Toshiba东芝TPN11003NL MOSFETs硅N沟道MOS规格书

TPH11003NL的设计聚焦于优化电源转换效率。以下是其一些重要的技术参数

• 导通电阻（RDS(ON)）低：在4.5V的栅极驱动电压下，其典型值为12.6 mΩ，这使得在负载电流较大时，功耗显著降低，从而提高了整体系统的效率。
• 栅极电荷低：其栅极电荷（QSW）典型值为2.0 nC，使得它在开关转换过程中损耗小，适用于高频应用场景。
• 高效的热管理：TPH11003NL的通道至壳体热阻为5.95 °C/W，通道至环境热阻在不同条件下分别为44.6 °C/W和78.1 °C/W，确保了在高功率条件下的稳定性和可靠性。

2. 适用领域

TPH11003NL广泛应用于各类需要高效电源转换的设备中，例如

• DC-DC转换器：TPH11003NL的低导通电阻和快速开关速度使得它能够有效减少转换损耗，提升系统效率。
• 开关电压调节器：其增强型设计（阈值电压Vth为1.3到2.3V）确保了MOSFET的开关动作迅速且稳定，从而适应复杂的电压调节需求。

此外，其低漏电流特性（最大10 µA）和高抗干扰能力使得该器件在高精度应用中表现尤为出色。

3. 热管理与稳定性

在高功率应用中，MOSFET的热管理显得尤为重要。TPH11003NL不仅具有出色的热导特性，还提供了多种额外的保护机制，以防止过热或因高电流引起的失效。其最大通道温度为150°C，并通过单脉冲雪崩能量和雪崩电流指标提供额外的保护，确保其在苛刻环境下依然能够稳定工作。

4. 可靠性与设计考虑

TPH11003NL在设计上特别强调了其长期稳定性和高可靠性。在长时间工作条件下，产品可能会因为持续的高温高压环境导致性能下降，因此东芝建议在设计过程中需考虑适当的降额使用策略，并参考《东芝半导体可靠性手册》中提供的详细设计指南。

此外，TPH11003NL具有良好的电气特性，其击穿电压为30V，最大脉冲电流高达63A，足以应对大部分高压高流应用。与此同时，其小型SOP封装（重量为0.069g）为设备的紧凑设计提供了更多的可能性。

5. 动态性能

在动态性能方面，TPH11003NL也表现不俗。其输入电容典型值为510 pF，反向传输电容为18 pF，输出电容为300 pF，能够有效减少开关过程中的能量损耗。这些特性使得它在高速开关电路中具有优异的性能，特别适合用于高频率的电源管理系统。

此外，其开关时间（典型值）分别为：

• 上升时间：2.1 ns
• 开通时间：7.5 ns
• 下降时间：1.9 ns
• 关断时间：13.5 ns

这些数据表明TPH11003NL在高速应用中的响应时间非常短，能够满足苛刻的时序要求，进一步提升系统的整体效率。