开关电源的全部技能点资料下载

说起开关电源，可谓电子信息社会不可或缺的电源方式之一：小到手机充电器、LED照明灯、家电，大到电力设备、通信基站、数据中心，几乎所有的电子设备都离不开它。对于电源工程师而言，功率密度、效率和可靠性是定义开关电源性能的3个关键因素。如何一次 “加满”开关电源的技能点呢？2020英飞凌电源与传感系统云端大会，邀你体验一场硬核的开关电源技术公开课！ 高性能开关电源设计诀窍 英飞凌是目前 市场上唯一一家提供覆盖Si、SiC和GaN等材料的全系列功率产品的公司 ，英飞凌广博的CoolGaN™、CoolSiC™ 和 CoolMOS™ 等功率半导体产品组合，适用于各类大、小功率的开关电源应用。 想知道Si、SiC和GaN这三类功率器件的相关技术详细信息，以及如何基于器件自身的特性来选择合适的应用拓扑？在确定拓扑之后，如何实现功率密度和效率之前的优化？这些硬核的技术知识统统都有！此外，英飞凌资深专家还将介绍英飞凌对于CoolGaN™ 和CoolSiC™的质量管控理念，从而助力使用者设计高可靠性的开关电源。 值得一提的是， GaN HEMT作为大规模商用的“新”产品，仅仅是其技术蓝图的开端 ，因为当前的器件性能数值与理论限值还有一个数量级的差距，未来仍有巨大的改进空间。目前，GaN HEMT在小功率、高功率密度的充电器应用已崭露头角，其市场需求呈现明显的上升趋势。但整体而言，GaN HEMT与超级结MOSFET的优缺点对比，可谓各占一半。筒子们想进一步了解在细分市场这两者的区别，关注2020英飞凌电源与传感系统云端大会，为你的开关电源设计找到创新思路！ 细分市场对更高功率密度的需求呈明显上升趋势 一次get到零电压开通高效反激拓扑电源设计 手机快充在近几年的发展势头十分迅猛，从早期的10W、15W，到最近一些大厂宣布量产的120W快充，高功率快充技术俨然成为了5G手机的标配。尽管各家手机厂商的协议不一，但USB-PD协议快充仍是普遍兼容、且持续升级迭代的标准。根据IHS的预测，USB-PD协议充电器从2018-2023年复合平均增长率为97.6%，且预计 在2023年USB-PD出货量将占整个市场的52%以上。 目前， 快充电源广泛使用反激拓扑 ，主要是因为它具有良好的宽输入与宽输出性能，能够提高反激电源功率密度与效率。如何实现高功率密度的USB-PD电源？需要从以下几个方面考量：  高频（140k-250kHz，近两三年最佳工作频率） 软开关拓扑 平面变压器 可调整的平率法则  较小的共模EMI噪声