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此参考设计旨在给输入电压范围为4.5V至17.0V的MSP430器件供电。
本应用报告阐述了如何使用合理的板载布局及/或缓冲电路(snubber)来减少升压转
换器转换节点上的高频振铃。
The circuit in Figure 1 shows the boost converter’s critical loop created by the parasitic inductances and capacitances, labeled as LPAR and CPAR reference designators. The node where the two switches and inductor of a switching converter meet is called the switch node. It is not uncommon for the parasitic inductances and capacitances to interact and cause voltage oscillations in the 200-MHz+ range at the switch node. If the amplitude of this ringing is above the absolute maximum rated voltage of the low-side switch, it can be destructive to the switch. In addition, the conducted emissions and/or electromagnetic
interference
本应用报告阐述了如何使用合理的板载布局及/或缓冲电路(snubber)来减少升压转
换器转换节点上的高频振铃。
The circuit in Figure 1 shows the boost converter’s critical loop created by the parasitic inductances and capacitances, labeled as LPAR and CPAR reference designators. The node where the two switches and inductor of a switching converter meet is called the switch node. It is not uncommon for the parasitic inductances and capacitances to interact and cause voltage oscillations in the 200-MHz+ range at the switch node. If the amplitude of this ringing is above the absolute maximum rated voltage of the low-side switch, it can be destructive to the switch. In addition, the conducted emissions and/or electromagnetic
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