资料介绍
TPH3R704PC的关键特性
TPH3R704PC MOSFET 提供了一系列优异的特性,这些特性使其具备高效和可靠的性能:
- 高速开关: 该MOSFET专为高速开关应用而设计,非常适合需要快速开关过渡的电路。其快速开关能力有助于最大限度地减少功耗,这对于对电源敏感的应用(如DC-DC转换器)至关重要。
- 低漏源导通电阻 (RDS(ON)): TPH3R704PC 的典型导通电阻仅为2.9 mΩ(VGS = 10V)。较低的电阻意味着在导通期间能量损失更少,使得该MOSFET在电源敏感型应用中表现出色。低导通电阻是设计高效电源管理系统时的一个关键性能指标。
- 低输出和栅极电荷: TPH3R704PC 的典型输出电荷 (Qoss) 为28 nC,栅极开关电荷 (QSW) 为14 nC。这确保了在开关过程中最小的延迟和能量损失。低栅极电荷允许较低的驱动功耗,这在节能设计中非常重要。
- 高漏极电流: 该MOSFET能够处理高达82A的连续漏极电流(Tc = 25°C),使其适用于高电流应用,如电机驱动器和高效DC-DC转换器。高电流能力确保了在严苛环境下的可靠性能。
- 增强型模式工作: TPH3R704PC 在增强模式下工作,其栅极阈值电压 (Vth) 范围为1.4V至2.4V。这一范围确保了稳定的操作,当未达到足够高的电压时,MOSFET保持关闭状态,从而减少泄漏和待机时的功耗。
- 热管理: 该器件具有优异的热特性,其通道到壳体的热阻仅为1.66°C/W,确保在操作过程中高效散热。良好的热性能对于高功率应用中的长期可靠性至关重要。
TPH3R704PC的应用
凭借其性能和多功能性,TPH3R704PC 适用于多种电源管理系统。以下是几个关键应用领域:
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