资料介绍
General Description
The WSG02N20 is the highest performance trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. The WSG02N20 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.
Features
Advanced high cell density Trench technology z Super Low Gate Charge z Excellent Cdv/dt effect decline z Green Device Available
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