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硅调频变容管及其应用
翁寿松无锡市无线电元件四厂（无锡214002）
1前言
变容管是一种端电容在反向偏置下按确定方式随偏压变化，并专门利用这种电容?电压特性的半导体二极管。这里所说的“确定方式”是指公式C=C0/(1＋VR/?)n，其中，C为变容管的结电容（通常端电容用结电容来表示，忽略管壳电容），C0为零偏压下变容管的结电容，VR为外加反向偏压，?为硅半导体的接触电位势，n为电容?电压变化指数。若按用途分类，变容管可分为调谐变容管和调频变容管。调频变容管是一种在电子线路中作调谐用的变容管，它主要在短波、超短波通信机中作调频用，也可在压控振荡器（VCO）、压控晶体振荡器（VCXO）、扫频器、移相器、可变延迟线路、高灵敏度自动频率和相拉控制线路中作调频用。
2硅调频变容管的电特性[1]
2.1电容?电压特性
2?1?1电容?电压曲线
用于VCO、VCXO调频变容管的电特性如表1所示。表1为日立公司的调频变容管，该公司生产的调频变容管品种较齐全，这里给出近20个品种的电特性。图1为HVR17变容管的电容?电压特性曲线，即变容管的结电容C随反向电压VR的变化曲线，它由三点电容值表征，C1=(50～85)pF,C3=(16.1～27.3)pF,C4.5=(5.23～8.84)pF。HVR17是用于VCXO的变容管，外形尺寸为（2.65×1.6×1.1）mm3，无引线表面贴装式封装。
2?1?2电容比
翁寿松无锡市无线电元件四厂（无锡214002）
1前言
变容管是一种端电容在反向偏置下按确定方式随偏压变化，并专门利用这种电容?电压特性的半导体二极管。这里所说的“确定方式”是指公式C=C0/(1＋VR/?)n，其中，C为变容管的结电容（通常端电容用结电容来表示，忽略管壳电容），C0为零偏压下变容管的结电容，VR为外加反向偏压，?为硅半导体的接触电位势，n为电容?电压变化指数。若按用途分类，变容管可分为调谐变容管和调频变容管。调频变容管是一种在电子线路中作调谐用的变容管，它主要在短波、超短波通信机中作调频用，也可在压控振荡器（VCO）、压控晶体振荡器（VCXO）、扫频器、移相器、可变延迟线路、高灵敏度自动频率和相拉控制线路中作调频用。
2硅调频变容管的电特性[1]
2.1电容?电压特性
2?1?1电容?电压曲线
用于VCO、VCXO调频变容管的电特性如表1所示。表1为日立公司的调频变容管，该公司生产的调频变容管品种较齐全，这里给出近20个品种的电特性。图1为HVR17变容管的电容?电压特性曲线，即变容管的结电容C随反向电压VR的变化曲线，它由三点电容值表征，C1=(50～85)pF,C3=(16.1～27.3)pF,C4.5=(5.23～8.84)pF。HVR17是用于VCXO的变容管，外形尺寸为（2.65×1.6×1.1）mm3，无引线表面贴装式封装。
2?1?2电容比
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