资料介绍
随着图像传感器设计:获取一个清晰的画面
而你的同行在营销会唱“更多的像素是更好”的口号,抵制诱惑,塞壬的歌声。他们往往错了。
不久前,影像界最激烈的争论是,如果(如果是的话),系统设计者应该从传统的CCD图像传感器转变为胚胎型、基于CMOS的后继者。短短几年的时间里,技术过渡几乎完成了。除了最苛刻的应用程序——分辨率、帧速率、低光灵敏度等等——都热情地拥抱了cmos新贵。Digi-Key的支持产品线反映了这一现实,被冲洗的CMOS影像传感器的公司如Aptina和OmniVision技术有限责任公司。
CMOS传感器的优势仅仅是最新的案例研究穆尔Law的必然性。CCD传感器的笨重的模拟电路的依赖意味着他们只能在特种工艺制造的支持下,由一个简短的晶圆代工厂和俘虏晶圆厂供应商。随着时间的推移,这些专业过程也越来越不能跟上他们的商品CMOS同行的光刻进展,造成相当高的成本每像素。最后,CMOS传感器的常规工艺基础使存储器和逻辑处理块与像素电路一起可选集成。
Sensor shortcomings
Just as things are rarely black-and-white in the engineering world, the transition to CMOS sensors has proven to be a mixed blessing. CMOS sensors display higher “dark current” than CCDs, resulting in poorer low-light performance and more restricted dynamic range. Also, CCDs directly output a per-pixel accumulated charge, which off-chip processing translates into corresponding voltage measurements and transforms from the analog to the digital domain.
Conversely, CMOS sensors embed the charge-to-voltage function blocks, along with amplification, A/D conversion, and other circuits, thereby negatively impacting the per-pixel fill factor — the percentage of each pixel‘s total silicon area devoted to photon capture versus other functions (see Figure 1).
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