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SiT1630 系列超小型 32 kHz 振荡器

SiTime 推出石英晶体替代品的 SiT1630 系列 MEMs,节省空间和功耗。

SiTime 的 SiT1630 系列 MEMs 谐振器是超小尺寸、超低功耗的 32.768 kHz 振荡器,针对移动设备和其它电池供电型应用进行了优化。该系列是现有 32 kHz 振荡器的一种低功耗替代,其 1.5 V 至 3.63 V 工作电源电压范围使该器件非常适合用于移动、手持设备和物联网应用。这些器件包括 MEMS 谐振器和一个可编程的模拟电路。这些 MEMS 谐振器均采用 SiTime 的独特的 MEMS First™ 工艺。关键制造步骤是 EpiSeal™,让 MEMS 谐振器在温度超过 1000 °C 时退火。EpiSeal 创造了极其牢固、干净的真空室来封装 MEMS 谐振器,可确保最佳的性能和可靠性。相比传统的石英晶体产品,CSP SiTime SiT1630 系列的总基底面减小了 80%,仅为 1.2 mm2


特性和优势

   小型 SMD 封装:2.0 mm x 1.2 mm (2012)

   超低功耗:1.0 µA(典型值)

   内部 VDD 电源滤波

   < 20 ppm 的频率容差

   启动时间:< 300 ms (25 °C)

   可取代大体积元件的超低功耗振荡器

   LVCMOS 兼容输出

   无需外部旁路电容器

   相比石英晶体更优的稳定性

   立即上电


应用

   平板电脑

   电子阅读器

   运动视频摄像机

   环境传感器

   工业和汽车

   可穿戴设备

   物联网设备

   健康和医疗监视设备

图片 制造商型号 资料 库存 货期(工作日) 描述 操作
SIT1630AC-H5-DCC-32.768E 10000 香港:
国内:4-5周
-10 to 70C, 2012, 75ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT1630AE-H6-DCC-32.768D 10000 香港:
国内:4-5周
-40 to 105C, 2012, 150ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 3k pcs T&R 8 mm
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SIT1630AE-H6-DCC-32.768G 10000 香港:
国内:4-5周
-40 to 105C, 2012, 150ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 250 pcs T&R 8 mm
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SIT1630AI-H4-DCC-32.768D 10000 香港:
国内:4-5周
-40 to 85C, 2012, 100ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 3k pcs T&R 8 mm
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SIT1630AI-H4-DCC-32.768E 10000 香港:
国内:4-5周
-40 to 85C, 2012, 100ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT1630AI-H4-DCC-32.768G 10000 香港:
国内:4-5周
-40 to 85C, 2012, 100ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 250 pcs T&R 8 mm
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