STM32F103系列基于ARM的32位单片机数据手册免费下载

　　STM32F103XC、STM32F103XD和STM32F103XE性能系列集成了高性能ARM®Cortex®-M3 32位RISC核心，工作频率为72兆赫，高速嵌入式内存（闪存高达512千字节，SRAM高达64千字节），以及广泛的增强型I/O和连接到两个APB总线的外围设备。S.所有设备都提供三个12位ADC、四个通用16位定时器和两个PWM定时器，以及标准和高级通信接口：最多两个I2c、三个SPI、两个I2s、一个SDIO、五个USART、一个USB和一个CAN。

　　STM32F103XC/D/E高密度性能线系列在-40至+105°C的温度范围内工作，从2.0至3.6 V电源。一套全面的省电模式允许低功耗应用的设计。

　　这些特点使STM32F103XC/D/E高密度性能线微控制器系列适用于各种应用，如电机驱动、应用控制、医疗和手持设备、PC和游戏外围设备、GPS平台、工业应用、PLC、反相器、打印机、扫描仪、报警系统VIDEO对讲机和暖通空调。

　　STM32F103XC/D/E高密度性能系列提供六种不同封装类型的设备：从64针到144针。根据所选的设备，包括不同的外围设备集，下面的描述概述了该系列中建议的整个外围设备范围。

　　STM32F103XC/D/E是一个完整的系列，其成员完全是针对针、软件和功能兼容的。在参考手册中，STM32F103X4和STM32F103X6被标识为低密度设备，STM32F103X8和STM32F103XB被称为中密度设备，STM32F103XC、STM32F103XD和STM32F103XE被称为高密度设备。

　　低密度和高密度设备是STM32F103X8/B中密度设备的扩展，它们分别在STM32F103X4/6和STM32F103XC/D/E数据表中指定。低密度设备具有较低的闪存和RAM容量，更少的计时器和外围设备。高密度设备具有更高的闪存和RAM容量，以及其他外围设备，如SDIO、FSMC、I2s和DAC，同时与该系列的其他成员完全兼容。

　　stm32f103x4、stm32f103x6、stm32f103xc、stm32f103xd和stm32f103xe是取代stm32f103x8/b设备的一种嵌入式设备，允许用户尝试不同的内存密度，并在开发周期中提供更大的自由度。

　　此外，STM32F103xx性能线系列完全兼容所有现有的STM32F101xx接入线和STM32F102xx USB接入线设备。