AD20的6层两片DDR高速板学习笔记详细说明

　　1:pcb导入

　　2：drc设置

　　3：丝印调整（器件位号改小，放到器件的中心）

　　4：快捷键设置（如果设置了无效，可能是被占用了，顶部鼠标右键设置）

　　5：板框的设置（一般在机械层），板框定义

　　6：布局布线的禁布区设置（板框的内缩外扩）

　　7：器件的摆放和布局（过孔辅助定位）原点的设置

　　布局：

　　交互式布局设置

　　模块化布局思路：顺时针或者是逆时针方向布局

　　创建电源类PWR

　　选中飞线Alt+鼠标左键向左上方滑动

　　DDR高频，不能受到干扰 （布局留有足够的等长空间）

　　射频不能也不能受到干扰

　　高速部分可以加屏蔽罩，屏蔽模块之间的干扰（WIFI，电源，DDR），最好是矩形的罩子（一般1mm），避免接触到过孔

　　常用存储器DDR（超出5-6mm）

　　DDR：无排阻的时候，600到800mil（推荐800）电容电阻一般总体布局完成才摆放

　　EMMC和NANDFLASH采取兼容放置（创建联合）

　　小电容（容值大小）一般靠近IC管脚（电容接近管脚，电阻次之）

　　如果原理图上器件有特殊要求的要注意摆放位置

　　HDMI：要首先考虑静电问题，信号一进入就要消除静电干扰

　　器件放在背面时要插口距离至少3mm

　　RJ45和变压器要尽量靠近

　　就近原则摆放

　　usb：优先考虑静电器件，电源先经过静电器件再通过电容滤波

　　电容滤波遵循先大后小

　　AV端口：插件考虑静电处理

　　模拟信号（1字型或L型走线），不控制阻抗，走线包地处理

　　WIFI模块：最重要的是天线，在角落或者边缘，（内置天线板载，外置天线：放在屏蔽罩外面），一字型或者L型布局，走线短

　　局部模块化布局，优先时钟走线（尽量靠近，pai型走线），就近原则摆放

　　布电源的时候，先找主干道，输入输出，转换的流向

　　整板的电源：局部模块化布局，注意静电器件，同类型的电源并排放置，根据飞线调整位置，放置的时候先大后小，找到输入输出主干道（主控）

　　电感之间要垂直摆放

　　晶体一般都是pai型布局

　　布局总结：先固定的器件摆放，再主控和DDR

　　布线：

　　叠层设定：先选定层数，再确定层叠结构（顺序）

　　依据层叠原则（注意各种方案的适用范围，有什么缺点？），相邻信号层之间不能相互平行，尽量错开

　　阻抗计算：走线线宽的阻抗控制（也可以用通用的线宽，后续交由板厂微调处理）

　　层叠设置：信号层是正片层，非信号层是负片层（记得取消镜像的√），层叠的名称尽量简短（20H原则（70%）：为了抑制边缘辐射效应，电源平面相对于地平面内缩1mm（40mil）（电源60mil，地20mil），抑制70%的电场）（#号）（Pullback Distance）

　　规则设置：先设置class：常用的网络类，差分类，Xsingle类

　　PWR类：所有的电源网络，可以关闭飞线（可以进行颜色设置（单击右键并且“显示替换”））

　　间距规则：（可以利用联盟网的下单工具）大概5mil，如果板子密度不大可设置6mil，

　　线宽规则：添加电源线宽（PWR）加粗，信号线大概5mil，有计算阻抗可以用计算结果

　　过孔规则：和BGA相关，孔和盘的关系：2n+-2mil，n是孔半径（8mil往下风险高）

　　阻焊规则：紫色部分，推荐2.5mil防止绿油覆盖（油墨绝缘）

　　铺铜规则：PlaneConnect推荐全连接，反焊盘连接（ PlaneClearance）（没有网络时的油墨）一般推荐7mil，正片层的铜皮设置（PloygonConnect）：全连接散热快（机器贴（回流焊）消费类产品），十字焊盘连接（过流能力差，适合手工焊接）

　　BGA扇孔：测量BGA间距（Ctrl+M）（距离1/2）设置原点（EOS），GG设置格点，放置过孔测试（RP），还原格点（1mil）单独设置VIA间距，可以用自动扇孔工具（UFO）

　　DDR：电容平均分配（小的靠近管脚）（总分，再分），串阻放在cpu和DDR中间，DM信号的掩码（）