如何使用C语言和C++对TMS320系列外围设备进行编程

　　半导体器件一直是沿着提高器件工作频率和提高器件功率处理能力这两个方向发展的。每一种器件在频率和功率兼顾时都存在着某种限制。为了突破这种限制，人们不断探索新的器件工作原理、新的器件结构，以不断解决在提高器件频率和功率过程中的矛盾。如晶闸管虽然其功率控制容量可以达到MW以上，但其工作频率较低，一般限制在10kHz以内。为了突破这一限制，后来发展了大功率双极型晶体管（GTR）。现在，达林顿大功率双极型晶体管的功率控制容量虽比晶闸管低一个数量级（0.MW），但其工作频率却提高了两个数量级（MHz），因此总的来看是前进了功率双极型晶体管工作频率要进一步提高，则受到其基区和集电区中少子存储效应的限制。为了突破这一限制，人们在探素、开发多子功率器件—功率MOS器件。目前功率MOS器件的功率控制容量比功率双极型晶体管约低一个数量级（约0.01MW），但其工作频率却提高了两个数量级（约100MHz）。因此，从器件的频率和功率兼顾来看，功率MOS器件的出现，使半导体器件的发展又前进了一步。

　　MS320x28xx和TMS320x28xx是C2000系列微控制器（MCU）的成员。这些设备面向嵌入式控制应用。为了便于编写和高效地在这些设备上嵌入嵌入式C/C++代码，德克萨斯仪器提供了用于访问内存映射的外围寄存器的硬件抽象层方法。这些方法是位域和寄存器文件结构方法，以及C2000外围驱动程序库方法。此应用程序报告解释了这些硬件抽象层的实现，并将其与传统的“定义宏”进行了比较。此外，还讨论了代码效率和特殊情况寄存器的问题。应用程序报告中讨论的位字段和登记文件结构硬件抽象层已被实现为C2000 C++中的C/C++头文件的集合。™ 来自德州仪器：对所有新微控制器的支持可在C2000Ware的设备支持部分获得。目前，它支持并是以下设备的首选方法：•Piccolo™ 系列微控制器•德尔菲诺™ 系列微控制器•F28M3x系列微控制器（C28x子系统）