半导体实验

　　1.。。.TITLE

　　2.。。.GRID DYSI=0.01，DPTH=2，YMAX=8

　　3.。。.SUBS ORNT=111，ELEM=P，CONC=1E15

　　4.。。.PRINT HEAD=Y

　　5.。。.PLOT TOTL=Y，WIND=8

　　6.。。.STEP TYPE=IMPL，ELEM=B，DOSE=1E14，AKEV=6

　　7.。。.END

　　1

　　步骤 # 1

　　离子注入（修改过的 PEARSON Ⅳ 型分布）

　　被注入的杂质类型 = BORON

　　被注入的杂质剂量 = 1.000000E+14

　　离子注入的能量 = 6.00000

　　射程 = 1.46380

　　标准偏差 = .144400

　　峰值浓度 = 4.222607E+18

　　表面杂质浓度 = -1.883426E+14 原子数 /CM］3

　　扩散 结深 I 扩散层 方块电阻

　　----------------------I---------------------------

　　6.596054E-02微米 I 7.203743E+06欧姆/方块

　　1.97534 微米 I 532.060 欧姆/方块

　　I 7654.71 欧姆/方块

　　净有效杂质浓度

　　在二氧化硅中的电荷 = .000000 是 .000 % 电荷总数

　　在硅中的电荷 = 1.003965E+14 是 100. % 电荷总数

　　电荷总数 = 1.003965E+14 是 1.255E+04 % 初始电荷

　　初始电荷 = 8.000000E+11

　　平均化学浓度PHOSPHORUS

　　在二氧化硅中的电荷 = .000000 是 .000 % 电荷总数

　　在硅中的电荷 = 8.000000E+11 是 100. % 电荷总数

　　电荷总数 = 8.000000E+11 是 100. % 初始电荷

　　初始电荷 = 8.000000E+11

　　平均化学浓度BORON

　　在二氧化硅中的电荷 = .000000 是 .000 % 电荷总数

　　在硅中的电荷 = 1.000001E+14 是 100. % 电荷总数

　　电荷总数 = 1.000001E+14 是 .000 % 初始电荷

　　初始电荷 = .000000

　　1

　　I 步骤 = 1 时间 = .0 分 钟 。

　　I

　　深 度 I 平衡浓度 （ LOG 原子数/CC ）