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电子发烧友网>电子资料下载>单片机>51单片机的场效应晶体管详细资料说明

51单片机的场效应晶体管详细资料说明

2019-06-04 | pdf | 0.16 MB | 次下载 | 1积分

资料介绍

  晶体管是依靠输入电流变化来控制输出电流的器件,但理想的放大器是不应该损耗信号源的输出电流的,所以在一个由晶体管构成的放大电路中,因为有基极电流的存在,不可避免地会对输入信号带来损耗。与晶体管不同的是,场效应晶体管(FET)是一种用电压来控制电流的器件,具有很高的输入阻抗,且温度稳定性好、噪声低。按照结构的不同,场效应晶体管可以分为以下两类:

  1. 结型场效应晶体管(JFET)

  N型沟道结型场效应晶体管

  P型沟道结型场效应晶体管

  2. 绝缘栅型场效应晶体管(MOSFET

  增强型MOS场效应晶体管(N沟道、P沟道)

  耗尽型MOS场效应晶体管(N沟道、P沟道)

  绝缘栅型场效应晶体管在实际应用中多见增强型MOS管,N型沟道的简称为“NMOS”,P型沟道的简称为“PMOS”,绝缘栅型场效应晶体管的外观如图所示。

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