SiT8009B 高频低功耗振荡器
SiTime SiT8009B 提供频率高达 115 MHz 的低功耗性能,且具备 MEMS 稳健性并避免了 EMI 问题。
SiTime SiT8009B 是带有 LVCMOS/LVTTL 兼容型输出的、业内功耗最低的高频振荡器。该器件的 5.5 mA(典型值)电流消耗(采用 1.8 V 供电)实现了更绿色的电子产品,而不会削弱性能。该器件实现了低功耗、出色稳定性、灵活的工作电压和小尺寸的完美结合,适合大量便携式和消费类应用。SiT8009B 系列具有可编程驱动强度,且该特性针对特定应用优化了上升/下降时间。 可编程驱动强度带来的优势包括提升了 EMI 性能、降低了抖动并能驱动大型容性负载。
SiT8009B 振荡器可作为现场可编程器件,配合使用 SiTime 的 Time Machine II 编程器。利用该编程器,可在数秒内按照精确的规范轻松配置现场可编程振荡器。设计人员可配置 MEMS 振荡器的频率、电压、稳定性以及多个特殊功能,如可调节上升和下降时间,从而加快设计速度,优化系统。
特点
● 功耗最低的高频振荡器:
■ 5.5 mA 典型工作电流 (1.8 V)
■ 1 µA 典型待机电流 (1.8 V)
● 小型 2016 和 2520 封装,适用于所有的频率、电压和稳定性
● 可配置特性集:
■ 具有六位小数精度的 115 MHz 至 137 MHz 之间的任何频率
■ 从 ±20 PPM 至 ±50 PPM 的稳定性
■ 工业或扩展商用温度
■ 1.8 V 或 2.5 V 至 3.3 V 电源电压
● SoftEdgeTM 可配置驱动强度
优势
● 更长的电池寿命
● 可实现更绿色的电子产品
● 节省更多板空间,不会降低性能和可用性
● 为实现最佳系统性能的自定义规格
● 使用相同的基础器件实现多种设计,减少认证需求
● 通过较慢上升/下降时间最大限度减少振荡器的 EMI
● 通过驱动多个负载并消除了多余的定时元件来节省成本
● 减少库存开销
● 减轻短路风险
应用
● GPON
● EPON
● 以太网
● SATA/SAS
● SSD
● 存储服务器
● PCI
● PCI-E
● DDR
图片 | 制造商型号 | 资料 | 库存 | 货期(工作日) | 描述 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
SIT8009BC-11-18E-125.000000E | 10000 |
香港: 国内:4-5周 |
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 1.8V, 125MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
|
查看详情 | ||
SIT8009BC-11-XXE-125.000000D | 10000 |
香港: 国内:4-5周 |
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 2.25V-3.63V, 125MHz, OE, T&R
|
查看详情 | ||
SIT8009BC-11-XXE-125.000000E | 10000 |
香港: 国内:4-5周 |
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 2.25V-3.63V, 125MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
|
查看详情 | ||
SIT8009BC-11-XXE-125.000000G | 10000 |
香港: 国内:4-5周 |
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 2.25V-3.63V, 125MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
|
查看详情 | ||
SIT8009BC-12-18E-133.330000D | 10000 |
香港: 国内:4-5周 |
-20 to 70C, 2520, 25ppm, 1.8V, 133.33MHz, OE, T&R
|
查看详情 | ||
SIT8009BC-12-18E-133.330000E | 10000 |
香港: 国内:4-5周 |
-20 to 70C, 2520, 25ppm, 1.8V, 133.33MHz, OE, T&R
|
查看详情 | ||
SIT8009BC-12-25E-125.00875D | 10000 |
香港: 国内:4-5周 |
OSC MEMS 125.00875MHZ LVCMOS SMD
|
查看详情 | ||
SIT8009BC-12-25E-125.00875E | 10000 |
香港: 国内:4-5周 |
OSC MEMS 125.00875MHZ LVCMOS SMD
|
查看详情 | ||
SIT8009BC-13-18E-125.000000D | 10000 |
香港: 国内:4-5周 |
-20 to 70C, 2520, 50ppm, 1.8V, 125MHz, OE, T&R
|
查看详情 | ||
SIT8009BC-13-18E-125.000000E | 10000 |
香港: 国内:4-5周 |
-20 to 70C, 2520, 50ppm, 1.8V, 125MHz, OE, T&R
|
查看详情 | ||
SIT8009BC-13-30E-125.0000D | 10000 |
香港: 国内:4-5周 |
OSC MEMS 125.0000MHZ LVCMOS SMD
|
查看详情 | ||
SIT8009BC-13-30E-125.0000E | 10000 |
香港: 国内:4-5周 |
OSC MEMS 125.0000MHZ LVCMOS SMD
|
查看详情 | ||
SIT8009BC-13-33E-125.000000D | 10000 |
香港: 国内:4-5周 |
-20 to 70C, 2520, 50ppm, 3.3V, 125MHz, OE, T&R
|
查看详情 | ||
SIT8009BC-13-33E-125.000000E | 10000 |
香港: 国内:4-5周 |
-20 to 70C, 2520, 50ppm, 3.3V, 125MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
|
查看详情 | ||
SIT8009BC-13-33E-125.000000G | 10000 |
香港: 国内:4-5周 |
-20 to 70C, 2520, 50ppm, 3.3V, 125MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
|
查看详情 | ||
SIT8009BC-13-XXE-125.000000D | 10000 |
香港: 国内:4-5周 |
-20 to 70C, 2520, 50ppm, 2.25V-3.63V, 125MHz, OE, T&R
|
查看详情 | ||
SIT8009BC-13-XXE-125.000000E | 10000 |
香港: 国内:4-5周 |
-20 to 70C, 2520, 50ppm, 2.25V-3.63V, 125MHz, OE, T&R
|
查看详情 | ||
SIT8009BC-21-18E-125.000000E | 10000 |
香港: 国内:4-5周 |
-20 to 70C, 3225, 20ppm, 1.8V, 125MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
|
查看详情 | ||
SIT8009BC-21-XXE-125.000000E | 10000 |
香港: 国内:4-5周 |
-20 to 70C, 3225, 20ppm, 2.25V-3.63V, 125MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
|
查看详情 | ||
SIT8009BC-22-33E-135.000000D | 10000 |
香港: 国内:4-5周 |
-20 to 70C, 3225, 25ppm, 3.3V, 135MHz, OE, T&R
|
查看详情 |