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电子发烧友网>电子资料下载>传感与控制>英特尔3D XPoint内存封装逆向介绍

英特尔3D XPoint内存封装逆向介绍

2017-09-18 | rar | 0.36 MB | 次下载 | 免费

资料介绍

  TechInsights的研究人员针对采用XPoint技术的英特尔Optane内存之制程、单元结构与材料持续进行深入分析与研究。

  

  英特尔(Intel)和美光(Micron)在2015年8月推出了3D XPoint,打造出25年以来的首款新型态内存技术。2016年,英特尔发布采用3D XPoint技术的Optane品牌储存产品 ,成为该技术最先上市的新一代高性能固态硬盘(SSD)系列。

  根据TechInsights的材料分析,XPoint是一种非挥发性内存(NVM)技术。位储存根据本体(bulk)电阻的变化,并结合可堆栈的跨网格数据存取数组。其价格预计将会 较动态随机存取内存(DRAM)更低,但高于闪存。

  TechInsights最近取得了英特尔Optane M.2 80mm 16GB PCIe 3.0并加以拆解,在封装中发现了一个3D X-Point内存芯片。这是英特尔和美光的首款商用化3D Xpoint产品。英特尔3D X-Point内存的封装尺寸为241.12mm2(17.6mm x 13.7mm),其中并包含X-Point记体晶粒。该3D X-Point晶粒尺寸为mm2(16.6mm x 12.78mm)。

  

  图1:Xpoint内存封装与晶粒(16B)图 (来源:英特尔3D XPoint、TechInsights)

  TechInsights的进一步分析确定,英特尔Optane XPoint内存芯片的每颗晶粒可储存128Gb,较目前2D与3D TLC NAND商用产品的储存密度略低,如图1所示。美光 (Micron) 32L 3D FG CuA TLC NAND的每颗晶粒内存密度为2.28Gb/mm2,三星(Samsung) 48L TLC V-NAND为2.57Gb/mm2,东芝(Toshiba)/WD 48L BiCS TLC NAND为 2.43Gb/mm2,而海力士(SK Hynix)36L P-BiCS MLC NAND则为1.45Gb/mm2。相形之下,英特尔的Optane XPoint的内存密度为0.62Gb/mm2。

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