资料介绍
非易失性存储单元表征内存研究的趋势是开发一种新的存储器,称为非易失性 RAM,它结合了 RAM 的快速读取与大容量存储器的海量内存的特点。有很多新储存单元方案,例如,FeRAM(铁电储存器),ReRAM(电阻储存器), MRAM(磁阻储存器),STT-MRAM (自旋转矩磁阻储存器),PCM(相变存储器)。这些类型的储存器是以使用不同的物理原理改变材料传导性为基础。例如,在电介质材料层中一根细线的形成或破坏,材料结构由非晶转变为多晶或与磁场一直。在本应用案例中,我们介绍如何使用脉冲发生器测试 STT-MRAM 储存单元。 MRAM 储存单元使用磁性隧道结(MTJ)储存数据,MTJ 由薄氧化层隔离开的两块电磁铁构成,如果两块电磁铁的磁场指向同一方向,电子可以通过绝缘层从一个电磁铁传导到另一个电磁铁。第一块电磁铁具有固定的磁场,第二块电磁铁的方向可以通过电流脉冲改变,所以转换磁场方向就可以改变叠片的传导性。为了写入或者擦除一比特数据,需要在叠片中通过一个电流脉冲;磁场的假设方向取决于电流脉冲方向。写入或者擦除的效率取决于脉冲的持续时间和幅度,所以在此项技术的研究和探索阶段,测试不同脉宽和幅度的组合是非常有用的,一个简单的实现方法是使用一台脉冲发生器,市面上一般的脉冲发生器都支持脉宽、幅度、重复频率可变。
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