资料介绍
Power MOSFETs are commonplace in modern electronic circuit design, where they are
frequently used to switch loads of many different types – ranging from a few milliamps or
less to several tens of amps, depending on application. The popularity of power
MOSFETs is almost certainly attributable to their ease of drive compared to their bipolar
counterparts, together with the wide range of package, voltage and RDS(on) combinations
which are now available.
Of course, MOSFETs are not perfect switches and neither are they indestructible, and the
circuit designer should be aware of the following thermal considerations when designing a
system employing MOSFET devices
- 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100V,7 mΩN沟道 MOSFET-PSMN6R9-100YSF
- 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100V,9 mΩN沟道 MOSFET-PSMN8R7-100YSF
- 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100V、10.9mΩN沟道 MOSFET-PSMN011-100YSF
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- LFPAK MOSFET 热设计指南-AN10874
- LFPAK MOSFET 热设计指南-第2部分-AN11113
- 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100V,6.9mOhmN沟道 MOSFET-PSMN7R2-100YSF
- 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100V,10mOhmN沟道 MOSFET-PSMN9R8-100YSF
- 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100V,11.7mOhmN沟道 MOSFET-PSMN012-100YSF
- 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100V,15.3mOhmN沟道 MOSFET-PSMN015-100YSF
- 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100V,5.6mOhmN沟道 MOSFET-PSMN5R5-100YSF
- 采用 LFPAK88 封装的 NextPower 80 V、1.8 mOhm、270 A、N 沟道 MOSFET-PSMN1R8-80SSF
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