JTAG口对DSP外部Flash存储器的在线编程设计方案解析

 　引言
　　在采用TI数字信号处理器（DSP）的嵌放式硬件系统开发完成，软件也有CCS2.0集成开发环境下仿真测试通过后，怎样将编译、链接后生成的可执行文件（.Out），经过转换后的十六进制文件（.Hex）写入硬件系统的Flash存储器中，让系统脱机运行，这是许多DSP开发人员及初学者遇到并需要解决的问题。
　　从JTAG接口对DSP外部Flash的编程方法不只一种。本文以TMS320C6711-150 DSK板为例，介绍“在线仿真状态下”对Flash的编程。
　　1 Flash存储器的擦除
　　Flash编程之前，应对Flash进行擦除，使其每个数据位都恢复为1状态，即全FF状态。对Flash的擦除操作需要6个总线周期，总线时序如图1。
　　
　　从图1可知，各总线周期的操作为：
　　第一总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H；
　　第二总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H；
　　第三总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据80H；
　　第四总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据AAH；
　　第五总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H；
　　第六总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据10H。
　　完成上述操作后，Flash存储器被完全擦除，内部数据恢复为初始状态，全为FFH。
　　在TMS320C6711中，用C语言完成上述操作为：
　　void erase_flash（）
　　{
　　*（unsigned volatile char*）FLASH_ADR1=0x00aa;
　　*（unsigned volatile char*）FLASH_ADR2=0x0055;
　　*（unsigned volatile char*）FLASH_ADR1=0x0080;
　　*（unsigned volatile char*）FLASH_ADR1=0x00aa;
　　*（unsigned volatile char*）FLASH_ADR2=0x0055；
　　*（unsigned volatile char*）FLASH_ADR1=0x0010；
　　}
　　在TMS320C6711系统中，Flash所在地址段为CE1空间，其开始地址为0x90000000。这样，其中的FLASH_ADR1、FLASH_ADR2在头文件中被定义为：
　　#define FLASH_ADR1 0x90005555
　　#define FLASH_ADR2 0x90002AAA
　　需要说明的是，在对Flash进行擦除时，应对DSP及EMIF外存储器接口进行初始化，CE1空间定义为8位读写模式。
　　初始化函数如下：
　　void c6x11_dsk_init（）{ /*DSP和EMIF初始化*/
　　CSR=0x100; /*禁止所有中断*/
　　IER=1； /*禁止除NMI外的所有中断*/
　　ICR=0xffff; /*清除所有未完成的中断*/
　　*（unsigned volatile int *）EMIF_GCR=0x3300;
　　*（unsigned volatile int *）EMIF_CE0=0x30;
　　*（unsigned volatile int*）EMIF_CE1=0xffffff03;
　　*（unsigned volatile int*）EMIF_SDCTRL=0x07227000;
　　*（unsigned volatile int*）EMIF_SDRP=0x61a;
　　*（unsigned volatile int*）EMIF_SDEXT=0x54529;
　　}
　　2 Flash存储器的编程
　　对Flash存储器进行字节编程之前，需要对它进行3个周期的编程指令操作，总线时序如图2。
　　
　　从图2可知，各总线周期的操作如下：
　　第一总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据AAH；
　　第二总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H；
　　第三总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据A0H；
　　第四总线周期——向地址的存储单元写入编程数据；
　　……
　　在TMS320C6711中，用C语言完成上述操作为：
　　/*---------------------------------------------------------------------*/
　　/*入口参数：pattern［］：数组，用于存储编程数据*/
　　*/ start_address：所要编程的起始地址指针*/
　　/* page_size：所要编程的Flash的页面尺寸*/
　　/*出口参数：无*/
　　/*---------------------------------------------------------------------*/
　　void flash_page_prog（unsigned char pattern［］，unsigned volatile char *start_address，int page_size）{
　　volatile int i;
　　unsigned volatile char *flash_ptr=start_address;
　　*（unsigned volatile char *）FLASH_ADR1=FLASH_KEY1;
　　*（unsigned volatile char *）FLASH_ADR2=FLASH_KEY2;
　　*（unsigned volatile char *）FLASH_ADR1=FLASH_KEY3;
　　for（i=0;i《page_size;i++）
　　*flash_ptr++=pattern;
　　}
　　其中，FLASH_KEY1、FLASH_KEY2、FLASH_KEY3的定义如下：
　　#define FLASH_KEY1 0xAA
　　#define FLASH_KEY2 0x55
　　#define FLASH_KEY3 0xA0
　　3 校验和的计算与编程原理
　　（1）校验和的计算
　　在程序中，应对Flash编程的正确性进行自动检查，把编程前数据的校验和编程后Flash中读出数据的校验和进行比较：如果相同，则编程成功；如果不相同，则编程失败。需要注意的是，在对Flash进行编程的过程中，不能用CCS2.0中的“VIEW/MEMORY…”功能看Flash中的编程数据，这样会导致一会地址编程的失败。
　　其C语言程序如下：
　　/*----------------------------------------------------------------------*/
　　/*入口参数：start_address：所要校验的起始地址*/
　　/* size_in_byte：所要校验的Flash数据字节数*/
　　/*出口参数：lchecksum：校验和 */
　　/*----------------------------------------------------------------------*/
　　int flash_checksum（int start_address，int size_in_byte）{
　　int i;
　　int lchecksum;
　　unsigned volatile char*flash_ptr=（unsigned volatile char*）
　　start_address;
　　int temp;
　　i=0;
　　lchecksum=0;
　　while（i《size_in_byte-4）{
　　temp=*flash_ptr++;
　　temp&=0xff;
　　lchecksum=lchecksum+temp;
　　i++;
　　}
　　return lchecksum;
　　}