美国SemiSouth Laboratories公司发布了耐压为650V和耐压为1700V的SiC制JFET产品，均为常开型功率元件。耐压为650V的产品名称为“SJDA065R055”，导通电阻为55mΩ，漏电流在室温时（25℃）为30A，在
2012-05-21 10:31:01
2494 瑞萨电新发表13款具备高效能之第7代绝缘闸双极性电晶体（IGBT）系列新产品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列与1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是将系统中的直流电转换为交流电的功率半导体装
2012-07-31 11:34:281650 全球知名半导体制造商ROHM新开发出兼备业界顶级低传导损耗※1和高速开关特性的650V耐压IGBT※2“RGTV系列（短路耐受能力※3保持版）”和“RGW系列（高速开关版）”，共21种机型。这些产品
2018-04-17 12:38:467742 
与600V IGBT3一样，新的650V IGBT4也是采用了沟槽的MOS-top-cell薄片技术和场截止的概念（如图1 所示），但与600V IGBT3相比，芯片厚度增加了大约15%，并且MOS
2018-10-26 09:17:007600 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其进入氮化镓场效应管（GaN）市场。
2019-11-22 15:16:321787 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421943 
ROHM面向工业设备用电源、太阳能发电功率调节器及UPS等的逆变器、转换器，开发出1200V耐压的400A/600A的全SiC功率模块“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43
我想控制20Hz到20KHz脉冲波的幅值，步进100mv输出最大达到3v，我尝试过用ad603、vca810等压控放大器，但效果不理想，请问大神们有什么方法可以把输入为300mv20Hz到20KHz脉冲波达到这要求吗？
2014-08-16 22:59:38
在《电子学》这个大布头里面看见过喇叭在20到20kHz的频响曲线，这个文章还详细的介绍了分贝和响度
2019-05-31 08:15:57
40 A 650V IGBT，它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3（亦称D2PAK）封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率
2018-10-23 16:21:49
逆变器等中高功率领域，可显著的减少电路的损耗，提高电路的工作频率。 关断波形图（650V/10A产品） 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆变焊机因其体较小，操作方便，市场接受度逐步提高。因市电220V输入的特点，一般采用600V/650V规格的IGBT作为逆变主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
求解 用DSP28335采样高频电流（频率20KHz左右），要跟踪其频率及过零点，用ADC采样能做吗，求大神赐教！！！！
2014-01-23 21:15:29
你好！我有一个 SPC58EC-DISP；我设置PWM频率20KHz，占空比1%，然后不输出，设置8%时输出2us时间；我发现最小的PWM输出时间好像是2us。现在我想要 PWM 频率 20KHz(50us) 和 1%(0.5us) 输出，我该怎么办？
2023-01-10 07:25:53
@STM32f103产生50Hz—20kHz正弦波频率幅值可调正弦波很多时候我们需要生成一些特定频率和幅值的正弦波波形，近期个人研究这部分的原理和代码，将成果做一下分享，如有不对之处，欢迎大佬补刀
2021-12-03 07:53:32
；TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷（典型值为16nC）快速切换经过100％雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数：应用：高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55
中国上海，2023年3月9日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正（PFC）电路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
最近在做使用DAC产生20kHz频率的任意波形，单周期内64点以上，也就是说控制频率为1.28MHz，为控制DAC波形的频率，使用1.28MHz的定时器中断，在中断里控制DAC输出，最终达到任意波形
2021-08-13 08:07:55
的IGBT模块相比，具有1）可大大降低开关损耗、2）开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。下图是1200V/300A的全SiC功率模块BSM300D12P2E001与同等IGBT的比较。左图
2018-11-27 16:37:30
其授权代理商。广大客户现可通过华秋商城购买MDD品牌产品！产品简介MDD7N65F应用场景 ：LED驱动，适配器功能特点 ：低导电阻、优异的开关性能和高雪崩能量产品参数 ：VDSS：650V，ID
2022-11-11 11:50:23
SBD）* • Hybrid型的IGBT* • 显著降低损耗* • RGWxx65C系列* • 650V耐压* • 与使用Si快速恢复二极管（Si FRD）的IGBT相比，开通损耗显著降低
2022-07-27 10:27:04
。 BM1Pxxx支持隔离和非隔离器件，可以更简单地设计各种类型的低功耗电气转换器。 BM1Pxxx内置高压启动电路，可承受650V电压，有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
我想在1KHz或更低的带宽下制作18KHz和20KHz带通滤波器。 TI会推荐吗？ 谢谢]
2018-11-06 09:34:12
电机驱动市场特别是家电市场对系统的能效、尺寸和稳健性的要求越来越高。 为满足市场需求，意法半导体针对不同的工况提供多种功率开关技术，例如， IGBT和最新的超结功率MOSFET。 本文在实际
2018-11-20 10:52:44
。此外本文所述大功率igbt驱动保护电路是指应用于直流母线电压在650v～1000v范围、输出电流的交流有效值在100a～600a范围的场合。详情见附件。。。。。。
2021-04-06 14:38:18
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-5 16:57 编辑
针对10V以下 20kHz正弦信号的隔离变压器 信号失真程度不能太高 请帮忙推荐一款芯片 谢谢了！
2014-04-22 10:09:19
概述：FSQ100是飞兆半导体出品的一款开关电源电路，FSQ100采用8-DIP封装，输入电压8V~20V．输出电压650V，功率13W，开关振荡频率范围在61kHz~73kHz，工作温度为250C~850C。
2021-04-09 06:34:00
大家好，我想对频率在0~20kHz变化，幅值为±0.5+3.5V的正弦信号进行采样，如何选择合适的采样频率？能否推荐一款合适的ADC芯片？谢谢！
2023-12-08 08:07:40
BM2P033 PWM AC / DC变换器的典型应用电路。用于AC / DC的PWM型（BM2PXX3）为包含电源插座的所有产品提供了最佳系统。 BM2PXX3支持隔离和非隔离器件，可以更简单地设计各种类型的低功耗电气转换器。 BM2PXX3内置高压启动电路，可承受650V电压，有助于实现低功耗
2020-06-05 09:15:07
本帖最后由 3T华钻电子 于 2020-9-22 17:05 编辑
新洁能原厂 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超结场效应管 ，原装正品，优势价格。深圳市华钻电子
2019-12-31 15:08:03
各位专家好，得麻烦各位帮助我解决3个问题哈：1：采集放大Vpp=10mv/20kHz的交流信号（可能包含检波、低通滤波），先整成全波再放大至Vpp=3V；2：检测640kHz的信号源（用工字电感识别
2018-07-30 11:03:21
650V耐压的buck电路够不够用
2023-08-01 14:38:42
现在想用adau1452输出20khz以上的正弦波，比如40khz或者60khz。目前调节了sampling rate之后，仍然无法达到想要的正弦频率，而且本身的正弦波控件频率也改变了，比如我设置
2023-11-28 06:18:03
用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57:31
设计更具灵活性。BM2P189TF和BM2P209TF的最大差别在于VCC控制电压，典型值分别为18V和20V，转换输出电压（DRAIN）最大均可达650V。另外，VCC引脚具有欠压保护和过压保护
2019-04-08 09:33:54
设计用于驱动N通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压最高可达650V。
特性
•650V无芯变压器隔离驱动器IC
•轨到轨输出
•保护功能
•浮动高侧驱动
•双通道欠压锁定
•3.3V和5V TTL
2023-08-24 18:21:45
我想请教一下，AD8302这款幅值比相位差检测芯片的如下问题。1，它能检测100HZ~20KHZ这个频率范围内的信号的幅值比和相位差吗？我看芯片资料上面写的是大于0，小于3GHZ。2，如果能检测
2018-11-22 09:26:05
600V IGBT3，全新芯片具备更出色的关断软度和更高的阻断电压功能。此外，该器件的短路能力大幅增强。而600V IGBT3主要适用于低功率应用或杂散电感很低的高功率应用。650V IGBT4的设计与技术
2018-12-07 10:16:11
能够贴近负载点，且仍然可提供95％以上的能效。高水平的集成和功率转换的结合并非传统上好的搭配，因为通常来说，两者所采用的流程并不完全兼容。在某些情况下，不可避免的妥协是可以容忍的，例如在相对较窄的输入
2020-10-28 09:10:17
摘要新一代CoolMOS™ 650V CFD2技术为具备高性能体二极管的高压功率MOSFET树立了行业新杆标。该晶体管将650V的击穿电压、超低通态电阻、低容性损耗特性与改进反向恢复过程中的体二极管
2018-12-03 13:43:55
双极晶体管(High Speed IGBT)已针对高频率硬切换应用优化，因此，该零件为太阳能应用中功率模块的理想选择。 本文将说明650伏特(V)IGBT3、650V IGBT4及650V高速
2018-10-10 16:55:17
20KHz非稳态电路:
在温度、电压和晶体管增益变化范围很宽的情况下，单电容器电路是可靠的。电源电压在6～12V之间变化时，频率变化仅为0.05%。用R1、R2和C可改变时间周期，
2007-06-15 12:16:53
22 SVF10N65F 650v 10a大功率mos管特征■ 10A,650V,RDs(on)(典型值)=0.8Ω @Vcs=10V■ 开关速度快■ 低栅极电荷量■ 低反向传输电容■ 提升
2022-03-30 15:52:04
供应igbt双极性晶体管650V、75A 大功率igbt开关电源SGTP75V65SDS1P7 ，具有较低的导通损耗和开关损耗，SGTP75V65SDS1P7可应用于光伏，UPS,SMPS以及PFC等领域，更多产品手册、应用料资请向士兰微代理骊微电子申请。>>
2022-08-02 17:11:03
AFSK偏移到20KHz的电路
2009-03-21 18:57:26871 
20kHz带通有源滤波器电路图
2009-03-30 09:05:312766 
20kHz方波发生器
2009-06-10 10:06:116947 
用于红外线接收器的高增益20kHz音频放大器电路图
2009-06-10 10:15:323859 
韩国成功改良NOR芯片 可大幅提升手机性能
首尔大学指出，1组韩国工程师已改良手机用芯片技术，可大幅提升手机性能。
2010-01-28 09:23:52899 
英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为、及
2010-07-05 08:48:261674 美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型（NPT）绝缘栅双极晶体管（IGBT）产品，备有45A、70A和95A额定电流型款。美高森美全新NPTIGBT产品系列专为严苛环境工作而设计，尤其适用于太阳能逆变器、焊接机和开关电源等工业产品。
2013-08-19 16:08:18863 2014年10月21日，北京——全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以扩充绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 系列。
2014-10-21 15:27:421975 2015年3月2日，德国慕尼黑——英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）发布了能够让应用于汽车中的高速开关实现最高效率的高坚固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291443 •正温度系数，易于并联使用•不受温度影响的开关特性•最高工作温度175℃•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
650V 4A 碳化硅肖特基功率二极管
兼容 C3D04060A C3D04065A
2016-06-06 15:09:147 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二极管 TO-220
2016-06-17 15:42:454 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二极管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二极管
产品特性
•
正温度系数，易于并联使用
•不受温度影响的开关特性
•
最高工作温度175℃•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-17 15:42:454 G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二极管
正温度系数，易于并联使用•
不受温度影响的开关特性•
最高工作温度175℃
•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-23 17:56:190 为了得到高达 20kHz 的开关频率，赛米控在 SKiM功率模块中集成了三电平逆变器结构。SKiM IGBT 产品组合为光伏和 UPS 市场上提供了最优的效率。相对于标准两电平解决方案减少的损耗
2017-11-14 13:03:0211 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）进一步壮大其薄晶圆技术TRENCHSTOP™5 IGBT产品阵容。新的产品家族可提供最高40 A 650V IGBT，它与
2018-06-04 08:31:002054 / 650V IGBT和一个NTC热敏电阻。Q2PACK模块采用一个分立式NPC拓扑结构，使用160A / 1200V IGBT、100A / 650V IGBT和一个NTC热敏电阻。这些拓扑结构适用于更高的功率电平。
2019-03-14 06:12:004628 
意法半导体的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代沟栅场截止（TFS）技术，可提高PFC转换器、电焊机、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等中高速应用设计的能效和性能。该系列还包括符合AEC-Q101 Rev. D标准的汽车级产品。
2019-05-14 11:38:533363 本文档的主要内容详细介绍的是MSP430F5529输出占空比为0.35频率为20KHZ的PWM的程序免费下载。
2019-07-02 08:00:0023 在220V单相家用便携式焊机应用中，大部分设计是使用650V IGBT单管制作逆变电源，开关频率最高可以到50kHz，如果采用软开关技术，开关频率还能更高，也有使用650V硅基MOSFET为功率器件
2020-03-31 15:32:383409 英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET，标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504268 TRENCHSTOP IGBT7现在提供TO-247封装，电流等级为20-75A。 TRENCHSTOP IGBT7带来更高的击穿电压（650V）、一流的性价比和效率，实现简单的即插即用解决方案
2020-10-22 09:33:303193 650 V 场截止 IGBT 如何帮助将厨房烹饪提升到一个全新的水平。 电磁炉制造商正在努力增加最大功率并减少烹饪时间，同时实现高系统效率以满足严格的能源之星标准。 这些趋势对选择合适的 IGBT 提出了新的要求，这些 IGBT 是感应加热系统中的关键
2021-06-01 14:56:251831 
东芝电子元件及存储装置株式会社（东芝）宣布，在其TOLL（TO-无引线）封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 
ADP1614：650 kHz /1.3 MHz、4 A、升压PWM DC-DC开关转换器
2021-03-18 20:27:453 ，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。 IGBT混搭SiC SBD续流二极管，在硬换流的场合，至少有两个主要优势： 没有Si二极管的反向恢复
2021-03-26 16:40:202349 
。本文将介绍大功率IGBT模块ST20在风电应用中的优势。 1.背景 1.1 风电大功率趋势 风电大兆瓦时代已经来临，尤其是海上风电。众所周知，海上风电机组不论是施工难度还是投资额度均远高于陆上，若规划相同规模风场，机组单机容量的增
2021-10-19 18:09:033728 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29540 
现在主流400V架构中，电驱动的功率管主要采用IGBT器件，但IGBT耐压值通常不高于650V，基本不能用于800V架构。即便采用超级结工艺的高耐压IGBT，工作电压也不超过900V，而且成本高不说，其体积也要比普通IGBT大很多，这无疑为车内空间布置及散热设计带来困难。
2022-08-17 11:12:303878 电子发烧友网站提供《使用蓝牙制作20khz信号发生器.zip》资料免费下载
2023-02-06 14:42:350 ROHM最近新推出650V耐压IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速开关型）”共21种机型，该系列产品同时实现了业界顶级的低传导损耗和高速开关特性，并大大减少了开关时的过冲。
2023-02-09 10:19:25724 
20khz 超声波电源发生器该控制电路包括信号发生器、功率放大器、电源、功率匹配电路、控制面板、继电器以及超声波换能器，其中，超声波信号发生器分别连接所述电源和功率放大器，所述信号发生器产生超声波
2023-03-03 10:33:46319 
20khz 60W超声波清洗换能器振子是能量传递件，将输入220V电压和电功率转换成机械功率传递到不锈钢板，在水里面产生无数的水波，水波对工件进行无数次的冲刷达到清洁的效果。超声波清洗换能器振子主要
2023-03-06 17:10:05310 
RJP65T43DPQ-A0 数据表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-03-22 18:36:590 RJP65T54DPM-A0 数据表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-03-23 19:10:100 RJH65D27BDPQ-A0 数据表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-24 18:53:250 Nexperia | 用于汽车和工业的650V超快恢复整流管
2023-05-24 12:16:57300 润新微电子（Runxin Microelectronics）荣幸推出了最新一代的650V GaN功率晶体管（FET），该产品具备卓越的性能和广泛的应用领域。 产品特点： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34698 新品EVAL-IHW65R62EDS06J这块感应加热半桥评估板采用新一代650V逆导型R6系列IGBT和SOI技术的EiceDRIVERIGBT驱动器，产品针对100kHz的谐振开关应用感应
2022-03-01 09:32:40559 
RJP65T43DPQ-A0 数据表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-07 20:26:120 RJP65T54DPM-A0 数据表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-07-10 19:00:430 RJH65D27BDPQ-A0 数据表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-10 20:42:510 圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:27522 
一：方案名称PWM调光频率20KHz以内，共阳极控制高辉无频闪调光方案FP7125/FP7122/FP7123二：方案品牌远翔FEELING（雅欣）三：方案特点①工作电压范围：8V-100V②调光
2021-10-18 13:57:251124 
SP9683高频准谐振、集成650V氮化镓功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271010 
供应40A、650V新能源绝缘栅双极型晶体管SGTP40V65SDB1P7，提供SGTP40V65SDB1P7关键参数，更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-08-01 16:18:473 供应SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆变器igbt-三相igbt逆变电源，提供SGTP75V65SDS1P7关键参数，更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-08-02 17:12:195 IGBT 作为一种功率半导体器件，广泛应用于工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。IGBT 具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点，是能量转换和传输的核心装置。瑞能的650V IGBT产品在电性能和可靠性等方面具备诸多优势，在行业内也处于领先地位。
2023-12-26 13:31:35276 
本次推出的产品主要为50A 650V TO-247封装IGBT单管；
2024-03-15 14:26:07189 
近日，国内半导体功率器件领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称“扬杰科技”）再度刷新业界认知，推出了一款专为光伏储能充电桩等高频应用而设计的50A 650V TO-247封装IGBT单管产品
2024-03-16 10:48:19565
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