资料介绍
- 低漏源导通电阻(RDS(ON)): TK49N65W5在标准条件下(VGS = 10 V, ID = 24.6 A)的典型RDS(ON)值仅为0.051 Ω。这种低电阻确保了操作期间的功率损耗最小化,对于高效能电源和转换器至关重要。
- 快速反向恢复时间: TK49N65W5的典型反向恢复时间(trr)为145 ns,非常适合高速开关应用。这一特性降低了开关损耗,提升了系统的整体效率,非常适用于需要快速响应时间的电力电子产品。
- 高电压和电流处理能力: 该MOSFET可以承受高达650 V的漏源电压(VDSS)和在25°C下49.2 A的连续漏电流(ID)。这些规格使其在广泛的高压应用中表现出色,包括工业电源、马达驱动和可再生能源系统。
- 热性能: TK49N65W5具备优异的热特性,其通道到壳体的热阻(Rth(ch-c))为0.313°C/W。这种特性使得热量可以有效散发,确保MOSFET即使在高负载条件下也能可靠运行。
- 增强型工作模式: 该MOSFET的栅极阈值电压(Vth)范围为3到4.5 V,易于控制和集成到各种栅极驱动电路中。对于需要精确控制MOSFET开关的复杂系统设计,这一灵活性非常有利。
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