资料介绍
本文档的主要内容详细介绍的是PIC32MZ系列32位单片机的数据手册免费下载包括了:具有FPU/音频/图形接口、HS USB、以太网和高级模拟功能的32位MCU (最高2 MB实时更新闪存和512 KB SRAM)
在开始使用PIC32MZ EF系列32位单片机(MCU)进行开发之前,需要注意最低限度的器件引脚连接要求。下面列出了必须始终连接的引脚名称: • 所有VDD和VSS引脚(见第2.2节“去耦电容”) • 所有AVDD和AVSS引脚(无论是否使用ADC模块)(见第2.2节“去耦电容”) • MCLR引脚(见第2.3节“主复位(MCLR)引脚”) • 用于在线串行编程(In-Circuit Serial Programming™,ICSP™)和调试目的的PGECx/ PGEDx引脚(见第2.4节“ICSP引脚”) • OSC1 和 OSC2 引脚(使用外部振荡源时)(见第2.7节“外部振荡器引脚”)此外,还可能需要连接以下引脚:使用ADC 模块的外部参考电压时使用的VREF+/ VREF-引脚。
去耦电容
需要在电源引脚(例如VDD、VSS、AVDD和AVSS)上使用去耦电容。请参见图2-1。使用去耦电容时,需要考虑以下标准: • 电 容 的类型和电容值: 推 荐 的 电 容值为 0.1 µF (100 nF),10-20V。电 容 应为低等效串联阻抗(低ESR)电容,其谐振频率应达到20 MHz 或更高。建议使用陶瓷电容。 • 在印刷电路板上的放置:去耦电容应尽可能靠近引脚。建议将电容放在电路板上器件所在的一侧。如果空间有限,可使用过孔将电容放到PCB的另一侧上;但是,需要确保从引脚到电容的走线长度在四分之一英寸(6 mm)内。 • 处理高频噪声:如果电路板会受到超过数十兆赫兹的高频噪声影响,应为上述去耦电容并联一个陶瓷电容。第二个电容的容值可在0.001 µF至0.01 µF之间。请将第二个电容放置在靠近主去耦电容的位置。在高速电路设计中,需要考虑尽可能靠近电源和接地引脚放置这一对电容。例如,0.1 µF电容与0.001 µF电容并联。 • 最大程度提高性能:对于从电源电路开始的电路板布线,需要将电源和返回走线先连接到去耦电容,然后再与器件引脚连接。这可以确保去耦电容是电源链中的第一个元件。同等重要的是尽可能减小电容和电源引脚之间的走线长度,从而降低PCB走线上的电感。
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