资料介绍
1. 电源引脚
VCC(40脚):直流电源供电电压4.0~5.5V
GND(20脚):电源负极(电源地电平)
2. 振荡器电路外接晶振引脚
XTAL1(19)和XTAL2(18):片内振荡器电路外接晶振端。S51内部有一个构成片内振荡器的高增益反相放大器,这两个引脚分别是该放大器的输入端和输出端。
3. 多功能I/O接口引脚
(1) P0口(39~32):一个八位漏极开路并行双向I/O端口。作为I/O接口时,每个引脚需外接上拉电阻。作为输出口时,引脚功能为:以吸收电流方式驱动8个LSTTL负载;作为输入口时,要先将引脚内的输出锁存器置1。在系统需要功能外扩展时,可用作访问外部程序存储器和数据存储器时的低八位地址/数据总线的分时复用线,此时不用接上拉电阻。在Flash存储器编程时,P0口接受程序代码字节数据输入;在编程校验时,P0口输出代码字节数据,此时需要上拉电阻。
(2) P1口(1~8):一个内接上拉电阻的八位并行准双向I/O端口。由于这种接口输出没有高阻状态,输入也不能所存,所以不是真正的双向I/O口。作为输出口时,每个引脚驱动4个LSTTL负载;作为输入口时,要先将引脚内的输出锁存器置1。在 Flash并行编程和校验时,P1可输入低字节地址信息。在串行编程和校验时,A. P1.5(6)作MOSI(串行指令输入); B. P1.6(7)作MISO(串行指令输出); C. P1.7(8)作SCK(串行移位脉冲控制端)。-----这三个组成了串行ISP编程接口
(3) P2口(21~28):一个内接上拉电阻的八位并行准双向I/O端口,作为通用I/O口时,功能与P1一致。在系统外扩展时,用作访问外部程序存储器和数据存储器的高八位地址总线;在Flash存储器并行编程和校验时,可输入高字节地址信息,P2.6和P2.7作控制位。
(4) P3口(10~17):一个内接上拉电阻的八位准双向I/O端口,作为通用I/O口时,功能与P1一致。在Flash存储器并行编程和校验时,P3.3,P3.6,P3.7为控制位。
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