碳化硅功率器件,助力OBC提升功率密度降低重量,让新能源汽车充电更快,续航更长
2022-09-23 18:31:407176 二十多年来,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作为一种宽禁带功率器件,受到人们越来越多的关注。与硅相比,碳化硅具有很多优点,如:碳化硅的禁带宽度更大,这使碳化硅器件拥有更低的漏电
2022-11-12 10:01:261315 科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破,为更多大功率应用带来更高效率和更低成本,包括1700V碳化硅MOSFET器件在内的科锐大功率碳化硅MOSFET器件降低电力电子系统成本并提升能效
2012-05-10 09:27:161086 碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点,被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料
2020-09-24 16:22:14
本文重点介绍赛米控碳化硅在功率模块中的性能,特别是SEMITRANS 3模块和SEMITOP E2无基板模块。 分立器件(如 TO-247)是将碳化硅集成到各种应用中的第一步,但对于更强大和更
2023-02-20 16:29:54
一样,可以制成结型器件、场效应器件、和金属与半导体接触的肖特基二极管。 其优点是: (1)碳化硅单载流子器件漂移区薄,开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻,碳化硅功率器件
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言,该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量,并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值,对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07
。 功率半导体就是这样。在首度商业化时,碳化硅的创新性和较新的颠覆性技术必然很昂贵,尽管认识到了与硅基产品(如IGBT和Si-MOSFET)相比的潜在优势,大多数工程师还是把它放在了“可有可无”的清单
2023-02-27 14:28:47
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员!附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表,欢迎大家选购!碳化硅(SiC)半导体材料是自第一代元素半导体材料(Si、Ge)和第二代化合物半导体材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能,碳化硅是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
和发电机绕组以及磁线圈中的高关断电压。 棒材和管材EAK碳化硅压敏电阻 这些EAK非线性电阻压敏电阻由碳化硅制成,具有高功率耗散和高能量吸收。该系列采用棒材和管材制造,外径范围为 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
超过40%,其中以碳化硅材料(SiC)为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计,2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
上,对介电常数要求严格,虽然有低温共烧陶瓷,仍然无法满足他们的要求,需要一种性能更好的升级产品,建议可以使用富力天晟的碳化硅基板;因应汽车需求而特别开发的产品(如IC 载板、软板、银胶贯孔等),也在向
2020-12-16 11:31:13
电磁性。因碳化硅是一种共价键化合物,原子间结合的键很强,它具有以下一些独特的性能,因而得以广泛应用。1)高熔点。关于碳化硅熔点的数据.不同资料取法不一,有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不过,自1893 年以来,粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料,为什么应用的领域会受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特点及优势 碳化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一,其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例,其禁带宽度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(49W/mK)使功率半导体器件效率更高,运行速度更快
2023-02-28 16:34:16
用于一些高压、高温、高效率及高功率密度的应用场合。碳化硅(SiC)材料因其优越的物理特性,开始受到人们的关注和研究。自从碳化硅1824年被瑞典科学家Jns Jacob Berzelius发现以来,直到
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
科技有限公司TGF2023-2-10对碳化硅器件由DC至14 GHz的离散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益为19.8 dB的饱和输出功率。最大功率附加效率为
2018-06-12 10:22:42
TGF2023-2-10对碳化硅器件由DC至14 GHz的离散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益为19.8 dB的饱和输出功率。功率附加效率为69.5%,这使
2018-11-15 11:59:01
:TGF2954产品名称:碳化硅晶体管TGF2954产品特性频率范围:直流- 12 GHz44.5dBm nominal Psat at 3GHz71.6%在3 GHz的PAE19.6db标称功率增益在3
2018-11-15 14:01:58
:TGF2955产品名称:碳化硅晶体管TGF2955产品特性频率范围:直流- 12 GHz46.4dbm名义PSAT在3 GHz69%在3 GHz的PAE19.2db标称功率增益在3 GHz拜厄斯:VD = 32V
2018-11-15 14:06:57
通损耗一直是功率半导体行业的不懈追求。 相较于传统的硅MOSFET和硅IGBT 产品,基于宽禁带碳化硅材料设计的碳化硅 MOSFET 具有耐压高、导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低器件损耗、减小
2023-02-27 16:14:19
项目名称:基于碳化硅功率器件的永磁同步电机先进驱动技术研究试用计划:申请理由:碳化硅作为最典型的宽禁带半导体材料,近年来被越来越广泛地用于高频高温的工作场合。为了提高永磁同步电机伺服控制系统的性能
2020-04-21 16:04:04
处于领先地位。氮化镓功率半导体虽然适用性极高,但依然面临三项社会问题仅从物理特性来看,氮化镓比碳化硅更适合做功率半导体的材料。研究人员还将碳化硅与氮化镓的“Baliga特性指标(与硅相比,硅是1)相比
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的结构是如何构成的?
2021-06-18 08:32:43
效率方面,相较于硅晶体管在单极(Unipolar)操作下无法支持高电压,碳化硅即便是在高电压条件下,一样可以支持单极操作,因此其功率损失、转换效率等指针性能的表现,也显著优于硅组件。目前大功率电力设备
2021-09-23 15:02:11
的整体系统尺寸,更小的整体成本,高温下更高的可靠性,同时降低功率损耗。创能动力可提供碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模组和集成功率模组,用于太阳能逆变器、功率因数校正、电动车充电桩和高效率
2023-02-22 15:27:51
附件:嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
和高性能的碳化硅 MOSFET之间,在某些场合性价比更优于超结MOSFET和碳化硅MOSFET,可帮助客户在性能和成本之间取得更好的平衡,具有重要的应用价值,特别适用于对功率密度提升有需求,同时更强
2023-02-28 16:48:24
场效应管(Si MOSFET)以前从未考虑过的应用而变得更具有吸引力。 碳化硅MOSFET越来越多用于千瓦级功率水平应用,涵盖如通电源,和服务器电源,和快速增长的电动汽车电池充电器市场等领域。碳化硅
2023-03-14 14:05:02
)。给出了本设计主要参数指标,其中输出最大电流为35A,输出电压范围在300V-550之间。工作频率范围在150KHZ-400KHZ之间。目标最高效率超过98.4%,功率密度达到60瓦/立方英寸。碳化硅
2016-08-05 14:32:43
对于高压开关电源应用,碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
2021-02-22 07:32:40
采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列 产品型号 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2
2023-02-27 11:55:35
摘要: 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作为一种宽禁带器件,具有耐高压、高温,导通电阻低,开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题,解决各行业遇到的各种芯片散热问题,如果你有类似的困惑,欢迎前来探讨,铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热,高刚度,高耐磨,低膨胀,低密度,低成本,适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流,谢谢各位!
2016-10-19 10:45:41
范围-5V~-15V,客户根据需求选择合适值,常用值有-8V、-10V、-15V; · 优先稳定正电压,保证开通稳定。 2)碳化硅MOSFET:不同厂家碳化硅MOSFET对开关电压要求不尽相同
2023-02-27 16:03:36
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能,特别是在800 V 电池系统和大电池容量中,它可提高逆变器的效率,从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管。功率二极管包括结势垒肖特基(JBS)二极管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅,采用的是ICP系列设备,刻蚀气体使用的是SF6+O2,碳化硅上面没有做任何掩膜,就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IGBT 的三相电机半桥的高侧和低侧功率级,并能够监控和保护各种故障情况。图1:电动汽车牵引逆变器框图碳化硅 MOSFET 米勒平台和高强度栅极驱动器的优势特别是对于SiC MOSFET,栅极驱动器IC
2022-11-02 12:02:05
黑碳化硅基础知识
黑碳化硅是以石英砂,石油焦为主要原料,通过电阻炉高温冶炼而成
黑碳化硅是以石英砂,石油焦为主要原料,通过电阻
2009-11-17 09:37:27757 碳化硅功率器件市场领先者科锐公司 (Nasdaq: CREE) 继续其在碳化硅功率器件向主流功率应用的推广。与硅功率器件相比,科锐先进的碳化硅技术可降低系统成本、提高可靠性,并为能源效
2011-10-12 09:30:281118 可行性分析:2020年下半年,欧洲新能源汽车市场呈现爆发式增长,中国新能源汽车月产销量屡创新高,各国纷纷加强战略谋划、强化政策驱动,加速发展新能源汽车。
2021-01-08 10:35:052220 碳化硅器件总成本的50%,外延、晶圆和封装测试成本分别为25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性对最终器件的性能有着举足轻重的意义,基本半导体从产业链各环节探究材料特性及缺陷产生的原因,与上下游企业协同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:405267 基本半导体是国内比较早涉及第三代半导体碳化硅功率器件研发的企业,率先推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等器件,为业界熟知,并得到广泛应用。在11月27日举行的2021基本创新日活动
2021-11-29 14:54:087839 Agarwal 的播客中,我们将发现 SiC 的好处和应用。 讨论的文章: 改进碳化硅晶圆工艺 碳化硅功率模块建模 商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 的栅极漏电流行为研究 商用 1.2
2022-08-03 17:07:351385 来源:中国电子报 日前,国际碳化硅大厂安森美宣布,其在捷克Roznov扩建的碳化硅工厂落成,未来两年内产能将逐步提升。另一家碳化硅大厂Wolfspeed也表示将在美国北卡罗来纳州建造一座价值数十
2022-10-08 17:02:25873 碳化硅器件总成本的50%,外延、晶圆和封装测试成本分别为25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性对最终器件的性能有着举足轻重的意义,从产业链各环节探究材料特性及缺陷产生的原因,与上下游企业协同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:191191 SiC碳化硅功率半导体器件具有耐压高、热稳定好、开关损耗低、功率密度高等特点,被广泛应用在电动汽车、风能发电、光伏发电等新能源领域。 近年来,全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前
2023-01-13 11:16:441230 碳化硅原理是什么 碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物
2023-02-02 14:50:021981 汽车碳化硅技术原理图 相比硅基功率半导体,碳化硅功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在优势,随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后,更多的企业也开始落地碳化硅产品。 功率半导体碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 特斯拉碳化硅技术怎么样?特斯拉碳化硅技术成熟吗? 大家都知道碳化硅具有高功率、耐高压、耐高温等优点,碳化硅技术能够帮助电动汽车实现快速充电,增加续航;这个特性使得众多的车企把目光投注过来。 我们
2023-02-02 17:39:092602 碳化硅技术壁垒分析:碳化硅技术壁垒是什么 碳化硅技术壁垒有哪些 碳化硅芯片不仅是一个新风口,也是一个很大的挑战,那么我们来碳化硅技术壁垒分析下碳化硅技术壁垒是什么?碳化硅技术壁垒
2023-02-03 15:25:163637 碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:353002 碳化硅模块上车高湿测试 2021年碳化硅很“热”。比亚迪 半导体 、派恩杰、中车时代电气、基本半导体等国内碳化硅功率器件供应商的产品批量应用在汽车上,浙江金华、安徽合肥等地碳化硅项目开始
2023-02-21 09:26:452 我们拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二极管和碳化硅MOSFET展开说明。碳和硅进过化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成为粉末,碳化硅粉末经过碳化硅单晶生长成为碳化硅晶锭;碳化硅
2023-02-21 10:04:111694 什么是第三代半导体?我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体,这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:472091 我们拿慧制敏造碳化硅半导体出品的KNSCHA碳化硅二极管封装接下来我们来看一下碳化硅二极管的贴片封装,常见的有有TO-263和TO-252封装,随着近些年电源对于功率密度要求不断提高,碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:161795 按照电学性能的不同,碳化硅材料制成的器件分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅射频器件,两种类型碳化硅器件的终端应用领域不同。导电型碳化硅功率器件是通过在低电阻率的导电型衬底上生长碳化硅外延层后进一步加工制成
2023-04-21 14:14:372438 碳化硅功率器件在新能源汽车领域的应用主要有以下几个方面。
2023-04-27 14:05:52635 首先,让我们简要介绍一下碳化硅到底是什么,以及它与传统硅的一些不同之处。关于SiC的一个有趣的事实是,碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物质。事实上,碳化物最初是从陨石的碎片中发现的。其独特的性能非常有前途,以至于今天,我们合成了用于碳化硅功率产品的硬质合金。
2023-05-20 17:00:09614 碳化硅二极管是什么 碳化硅二极管是一种半导体器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐压能力和高的温度耐受性,因此碳化硅二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点,广泛用于高功率、高频率、高温、高压等领域,如电源、变频器、太阳能、电动汽车等。
2023-06-02 14:10:32747 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件,其中"MOSFET"表示金属氧化物半导体场效应晶体管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151184 碳化硅(SiC)功率器件是一种基于碳化硅材料的半导体器件,具有许多优势和广泛的应用前景。
2023-06-28 09:58:092320 罗姆收购Solar Frontier碳化硅工厂 计划到2027碳化硅功率半导体业务达139亿 罗姆一直看好碳化硅功率半导体的发展,一直在积极布局碳化硅业务。罗姆计划到2025年拿下碳化硅市场30
2023-07-19 19:37:01724 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性,突破硅基半导体材料物理限制,是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展,碳化硅需求增速可观。
2023-08-19 11:45:221043 随着新能源汽车的快速发展,碳化硅功率器件在新能源汽车领域中的应用也越来越多。碳化硅功率器件相比传统的硅功率器件具有更高的工作温度、更高的能耗效率、更高的开关速度和更小的尺寸等优点,因此在新能源
2023-09-05 09:04:421880 碳化硅功率器件是一种利用碳化硅材料制作的功率半导体器件,具有高温、高频、高效等优点,被广泛应用于电力电子、新能源等领域。下面介绍一些碳化硅功率器件的基础知识。
2023-09-28 18:19:571220 碳化硅(SiC)功率器件是由硅和碳制成的半导体,用于制造电动汽车、电源、电机控制电路和逆变器等高压应用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16170 碳化硅和igbt的区别 碳化硅(SiC)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)都是在电子领域中常见的器件。虽然它们都用于功率电子应用,但在结构、材料、性能和应用方面存在一些显著差异。本文将详细介绍碳化硅
2023-12-08 11:35:531794 碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。
2023-12-12 09:47:33456 随着电力电子技术的不断发展,碳化硅(SiC)功率器件作为一种新型的半导体材料,在电力电子领域的应用越来越广泛。与传统的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐压、高耐流等优点
2023-12-14 09:14:46242 随着科技的快速发展,碳化硅(SiC)功率器件作为一种先进的电力电子设备,已经广泛应用于能源转换、电机控制、电网保护等多个领域。本文将详细介绍碳化硅功率器件的原理、应用、技术挑战以及未来发展趋势。
2023-12-16 10:29:20362 碳化硅功率器件的实用性不及硅基功率器件吗 碳化硅功率器件相较于传统的硅基功率器件具有许多优势,主要体现在以下几个方面:材料特性、功率密度、温度特性和开关速度等。尽管碳化硅功率器件还存在一些挑战
2023-12-21 11:27:09286 随着科技的不断进步,碳化硅(SiC)作为一种新型的半导体材料,在功率器件领域的应用越来越广泛。碳化硅功率器件在未来具有很大的发展潜力,将在多个领域展现出显著的优势。本文将介绍未来碳化硅功率器件的优势
2024-01-06 14:15:03353 碳化硅(SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49386 碳化硅逆变器是一种基于碳化硅(SiC)半导体材料的功率电子设备,主要用于将直流电转换为交流电。与传统的硅基功率器件相比,碳化硅逆变器具有许多优越性能,如更高的开关频率、更低的导通损耗、更高的工作温度
2024-01-10 13:55:54272
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