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本文针对QoVo的热设计集成方法，利用了高性能微波GaN HEMT器件和MMIC的建模、经验测量（包括显微拉曼热成像）和有限元分析（FEA）。这种方法是非常有效的，并已被经验验证。通过正确地解决FEA边界条件假设和红外显微镜的局限性，得到的模型计算在产品和最终应用水平上比基于低功率密度技术的传统方法更精确。
从系统需求对越来越高的输出功率放大器的需求导致了连续固态技术的改进。随着技术朝着更高的能力迈进，驱动技术的应用也更加深入。几年前瓦特10瓦的功率需求已经上升到50瓦和更高。碳化硅上的氮化镓（GaN SiC）已经成为一种优越的器件技术，它具有高功率密度，典型地大于5W/mm栅极外围，高漏极工作电压，通常为20V至48伏，与传统的相比，具有可比的增益和漏极效率。砷化镓赝态高电子迁移率晶体管（PHEMT）技术。在更小的电路区域中获得更多的功率的要求导致了GaN功率放大器产品的发展，该产品在产品和系统级都提供了热的挑战。
为了充分理解GaN技术的热意义，已经开发了一种包括模具级电气建模、经验测量和有限元分析的多叉方法。本文将在四个部分中讨论这种方法对GaN热分析的影响：
热建模和经验测量，包括微拉曼测量；
热分析，包括有限元分析（FEA），红外显微镜的用途和局限性，以及使用RF测试的二次验证；
芯片附着方法，包括在比较环氧树脂与焊料时的接触电阻，以及作为器件工作温度的因素的芯片连接性能；以及
改进包装选项从QoVo，包括氮化镓铜，和氮化镓塑料
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