全新60W GaN HEMT Psat晶体管帮助降低军用和民用雷达系统,对于高功率放大器尺寸、重量以及散热的要求
2012-07-10 09:36:52
1380 电子设备及仪器使用的电子元器件,一般需要在长时间连续通电的情况下工作,并且受到环境条件(温度和湿度等)的变化和各种其它因素的影响,(如是在煤矿井下恶劣的条件下工作)因此要求它必须具有高的可靠性
2018-09-04 09:39:51
15576 接着我们必须保持工作点的变化足够小,以确保小信号近似法有效。同样,大家的反应仍然是“你爱咋说就咋说吧”。最后,我们必须用电容进行交流耦合和去耦。现在甚至连“你爱咋说就咋说吧”的反应都没有了。我试图通过粗略地分析图1所示的电路来证明上述观点,但意识到我的努力是多么的无意义,只好无奈地说,今天的课就到这儿吧。
2020-09-24 11:54:16
1841 
晶体管并联时,当需要非常大的电流时,可以将几个晶体管并联使用。因为存在VBE扩散现象,有必要在每一个晶体管的发射极上串联一个小电阻。电阻R用以保证流过每个晶体管的电流近似相同。电阻值R的选择依据
2024-01-26 23:07:21
管的E极接A点,C极接B点;NPN管的E有接B点,C极接A点)后,调节电源电压,当发光二极管LED点亮时,A、B两端之间的电压值即是晶体管的反向击穿电压。(本文由Cogo商城-IC元器件在线采购平台
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改变晶体管的放大倍数?有的器件有放大倍数改变的参数。另外,不同的仿真模型参数不同如何改变?
2014-02-28 08:42:03
晶体管的主要参数有哪些?晶体管的开关电路是怎样的?
2021-06-07 06:25:09
本篇开始将为大家介绍“Si晶体管”。虽然统称为“Si晶体管”,不过根据制造工艺和结构,还可分为“双极”、“MOSFET”等种类。另外,还可根据处理的电流、电压和应用进行分类。下面以“功率元器件”为主
2018-11-28 14:29:28
的电流、电压和应用进行分类。 下面以“功率元器件”为主题,从众多晶体管中选取功率类元器件展开说明。其中,将以近年来控制大功率的应用中广为采用的MOSFET为主来展开。 先来看一下晶体管的分类与特征
2020-06-09 07:34:33
控制大功率现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率,使用功率晶体管作为开关有很多优点,主要是;(1)容易关断,所需要的辅助元器件少,(2)开关迅速,能在很高的频率下工作,(3)可得到的器件耐压范围从
2018-10-25 16:01:51
晶体管概述的1. 1948年、在贝尔电话研究所诞生。1948年,晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且,正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首,电子技术取得急速
2019-05-05 00:52:40
)用业收集电子。晶体管的发射极电流IE与基极电流IB、集电极电流IC之间的关系如下:IE=IB+IC3.晶体管的工作条件晶体管属于电流控制型半导体器件,其放大特性主要是指电流放大能力。所谓放大,是指当
2013-08-17 14:24:32
;nbsp; 晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关,基于输入的电压,控制流出的电流,因此晶体管可做为
2010-08-12 13:57:39
详情IB0912M500是一款高功率脉冲晶体管器件,专为在0.960-1.215 GHz瞬时带宽内工作的系统而设计。 在规定的脉冲条件下工作在C类模式且VCC = 50V时,该公共基极器件提供至少
2019-09-19 14:09:23
`IB0912M600是一种高功率脉冲晶体管器件,设计用于在0.960-1.215 GHz瞬时带宽上运行的系统。 当在规定的脉冲条件下且VCC = 50V时以C类模式工作时,该通用基本设备可提供至少
2021-04-01 09:41:49
`IB0912M600是一种高功率脉冲晶体管器件,设计用于在0.960-1.215 GHz瞬时带宽上运行的系统。 当在规定的脉冲条件下且VCC = 50V时以C类模式工作时,该通用基本设备可提供至少
2021-04-01 10:29:42
电压(与功率MOSFET的低导通电阻相当)和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性,但仍比不上功率MOSFET,这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特点
2019-05-06 05:00:17
在本文中,我们将探讨 MOSFET 和鳍式场效应晶体管的不同器件配置及其演变。我们还看到 3D 配置如何允许每个集成电路使用更多晶体管。 平面与三维 (3D) 平面MOSFET(图1)在Lg
2023-02-24 15:20:59
型掺杂半导体材料隔开。PNP晶体管中的大多数电流载流子是空穴s,而电子是少数电流载流子。施加到PNP晶体管的所有电源电压的极性都是反转的。电流在PNP中吸收到基极,由于PNP是电流控制器件,适度的基极
2023-02-03 09:44:48
众所周知,像硅双极晶体管等一些晶体管能够在其中一些半导体单元因短路或负载失配等原因损坏时继续工作。因此,将一个器件定义为“耐用晶体管”可能没有清晰的界限。对硅LDMOS晶体管的耐用性测试通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替,MFR151管子能用哪个来代替?或是谁有这两个高频管子的原件库?求大神指教
2016-10-26 11:51:18
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶体管是通常用于放大器或电控开关的半导体器件。晶体管是调节计算机、移动电话和所有其他现代电子电路运行的基本构件。由于其高响应和高精度,晶体管可用于各种数字和模拟功能,包括放大器、开关、稳压器、信号
2023-02-03 09:36:05
相当高的总电流增益。输出晶体管的最大集电极电流决定了输出晶体管对的最大集电极电流,可以是 100 安培或更高。需要的物理空间更少,因为晶体管通常封装在一个器件中。另一个优点是整个电路可以具有非常高
2023-02-16 18:19:11
电场控制材料的电导率。 鳍式场效应晶体管是一种非平面器件,即不受单个平面的限制。它也被称为3D,因为具有第三维度。 为避免混淆,必须了解不同的文献在提及鳍式场效应晶体管器件时使用不同的标签
2023-02-24 15:25:29
各位高手,小弟正在学习单结晶体管,按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真,大多数都不成功,请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊,可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
和集电极之间具有无限电阻,当它完全打开时,发射极和集电极之间的电阻为0,导致电流流到最大。 实际上,当晶体管在截止时(即完全关闭时)运行时,我们将有少量漏电流。另一方面,当在饱和区域工作时,该器件具有低
2023-02-20 16:35:09
本应用指南介绍了一种采用后向设计的基本驱动电路,它从输出晶体管器件开始再返回到水平振荡器,便于加速晶体管的水平输出级。
2014-09-22 17:14:04
什么是微波功率晶体管?如何提高微波功率晶体管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
来至网友的提问:如何选择分立晶体管?
2023-11-24 08:16:54
总结:
无刷美甲机更加高效稳定顺滑,而有刷磨甲机的性价比会高一些,比较适合大众。无刷磨甲机是通过电子控制器直接控制电机旋转子,实现能量传递,使转子旋转。其中,电子控制器采用的是电子晶体管器件,通过对转
2024-10-17 16:01:34
谁能提供一个sdADC的设计电路,给出了详细的晶体管器件尺寸。如果哪个paper中有如此详细的电路,欢迎提供,不甚感激。
2021-06-25 07:26:09
晶体管的代表形状晶体管分类图:按照该分类,掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类,分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi(2个)、极是指Polar(极性)。双极晶体管,即流经构成
2019-05-05 01:31:57
端上的每个开关实现表1中并联的两个晶体管器件。图 5:采用 GaN 的 3KW 500kHz LLC 谐振转换器的损耗和效率与 Si 和 SiC 的关系图5显示了所有晶体管均为500KHz的3KW半桥
2023-02-27 09:37:29
和高频场效应晶体管(FET)。WBG 材料以其优异的电学特性,如 GaN 和碳化硅(SiC) ,克服了硅基高频电子器件的局限性。更重要的是,WBG 半导体可用于可扩展的汽车电气系统和电动汽车(电动汽车
2022-06-15 11:43:25
电子产品中,近年来逐渐被晶体管和集成电路所取代,但目前在一些高保真音响器材中,仍然使用电子管作为音频功率放大器件。 而晶体管是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多
2016-01-26 16:52:08
的半导体开关器件。IGBT 晶体管采用了这两种类型的晶体管的最好的部分,高输入阻抗和高开关速度的 MOSFET 与低饱和电压的双极性晶体管,并结合在一起,产生另一种晶体管开关设备,能够处理大集
2022-04-29 10:55:25
六大诀窍着手。二、场效应晶体管选择的六大诀窍1、沟道类型选择好场效应晶体管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道场效应晶体管。在典型的功率应用中,当一个场效应晶体管接地,而负载连接到干线电压上时,该场效应晶体管
2019-04-02 11:32:36
光晶体管光晶体管(phototransistor)由双极型晶体管或场效应晶体管等三端器件构成的光电器件。光在这类器件的有源区内被吸收,产生光生载流子,通过内
2009-11-05 11:58:20
2356 自晶体管器件诞生后,电子仪器及设备的直流供电大都由晶体管稳压电源来承担。从远离上看,已经使用多年的这
2010-11-09 18:08:01
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随着科学技术的发展,集成电路的集成密度不断地在提高,MOS晶体管器件的尺寸也逐年缩小, 当MOS管的沟道长度小到一定值之后,出现的短沟道效应将对器件的特性产生影响
2011-07-04 10:29:59
5777 
2012-10-11 10:20:31
10 中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室的研究人员利用原子力针尖诱导的局域催化还原反应,实现了在单层氧化石墨烯上直接绘制纳米晶体管器件。相关研究成果日前在线发
2012-11-23 09:29:30
1638 改进型模拟PUT(可编程单结晶体管)器件振荡器原理图都是值得参考的设计。
2016-05-11 17:11:44
14 模拟PUT(可编程单结晶体管)器件振荡器原理图都是值得参考的设计。
2016-05-11 17:11:44
16 模拟PUT(可编程单结晶体管)器件双稳态电路原理图都是值得参考的设计。
2016-05-11 17:11:44
16 基础的电子类资料,工程师必备文档,快来下载学习吧
2016-07-20 15:48:57
0 基础的电子类资料,设计和开发必备资料,快来下载学习吧。
2016-09-27 18:23:47
13 基础的电子类资料,设计和开发必备资料,快来下载学习吧。
2016-09-27 18:23:47
16 基础的电子类资料,开发和设计必备资料,快来下载学习吧
2016-10-09 15:03:30
10 案例与到会的相关技术人员进行了深入的探讨和交流。 作为本次研讨会的主办方之一,英飞凌 IFX市场和商务拓展经理闫志国介绍了基于英飞凌全新的50V LDMOS工艺技术的PTVA系列高功率晶体管。该系列产品是目前全球同类产品中极具技术和市场优势的大功率晶体管器件,可用于商业
2017-12-06 15:38:02
495 三十多年来,本本体硅(bulk silicon)MSOFET工艺一直是晶体管器件所采用的主要CMOS工艺。我们非常热衷于从缩小晶体管来提高密度和性能。在相同的成本上具有更快的速度、更大的内存,是一件
2019-05-17 08:22:00
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总体说来,凡是实际使用中的有源电路中往往都有半导体晶体管。在形形色色的电子世界中,晶体管是绝大部分电路功能的实现者,是电子电路设计者必须掌握的基本要素。只有正确地理解掌握了基本的电路器件,才能设计出
2018-08-30 16:59:29
0 集成电路发展经历了电路集成、功能集成、技术集成,直至今天基于计算机软硬件的知识集成,这标志着传统电子系统已全面进入现代电子系统阶段,这也被誉为进入3G时代,即单片集成度达到1G个晶体管、器件工作速度达到1GHz、数据传输速率达到1Gbps。
2018-11-19 08:26:00
2838 一块晶圆经过数个月的加工,在指甲盖大小的空间中集成了数公里长的导线和数以亿计的晶体管器件,经过测试,品质合格的晶片会被切割下来,剩下的部分会报废掉。千挑万选后,一块真正的芯片就这么诞生了。
2018-09-08 10:41:53
112233 本文设计了一种工作在1.8GHz 的F 类功率放大器,使用LDMOS 晶体管作为有源器件以便产生高功率和高效率。F 类放大器通过对不同的谐波进行调谐来峰化漏极电压和电流的波形,漏极电压波形包含一个或
2018-12-21 16:50:30
4 电力晶体管器件属于功率半导体类别,如高压二极管、瞬变二极管、二极管整流桥、MOSFET、IGBT等,多年来市场需求、产品价格稳健。虽然会受到行业周期、中美贸易摩擦的影响,但是市场总体波动不大,发展前景广阔。
2019-10-07 15:52:00
6398 本文首先阐述了晶体管的概念,其次介绍了晶体管的优越性,最后阐述了晶体管的控制方式。
2020-03-14 09:47:12
13941 总体说来,凡是实际使用中的有源电路中往往都有半导体晶体管。在形形色色的电子世界中,晶体管是绝大部分电路功能的实现者,是电子电路设计者必须掌握的基本要素。只有正确地理解掌握了基本的电路器件,才能设计出
2020-05-25 08:00:00
10 双极性晶体管(英语:bipolar transistor),全称双极性结型晶体管(bipolar junction transistor, BJT),俗称三极管,是一种具有三个终端的电子器件,由三部分掺杂程度不同的半导体制成,晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。
2020-08-07 16:37:36
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随着摩尔定律接近极限,传统的晶体管器件已进入发展瓶颈。如何利用新原理、新结构和新材料来解决和优化传统半导体器件中的尺寸微缩和能耗等问题,是后摩尔时代半导体技术的发展重点。 南京大学电子工程学院的王肖
2020-08-27 11:23:21
1365 本期分享的科研成果来自南京大学-浙江大学联合研制的新型能谷晶体管器件,该器件可以在完全不加电压的情况下工作,在非常低的电流下也能够实现很大的输出信号的调控。如此神奇的固态量子器件究竟如何工作?请随
2020-09-26 09:42:35
3115 总体说来,凡是实际使用中的有源电路中往往都有半导体晶体管。在形形色色的电子世界中,晶体管是绝大部分电路功能的实现者,是电子电路设计者必须掌握的基本要素。只有正确地理解掌握了基本的电路器件,才能设计出
2020-09-30 08:00:00
7 这些器件表现出了优异的特性:晶体管器件密度可达 1518 个 / 平方厘米,成品率高达 97%,是目前已报道结果中最高指标;单个器件也表现出较好的电学性能和柔韧性。
2020-10-23 14:35:51
5245 逻辑芯片产业正朝着晶体管结构的根本性变革迈进。今天的晶体管,称为FinFET,将会让位于被称为纳米片晶体管、多桥沟道FET和栅极全能晶体管的器件。除了制造性能更好、体积更小的晶体管的动力之外,纳米片
2021-03-07 10:01:33
2910 晶体管是器件中提供开关功能的关键组件。几十年来,基于平面晶体管的芯片一直畅销不衰。走到20nm时,平面晶体管开始出现疲态。为此,英特尔在2011年推出了22nm的FinFET,之后晶圆厂在16nm/14nm予以跟进。
2021-03-22 11:35:24
3113 西电刘艳团队于IEEE EDL四月刊发布了基于静电掺杂的铁电晶体管器件,相比化学掺杂工艺,其具有非挥发、可重构、轻掺杂漏极、高源漏掺杂浓度、低源漏电阻等优良特性,对于先进集成电路工艺微缩和后摩尔新型
2021-04-15 15:11:06
2345 
据悉,该项研究成果为未来亚纳米器件功能原理探索拓展了思路,证明了亚纳米信息器件中,信息的传输行为有不同的可能性和丰富的潜在功能,为强关联物理现象(非常规超导、量子临界等)的研究提供了新的平台。
2021-04-25 09:07:24
2441 中科院微电子所近期发表了先导工艺研发中心团队在垂直纳米环栅器件领域获得的最新进展,该类型器件通过在垂直方向构建晶体管结构,大大减少了器件占用面积,在3nm以下先进集成电路制造工艺领域极具应用潜力
2021-06-04 11:16:23
4638 
模拟可编程单结晶体管器件振荡器设计
2021-06-27 10:31:36
28 低沉积温度下具有高电子迁移率,非常适用于柔性显示和有机发光二极管器件,作为一种新的半导体层取代了薄膜晶体管中使用的非晶硅半导体,在表征方面取得了重大进展。氧化锌的湿法图形化是大规模生产氧化锌薄膜晶体管器件的另一个
2022-01-06 13:47:53
952 引言 氧化锌(ZnO)半导体由于在低沉积温度下具有高电子迁移率,非常适用于有机发光二极管器件。其作为一种新的半导体层取代了薄膜晶体管中使用的非晶硅半导体,在表征方面取得了重大进展。氧化锌的湿法图形化
2022-01-14 13:15:45
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晶体管简介
晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如
2022-02-09 12:34:23
2 直流电机脉冲宽度调制(Pulse Width Modulation-简称PWM)调速产生于20世纪70年代中期,最早用于自动跟踪天文望远镜、自动记录仪表等的驱动,后来由于晶体管器件水平的提高及电路
2022-04-22 16:43:18
6259 客户还可以将 R-Car V3U 与瑞萨的高性能、低功耗 RH850 微控制器、集成电源管理 IC 和功率晶体管器件相结合,以访问其 ADAS 和 AD ECU 所需的所有关键组件。我们正在准备获胜组合以支持 R-Car V3U 并为客户提供完整的系统解决方案。
2022-04-29 15:36:04
1906 
从 70 年代下半叶开始,电源管理应用的主导技术是基于 MOSFET(金属氧化物硅场效应晶体管)器件,在效率和成本降低方面不断取得进步和改进。然而,随着第三个千年的到来,新解决方案和对现有技术的改进
2022-08-09 09:26:59
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总体说来,凡是实际使用中的有源电路中往往都有半导体晶体管。在形形色色的电子世界中,晶体管是绝大部分电路功能的实现者,是电子电路设计者必须掌握的基本要素。只有正确地理解掌握了基本的电路器件,才能设计出
2022-09-20 14:23:11
11 总体说来,凡是实际使用中的有源电路中往往都有半导体晶体管。在形形色色的电子世界中,晶体管是绝大部分电路功能的实现者,是电子电路设计者必须掌握的基本要素。只有正确地理解掌握了基本的电路器件,才能设计出
2022-12-20 16:38:28
6 GaN功率晶体管:器件、技术和可靠性详解
2022-12-21 16:07:11
978 负载效应 (loading) 的控制对良率和器件性能有重大影响,并且它会随着 FinFET(鳍式场效应晶体管)器件工艺的持续微缩变得越来越重要[1-2]。当晶圆的局部刻蚀速率取决于现有特征尺寸和局
2023-01-06 10:48:36
1944 针对此问题,微电子所刘明院士团队制备了基于p型和n型有机分子构成的单晶电荷转移界面的晶体管器件,探究了电荷转移界面以及栅氧界面电场的相互作用对晶体管工作时载流子及电导分布特性的影响。
2023-01-13 15:19:38
1088 大功率晶体管是指在高电压、大电流的条件下工作的晶体管。一般被称为功率器件,属于电力电子技术(功率电子技术)领域研究范畴。其实质就是要有效地控制功率电子器件合理工作,通过功率电子器件为负载提供大功率的输出。
2023-03-01 09:39:24
2250 总体说来,凡是实际使用中的有源电路中往往都有半导体晶体管。在形形色色的电子世界中,晶体管是绝大部分电路功能的实现者,是电子电路设计者必须掌握的基本要素。只有正确地理解掌握了基本的电路器件,才能设计出
2023-03-24 13:53:19
40 晶体管是什么控制型器件 晶体管属于电流控制电流控制型器件。 晶体管是一种固体半导体器件(包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等,有时特指双极型器件),具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种
2023-05-30 15:32:36
4916 基本的电路器件,才能设计出符合目的的,功能正常、性能可靠的电路。在电子世界飞速发展的今天,掌握基本器件是正确、可靠地使用集成器件所必须的辅助条件。本文将列出几种最常用的晶体管器件进行简介。
在硅[Si]、锗[
2023-07-18 17:34:05
5 有机发光晶体管(OLETs)是兼具有机场效应晶体管(OFETs)和有机发光二极管(OLEDs)功能的小型化光电集成器件,具有制备工艺简单、集成更容易等优势,被认为是实现下一代变革性新型显示技术的重要
2023-11-08 09:14:42
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IGBT的低电磁干扰特性 IGBT是一种在功率电子领域中常用的晶体管器件。它由一个IGBT芯片和一个驱动电路组成,用于控制高电压和高电流的开关操作。相比于MOSFET,IGBT具有更低的导通压降
2024-01-04 14:30:50
1693 近日,西安电子科技大学郝跃院士团队刘艳教授和罗拯东副教授在超陡垂直晶体管器件研究方面取得重要进展,相
2024-02-20 18:22:20
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、特性和应用。下面将详细介绍这些内容,以帮助您更好地了解和选择BJT和FET。 一、晶体三极管 (BJT) 1. 工作原理: 晶体三极管是一种由三个不同类型的半导体材料(P型、N型或P型)组成的双极型晶体管器件。它由一个基区、一个发射区和一个收集
2024-03-06 14:22:33
3246 电子的世界,探寻这些神奇的“心脏”如何为变频风扇注入源源不断的动力。02在变频风扇的众多核心部件中,MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件扮演着至关重要
2024-06-01 08:36:44
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晶体管和场效应管是两种非常重要的电子控制器件,它们在现代电子技术中发挥着关键作用。 一、晶体管 晶体管的工作原理 晶体管是一种半导体器件,主要由两个PN结组成。根据PN结的连接方式,晶体管可以分为
2024-08-01 09:14:48
1600 场效应晶体管)器件的厚度对电阻的影响主要体现在以下几个方面: 一、氧化层厚度对电阻的影响 栅氧化层厚度 : 影响栅电容 :栅氧化层的厚度直接影响栅电容的大小。较厚的栅氧化层可以减少栅电容,从而提高器件的开关速度
2024-09-29 09:47:49
1340 纳米技术是一个高度跨学科的领域,涉及在纳米尺度上精确控制和操纵物质。集成电路(IC)作为已经达到纳米级别的重要技术,对社会生活产生了深远影响。晶体管器件的关键尺寸在过去数十年间不断缩小,如今已经接近
2025-03-04 09:43:08
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2010年,爱尔兰 Tyndall 国家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三栅无结场效应晶体管,器件结构如图1.15所示。从此,半导体界兴起了一股研究无结场效应晶体管的热潮,每年的国际
2025-05-19 16:08:13
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现有的晶体管都是基于 PN 结或肖特基势垒结而构建的。在未来的几年里,随着CMOS制造技术的进步,器件的沟道长度将小于 10nm。在这么短的距离内,为使器件能够工作,将采用非常高的掺杂浓度梯度。
2025-06-18 11:43:22
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