CMOS电路设计布局和模拟第三版的PDF电子书免费下载

　　CMOS（互补金属氧化物半导体）技术仍然是制造集成电路（IC或芯片）的主导技术，这种主导地位可能会持续25年甚至更长时间。为什么？CMOS技术是可靠的，可制造的，低功耗，低成本，也许最重要的是，可扩展。事实上，硅集成电路技术是可扩展的，这一事实在1965年由英特尔创始人戈登·摩尔观察和描述。他的观察结果现在被称为摩尔定律，并指出芯片上的设备数量将每18到24个月翻一番。虽然摩尔定律最初并不是针对CMOS的，但多年来通过缩小CMOS工艺中的特征尺寸来实现。早期CMOS晶体管的栅极长度在微米范围内（长沟道器件），而当前CMOS器件的特征尺寸则在纳米范围内（短沟道器件）。为了涵盖本书中的长沟道和短沟道CMOS技术，定制CMOS集成电路设计的双路径方法被采纳。为两者开发设计技术，然后进行比较。这种比较使读者深入了解电路设计过程。虽然学生在微电子入门课程中学习的用于描述MOSFET操作的平方律方程可用于长沟道CMOS工艺中的模拟设计，但在短沟道或纳米CMOS工艺设计时，这些方程并不有用。纳米CMOS工艺中器件的行为相当复杂。用简单的方程式来描述设备的行为是不可能的。相反，电气图用于估计偏压点和操作行为。然而，对于学生来说，在学习电路分析和设计时使用数学的严谨性仍然是有用的，因此，这是双路径方法的原因。手工计算可以使用长沟道CMOS工艺进行，其结果可用于描述如何在纳米CMOS工艺中进行设计。

　　第三版的计算机辅助计算机辅助设计（CAD）和计算机辅助设计（ICE）的第三版（例如，SPICE）已经转移到了计算机辅助设计的第三版http://CMOSedu.com。此外，还增加了一些章节，包括数据转换器和反馈放大器的实现。这些附加的，实用的，信息应该使这本书更有用的学术文本和工作设计工程师的伴侣。与早期版本一样，这本书充满了实用的设计示例、讨论和问题。章节末问题的解决方案（自学）和模拟电路时使用的网络列表见CMOSedu.com网站。 其他问题也可以在这个网站上找到。那些有兴趣深入了解CMOS模拟和数字设计知识的人，可以通过下载、修改和模拟书中的设计实例来获得极大的帮助。读者的假定背景是线性电路（例如，RC和RLC电路、Bode图、Laplace变换、AC分析等）、微电子（例如二极管、晶体管、小信号分析、放大器、开关行为等）和数字逻辑设计的知识。使用本书可以教授一些课程，包括VLSI或CMOS数字IC设计（第1-7章和第10-19章）、CMOS模拟IC设计（第9章和第20-24章）以及高级模拟IC设计（第8章和第25-31章）