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电子发烧友网>汽车电子>ROHM新推基于AEC-Q101标准的四款车载用1200V耐压IGBT“RGS系列”

ROHM新推基于AEC-Q101标准的四款车载用1200V耐压IGBT“RGS系列”

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罗姆推车1200V耐压IGBT 应对电动汽车需求

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车规级AEC-Q认证技术的发展及标准的进化

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2023-09-06 17:48:451376

AEC-Q101功率循环测试 简介

功率循环测试-简介功率循环测试是一种功率半导体器件的可靠性测试方法,被列为AEC-Q101与AQG-324等车规级测试标准内的必测项目。相对于温度循环测试,功率循环通过在器件内运行的芯片发热使器件
2023-09-10 08:27:592842

MOSFET符合AEC-Q101标准 采用小型有引脚和无引脚DFN的SMD封装

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2023-09-26 15:36:081

国星光电SiC-MOSFET器件获得AEC-Q101车规级认证

是车规元器件重要的认证标准之一。对于1200V耐压器件,AEC-Q101在H3TRB(高温高湿反偏试验)考核标准耐压通常为100V。而在HV-H3TRB(高压高温高
2023-10-24 15:52:321851

国星光电的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功获得AEC-Q101车规级认证

1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二极管)器件获AEC-Q101车规级认证后
2023-10-25 18:28:101484

AEC-Q100 H版标准学习

经过10 多年的发展,AEC-Q-100 已经成为汽车电子系统的通用标准。在AEC-Q-100 之后又陆续制定了针对离散组件的AEC-Q-101 和针对被动组件的AEC-Q-200 等规范,以及AEC-Q001/Q002/Q003/Q004 等指导性原则。
2023-11-13 16:16:542760

蓉矽半导体1200V SiC MOSFET通过车规级可靠性认证

蓉矽半导体近日宣布,其自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET产品NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核。这一里程碑式的成就不仅彰显
2024-03-12 11:06:301587

蓉矽半导体SiC MOSFET通过AEC-Q101车规级考核和HV-H3TRB加严可靠性验证

蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核,同时通过了新能源行业头部厂商的导入测试并量产交付。
2024-03-12 17:18:212547

SGS为安芯电子、安美半导体颁发了AEC-Q101认证证书

2024年3月22日, 国际公认的测试、检测和认证机构SGS为安芯电子科技股份有限公司(以下简称“安芯电子”)及其子公司安徽安美半导体有限公司(以下简称“安美半导体”)颁发了AEC-Q101认证证书。
2024-03-22 18:21:552152

SGS为华微电子颁发AEC-Q101认证证书

近日,国际公认的测试、检验和认证机构SGS(以下简称为“SGS”)为吉林华微电子股份有限公司(以下简称为“华微电子”)颁发AEC-Q101认证证书。
2024-03-22 18:25:561834

瞻芯电子推出一车规级1200V SiC三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z

近日,瞻芯电子正式推出一车规级1200V 碳化硅(SiC)三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z,该模块产品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分别获得了AQG324与AEC-Q101车规级可靠性认证。
2024-04-07 11:37:323562

1200V 15A沟槽和场阻IGBT JJT15N120SE数据手册

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2024-04-10 15:23:450

1200V 25A沟槽和场阻IGBT JJT25N120SE数据手册

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2024-04-10 16:59:080

1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120HE数据手册

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2024-04-10 17:11:310

1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120SE数据手册

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2024-04-10 17:14:080

1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120UE数据手册

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2024-04-10 17:16:100

1200V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N120HA数据手册

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2024-04-10 18:02:380

1200V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N120SA数据手册

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2024-04-10 18:05:173

雷卯解析AEC-Q101AEC-Q200

雷卯解析AEC-Q101AEC-Q200
2024-06-12 08:02:582253

瞻芯电子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通过车规级可靠性测试认证

近日,上海瞻芯电子科技股份有限公司(简称“瞻芯电子”)基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品(IV3Q12013T4Z)通过了车规级可靠性(AEC-Q101)测试
2024-06-24 09:13:201947

车载SiC MOSFET又增10个型号,业界丰富的产品阵容!

ROHM面向xEV车载充电器和DC/DC转换器,又推出10SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET 【 关键词 】 满足汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101SiC MOSFET
2024-08-25 23:30:22762

基本半导体碳化硅MOSFET通过AEC-Q101车规级认证

近日,基本半导体自主研发的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H顺利通过AEC-Q101车规级可靠性认证,产品性能和可靠性满足汽车电子元器件在极端环境下的严苛要求,至此公司获车规级认证的碳化硅功率器件产品家族再添一员。
2024-09-13 10:20:191573

ROHM推出第1200V IGBT

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等应用,开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*1、1200V耐压、实现了业界超低损耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。
2024-11-13 13:55:451374

深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模块

本文介绍了为工业应用设计的第8代1800A/1200V IGBT功率模块,该功率模块采用了先进的第8代IGBT和二极管。与传统功率模块相比,该模块采用了分段式栅极沟槽(SDA)结构,并通过可以控制
2024-11-14 14:59:192867

多芯片组件AEC-Q104规范

)、AEC-Q101(离散组件)、AEC-Q200(被动组件)。而AEC-Q102(离散光电LED)、AEC-Q104(多芯片组件)为近期较新的汽车电子规范。AEC测试条件虽然
2024-11-21 16:41:561792

森国科推出全新1200V/25A IGBT

森国科推出的1200V/25A IGBT(选型:KG025N120LD-R)适用于逆变焊机、不间断电源和电磁加热器等方面。新款IGBT的鲁棒性和耐用性极强,当实际电流是标准电流的倍时无闩锁效应,短路时间极短,仅5μs,最大工作结温扩大到175℃,有助于延长产品的使用寿命。
2024-12-04 16:16:281123

AEC-Q101标准下的分立半导体器件认证

电子部件标准,其成员包括全球的汽车制造商、电子模块生产商和元器件供应商。AECQ101标准简述AECQ101标准是一套针对汽车离散半导体元件的可靠性测试和认证标
2024-12-23 17:29:481190

AEC-Q101——HAST试验介绍

C-Q101-2021标准在汽车行业中,电子器件的可靠性直接关系到车辆的性能和乘客的安全。随着汽车电子化程度的不断提高,对电子器件的质量和可靠性要求也越来越高。AEC-Q101-2021标准应运而生
2025-01-09 11:04:301467

新品 | 针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACK™ CoolSiC™ 1200V和硅基模块

新品针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模块英飞凌推出针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACK2B模块,采用六单元配置,通过AQG324认证。一个模块采用
2025-07-31 17:04:34837

Nexperia推出符合AEC-Q101标准的新款100V MOSFET

Nexperia(安世半导体)近日宣布推出符合AEC-Q101标准的新款100 V MOSFET,采用紧凑型CCPAK1212(12 x 12毫米)铜夹封装。此款器件具有超低导通损耗,导通电
2025-09-18 18:19:141112

6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC栅极驱动器解析

6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC栅极驱动器解析 在电力电子领域,栅极驱动器是驱动功率半导体器件(如IGBT和SiC MOSFET)的关键组件。今天我们来详细探讨英飞凌
2025-12-20 14:25:02660

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