镁光MT29F系列FLASH规格书

　　Single-level cell （SLC） technology

　　• Organization

　　– Page size x8： 2，112 bytes （2，048 + 64 bytes

　　– Block size： 64 pages （128K + 4K bytes）

　　– Plane size： 2，048 blocks

　　– Device size： 4Gb： 4，096 blocks; 8Gb： 8，192 blocks;

　　16Gb： 16，384 blocks

　　• READ performance

　　– Random READ： 25µs （MAX）

　　– Sequential READ： 25ns （MIN）

　　• WRITE performance

　　– PROGRAM PAGE： 220µs （TYP）

　　– BLOCK ERASE： 1.5ms （TYP）

　　• Data retention： 10 years

　　• Endurance： 100，000 PROGRAM/ERASE cycles

　　• First block （block address 00h） guaranteed to be

　　valid up to 1，000 PROGRAM/ERASE cycles1

　　• Industry-standard basic NAND Flash command set

　　• Advanced command set：

　　– PROGRAM PAGE CACHE MOD

　　– PAGE READ CACHE MOD

　　– One-time programmable （OTP） commands

　　– Two-plane commands

　　– Interleaved die operations

　　– READ UNIQUE ID （contact factory

　　– READ ID2 （contact factory）

　　• Operation status byte provides a software method of

　　detecting：

　　– Operation completion

　　– Pass/fail condition

　　– Write-protect status

　　• Ready/busy# （R/B#） signal provides a hardware

　　method of detecting operation completion

　　• WP# signal： write protect entire device

　　• RESET required after power-up

　　• INTERNAL DATA MOVE operations supported

　　within the plane from which data is read