模拟电子技术基础(第四版)习题答案

第一章  常用半导体器件
自  测  题
     一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 
     （1）在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型
半导体。 （   ）
     （2）因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （   ）
     （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。 （   ）
（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
                                                （   ）
     （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电
压，才能保证其 RGS 大的特点。 （   ）
     （6） 若耗尽型 N 沟道 MOS 管的 UGS 大于零， 则其输入电阻会明显变小。
二、选择正确答案填入空内。
     （1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将       。
           A.   变窄       B.   基本不变      C.   变宽
     （2）设二极管的端电压为 U，则二极管的电流方程是       。
           A.    IS e
U       B. 
T U U I e S        C.     ) 1 e ( S － T U U I
     （3）稳压管的稳压区是其工作在       。
           A.   正向导通    B.反向截止      C.反向击穿
     （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为       。 
           A.   前者反偏、后者也反偏
           B.   前者正偏、后者反偏
           C.   前者正偏、后者也正偏
     （5）UGS＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有       。
           A.   结型管  B.   增强型 MOS 管   C.   耗尽型 MOS 管