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The B Series logic gates are constructed with P and N channel
enhancement mode devices in a single monolithic structure (Complementary
MOS). Their primary use is where low power dissipation and/or high
noise immunity is desired.
• Supply Voltage Range = 3.0 Vdc to 18 Vdc
• All Outputs Buffered
• Capable of Driving Two Low–power TTL Loads or One Low–power
Schottky TTL Load Over the Rated Temperature Range.
• Double Diode Protection on All Inputs Except: Triple Diode Protection
on MC14011B and MC14081B
• Pin–for–Pin Replacements for Corresponding CD4000 Series B Suffix
Devices (Exceptions: MC14068B and MC14078B)
enhancement mode devices in a single monolithic structure (Complementary
MOS). Their primary use is where low power dissipation and/or high
noise immunity is desired.
• Supply Voltage Range = 3.0 Vdc to 18 Vdc
• All Outputs Buffered
• Capable of Driving Two Low–power TTL Loads or One Low–power
Schottky TTL Load Over the Rated Temperature Range.
• Double Diode Protection on All Inputs Except: Triple Diode Protection
on MC14011B and MC14081B
• Pin–for–Pin Replacements for Corresponding CD4000 Series B Suffix
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