资料介绍
STM32F103XC、STM32F103XD和STM32F103XE性能系列集成了高性能ARM®Cortex™-M3 32位RISC核心,工作频率为72兆赫,高速嵌入式内存(闪存高达512千字节,SRAM高达64千字节),以及广泛的ENHA连接到两条APB总线的NCED I/O和外围设备。所有设备都提供三个12位ADC、四个通用16位定时器和两个PWM定时器,以及标准和高级通信接口:最多两个I2c、三个SPI、两个I2s、一个SDIO、五个USART、一个USB和一个CAN。
STM32F103XX高密度性能线系列的工作温度范围为-40至+105°C,从2.0至3.6 V电源。一套全面的省电模式允许低功耗应用的设计。
这些特点使STM32F103XX高密度性能线微控制器系列适用于各种应用,如电机驱动、应用控制、医疗和手持设备、PC和游戏外围设备、GPS平台、工业应用、PLC、反向ER、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和暖通空调。
STM32F103xx高密度性能系列提供六种不同封装类型的设备:从64针到144针。根据所选的设备,包括不同的外围设备集,下面的描述概述了该系列中建议的整个外围设备范围。图1显示了设备系列的一般框图。
STM32F103xx是一个完整的系列,其成员完全是针对针、软件和功能兼容的。在参考手册中,STM32F103X4和STM32F103X6被标识为低密度设备,STM32F103X8和STM32F103XB被称为中密度设备,STM32F103XC、STM32F103XD和STM32F103XE被称为高密度设备。低密度和高密度设备是STM32F103X8/B中密度设备的扩展,它们分别在STM32F103X4/6和STM32F103XC/D/E数据表中指定。低密度设备具有更低的闪存和RAM容量,更少的计时器和外围设备。高密度设备具有更高的闪存和RAM容量,以及其他外设,如SDIO、FSMC、I2s和DAC,同时与该系列的其他成员完全兼容。stm32f103x4、stm32f103x6、stm32f103xc、stm32f103xd和stm32f103xe是STM32f103x8/B设备的替代品,允许用户尝试不同的内存密度,并在开发周期中提供更大的自由度。此外,STM32F103xx性能线系列完全兼容所有现有的STM32F101xx接入线和STM32F102xx USB接入线设备。
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