后，平均2辆Te.
2021-09-15 07:42:00
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
和电流的新型半导体器件，为电力电子技术带来了决定性的积极变化。SiC具有宽带隙、高导热性和高抗电场破坏能力，有助于降低功率损耗。除航空航天领域外，一个特定的应用领域是电动汽车，其中对更大的紧凑性、高
2022-06-13 11:27:24
特性和结构。尤其是温度特性，Si-FRD随着温度升高VF下降，传导损耗减少，但IF反而増加，从而可能陷入热失控状态。而SiC-SBD随着温度升高，VF变高，不会热失控。但是VF上升，因此IFSM比
2018-11-29 14:33:47
逆变器系统中的隔离式栅极驱动器图1所示的隔离式栅极驱动器集成电路是牵引逆变器电力输送解决方案不可或缺的一部分。栅极驱动器提供从低压到高压（输入到输出）的电隔离，驱动基于SiC或IGBT的三相电机半桥的高
2022-11-03 07:38:51
使用隔离式IGBT和SiC栅极驱动器的HEV/EV牵引逆变器设计指南
2022-11-02 12:07:56
SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。关于这一点，根据这之前介绍过的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特点与性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
减少了19%的体积，并减重2kg。 从第4赛季开始，ROHM将为文图瑞车队提供将SiC-MOSFET和SiC-SBD模块化的全SiC功率模块，与搭载SiC-SBD的第3赛季逆变器相比，实现了30
2018-12-04 10:24:29
所增加，但其增加比例远低于IGBT模块。可以看出结论是：在30kHz条件下，总体损耗可降低约60%。这是前面提到的第二个优势。可见这正如想象的一样，开关损耗小是由组成全SiC模块的SiC元件特性所带来的。关于
2018-11-27 16:37:30
电子设备和工业设备。目前推出的650V耐压产品包括RGW60TS65CHR（30A）、RGW80TS65CHR（40A）、RGW00TS65CHR（50A）。＜内置SiC二极管的IGBT
2022-07-27 10:27:04
的优势。大幅降低开关损耗SiC-SBD与Si二极管相比，大幅改善了反向恢复时间trr。右侧的图表为SiC-SBD与Si-FRD（快速恢复二极管）的trr比较。恢复的时间trr很短，二极管关断时的反向电流
2018-12-04 10:26:52
进一步利用。 （A） 图片由Bodo的电力系统公司提供 （B） 图片由Bodo的电力系统提供 图5.最大dv/dt限制为5V/ns的导通损耗比较（A：IGBT，B：SiC
2023-02-21 16:36:47
分布式逆变器持续火热，包括IGBT，SiC，GaN等核心材料的相对成熟，功率密度要求不断上升，逆变器的单机功率千瓦数也因此不断得以提高。占据市场主流的逆变器，功率已经从50~60KW过渡至70
2019-01-10 10:12:47
减少到3.8mJ。这是因为随着会产生影响的电感值变小，Eon增加，Eoff减小。按总损耗（Eon + Eoff）来比较，当前损耗减少了0.4mJ。总之，为了充分运用并发挥全SiC模块的性能，增加一个缓冲
2018-11-27 16:36:43
结果可以看出，由于SiC模块可高速开关，因此在30kHz的条件下可减少60%的开关损耗。或者可以说，无需增加损耗即可将频率提高6倍。更低开关损耗和更高速开关的优点开关损耗降低可提高效率，并减少
2018-12-04 10:14:32
`由电气观察主办的“宽禁带半导体(SiC、GaN)电力电子技术应用交流会”将于7月16日在浙江大学玉泉校区举办。宽禁带半导体电力电子技术的应用、宽禁带半导体电力电子器件的封装、宽禁带电力电子技术
2017-07-11 14:06:55
电流和FRD的恢复电流引起的较大的开关损耗，通过改用SiC功率模块可以明显减少，因此具有以下效果：开关损耗的降低，可以带来电源效率的改善和散热部件的简化（例：散热片的小型化，水冷/强制风冷的自然风冷化
2019-03-12 03:43:18
无线充电电力传输过程中主要的损耗：1.供电端的驱动组件，主要是MOSFET的开关损耗2. 供电端和受电端的线圈与谐振电容通过电流的损耗3.受电端的整流部分，交流到直流的转换损耗4.受电端的稳压转换
2021-09-15 07:13:55
提供交流电源，比UPS供电方案节约了投资费用，避免了蓄电池组的重复投资，减少了维护工作量，降低了运行成本。 2 提高了电力逆变器供电可靠性 变电所中装
2010-06-07 01:06:08
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05
二极管（FRD:快速恢复二极管），能够明显减少恢复损耗。有利于电源的高效率化，并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化，而且可以降噪。 广泛应用于空调、电源、光伏发电系统中的功率调节器、电动汽车
2019-05-07 06:21:51
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率
2023-02-15 11:19:05
的输出电流。图4：逆变器损耗比较后记可以通过使用高速混合模块实现更高的开关频率来减少电容器，电感器和变压器等滤波电路的大批量和大质量。高速IGBT减少的关断损耗以及SiC-SBD引起的低导通和反向恢复
2020-09-02 15:49:13
损耗分析为一个三电平桥臂损耗为172.04W可见损耗减少了2/3以上，损耗的大幅度降低，降低了散热的成本，更为用户节省了大量的电费支出，用户可以实实在在感受到三电平技术带来的益处。通过上面分析，我们
2010-02-22 16:00:56
损耗分析为一个三电平桥臂损耗为172.04W可见损耗减少了2/3以上，损耗的大幅度降低，降低了散热的成本，更为用户节省了大量的电费支出，用户可以实实在在感受到三电平技术带来的益处。通过上面分析，我们
2010-02-22 16:03:54
，热导率是硅的10倍。 SiC在所有重要方面都优于硅 这为碳化硅器件开辟了广泛的应用领域，在5G/数据中心等空间受限和节能领域，低损耗是应用的推动力;在电动汽车领域，更高的牵引逆变器效率意味着更小
2023-02-27 14:28:47
几乎没有温度及电流依赖性。SiC-SBD的正向特性Si-SBD的正向特性与Si-PND不同。这取决于物理特性和结构。尤其是温度特性，Si-FRD随着温度升高VF下降，传导损耗减少，但IF反而増加，从而
2019-07-10 04:20:13
本半导体制造商罗姆面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此产品损耗
2019-03-18 23:16:12
了大幅改善。这里有导通和关断相关的开关损耗比较数据。在导通数据中，原本2,742µJ的开关损耗变为1,690µJ，损耗减少了约38%。在关断数据中也从2,039µJ降至1,462µJ，损耗减少了约30
2020-07-01 13:52:06
，汽车等。自从一开始，Fraunhofer ISE就推广了SiC技术并展示了其优势，这些设备在系统级为电力电子产品提供通过构建效率很高的紧凑型逆变器。ROHM Semiconductor是功率模拟IC，低
2019-10-25 10:01:08
。最新的模块中采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低组成全SiC功率模块的SiC-MOSFET在不断更新换代，现已推出新一代产品的定位–采用沟槽结构的第3代产品
2018-12-04 10:11:50
随着电动汽车 （EV） 制造商之间在开发成本更低、行驶里程更长的车型方面的竞争日益激烈，电力系统工程师面临着减少功率损耗和提高牵引逆变器系统效率的压力，这可以提高行驶里程并提供竞争优势。效率与较低
2022-11-02 12:02:05
新型逆变器控制策略的研究
2009-01-03 14:50:29
21 目录0.5KVA～3KVA 电力逆变器... 2SN1103KCD1 电力逆变器..... 6SN1105KCD1 电力逆变器..... 9SN1107.5KCD1 电力逆变器.. 12SN11010KCD1 电力逆变器... 15SN11015KCD1 电力逆变器... 18SN1
2010-06-29 16:17:3746 瑞萨中国推出车和图形仪表板开发平台
2010-09-11 10:22:5825
在升压变换器中利用新型MOSFET减少开关损耗
摘要：升压变换器通常应用在彩色监视器中。为提高开关电源的效率，设计
2009-07-20 16:03:00564 
轻负荷时期减少变压器损耗的运行方式简介
由于电力工程必须超前建设的特点，一些新投入的变配电工程在一段短时期内(1～2 a)
2009-12-12 08:34:361445 日本日立集团（HITACHI）旗下从事家电制造及销售业务的日立电器公司，从7月13日开始陆续推出20款可利用现有40形直管萤光灯器具的直管型LED灯更新套件。易于从直管型萤光灯更换为LE
2012-07-20 09:19:01656 在铁道业界的全球最大展会“InnoTrans 2012”（2012年9月18～23日，德国柏林）上，日立制作所、三菱电机及东芝三家公司都展出了使用SiC二极管的铁道车辆用逆变器。这些产品向全球铁道
2012-09-27 09:41:001609 电子资料论文：基于IGBT功率逆变器损耗准建模方法
2016-07-06 15:14:4727 交错反激微功率光伏并网逆变器损耗分析_王小彬
2016-12-15 19:30:580 新型单相光伏微型逆变器_王恒
2016-12-29 14:35:287 集成到半导体芯片中，研究人员希望至少在电力电子设备中减少这种损耗，使其体积更小、成本更低、能耗更低。 传统上，电子设备和热管理系统是分开设计和制造的，瑞士洛桑埃科尔理工学院的电气工程教授Elison Matioli说。这给提
2020-10-13 14:22:493319 电力电子器件的损耗包括哪些 电力电子器件的损耗主要包括有开通、关断、通态损耗。 在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。另外，si的二极管
2021-01-07 15:40:0330914 基于SiC的双向三级三相AFE逆变器和PFC设计
2021-09-09 10:17:0524 SiC FET 速度极快，边缘速率为 50 V/ns 或更高，这对于最大限度地减少开关损耗非常有用，但由此产生的 di/dt 可能达到每纳秒数安培。这会通过封装和电路电感产生高电平的电压过冲和随后
2022-08-04 09:30:05730 
双碳目标正加速推进汽车向电动化发展，半导体技术的创新助力汽车从燃油车过渡到电动车，新一代半导体材料碳化硅(SiC)因独特优势将改变电动车的未来，如在关键的主驱逆变器中采用SiC可满足更高功率和更低
2022-09-20 15:20:161096 
Wolfspeed 先进碳化硅（SiC）技术将在汽车逆变器中重点采用，管理从电池到电机的功率传输。首批采用 Wolfspeed 先进碳化硅（SiC）技术的路虎∙揽胜汽车将于 2024 年推出，次年推出的新型全电动捷豹品牌也将同步引入该技术。
2022-11-03 10:53:38483 应用中，SiC MOSFET模块可以满足包括轨道车用逆变器、转换器和光伏逆变器在内的应用需求，实现系统的低损耗和小型化。
2022-11-06 21:14:51957 从2025年起将向全球电动汽车供货，助力延长续航里程和系统的小型化 全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和栅极驱动器IC已被日本先进的汽车零部件制造商日立
2022-12-28 09:20:02459 新品速递 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC
2023-02-02 11:10:02906 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。
2023-02-02 11:09:39991 特别是对于SiC MOSFET，栅极驱动器IC必须将开关和传导损耗（包括导通和关断能量）降至最低。
2023-02-06 14:27:17388 全SiC功率模块与现有的IGBT模块相比，具有1）可大大降低开关损耗、2）开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。
2023-02-08 13:43:22676 
场截止IGBT单管 60A600VFGH60N60SMD 采用新型场截止 IGBT技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC
等低导通和开关损耗至关重要的应用。
2023-02-24 09:58:530 全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。
2023-02-24 11:51:28496 
FGH40N60SMD 600V 80A 349W 逆变器高频IGBT单管 ，为光伏逆变器、UPS、焊机、通讯、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。 IGBT单管系列
2023-02-24 15:08:310 无论是电机还是减速器，长期使用可能会增加损耗，增加支出成本。具体方法是如何降低减速电机的电压和功率。电力是我们日常生活中的基本能源，因此必须保证供电的可靠性和稳定性。供电线路的电压损耗和功率损耗是供电过程中不可避免的。以下是我们对电压损耗和功率损耗的简要介绍。
2021-11-01 14:49:46460 
随着科技的发展，电力供应和使用的效率越来越重要。提高电路功率因素是一种有效的方法，它可以减少电流损耗，提高能耗效率。那么，为什么提高电路功率因素对于减少电损耗有直接作用呢？
2023-09-04 16:26:411012 使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗
2023-11-23 09:08:34333 
SiC具有高效节能、稳定性好、工作频率高、能量密度高等优势，SiC沟槽MOSFET（UMOSFET）具有高温工作能力、低开关损耗、低导通损耗、快速开关速度等特点
2023-12-27 09:34:56476 
电力电子逆变器软件是一种专门用于电力电子逆变器设计和仿真的工具。它可以帮助工程师快速准确地进行电路设计、参数优化和性能评估，提高产品开发效率和质量。在本文中，将介绍几种常见的电力电子逆变器软件，包括
2024-01-08 14:33:46361 SiC（碳化硅）逆变器是一种新型的电力电子器件，具有高效率、高频率、高温稳定性等优点，广泛应用于电动汽车、可再生能源、电力系统等领域。设计SiC逆变器需要遵循一定的流程，以确保产品的性能和可靠性
2024-01-10 14:42:56190 iC逆变器是一种新型的电力电子器件，具有高效率、高频率、高温稳定性等优点，广泛应用于电动汽车、可再生能源、电力系统等领域。制造SiC逆变器需要遵循一定的流程，以确保产品的性能和可靠性。以下是制造
2024-01-10 14:55:44137 
纳芯微宣布推出基于其自研创新型振铃抑制专利的车规级CAN SIC（信号改善功能，Signal Improvement Capability）NCA1462-Q1。
2024-03-12 09:30:00136 
利用 SiC 功率器件开关频率高、开关损耗低等优点, 将 SiC MOSFET 应用于水下航行器大功率高速电机逆变器模块, 对软硬件进行设计。
2024-03-13 14:31:4668 
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