接近传感选择，第2部分：磁传感器

　　接近传感选择，第2部分：磁传感器

　　正如我们在以前的文章指出高新区（“接近感应选项，1部分：电容式传感器”），工程师可以采用各种各样的传感器技术-电容、磁性或光学-确定如何关闭一个对象到另一个，技术的选择是非常依赖于应用程序的详情。在这篇文章中，我们将用不同类型的当前可用传感器及其典型用途的例子来研究磁技术及其优缺点。

　　磁传感器

　　磁传感器是一种以变化或中断的方式响应磁场变化或中断的装置。在磁传感器的类型中，那些是依靠霍尔效应和基于磁阻（MR）效应的传感器。这两种传感器之间的主要功能差异是霍尔效应传感器响应于垂直于传感器磁场的磁场的变化，而MR传感器响应于传感器字段平行的字段的变化（图1）。

　　Figure 1： While Hall-Effect （a） and magnetoresistive （b） sensors both respond to an external field， each type of sensor has its own distinct advantages.

　　Discovered by Edwin Hall in 1879， the eponymous Hall Effect produces a voltage difference （the Hall voltage） across a semiconductor through which a constant current is flowing transversely when a magnetic field is perpendicular to that current （Figure 1a）。 With an MR sensor， a current difference is produced when a material attached to a constant voltage source is subjected to a parallel magnetic field that changes the resistance of the material， and hence varies the current （Figure 1b）。 In both cases， the changes are proportional to the change in the magnetic field.