DVD产品专用开关电源的设计

本文档为毕业设计论文，可以给毕业生做有关开关电源设计做个参考，也可以给电子爱好者做学习的资料。

开关电源未来发展趋势电力电子技术已发展成为一门完整的、自成体系的高科技技术，电源技术属于电力电子技术的范畴。随着国内外先进的薄膜工艺、厚膜工艺、集成化工艺等的快速发展，开关电源技术向这下面这几个方面发展：

（1） 功率半导体器件性能提高 1998年，Infineon公司推出COOL．MOS管，它采用”超级结”（Super．Junction） 结构，故又称超结功率MOsFET。工作电压600V--一800V，通态电阻几乎降低了一个数量级，仍保持开关速度快的特点，是一种有发展前途的高频功率半导体器件。第一章绪论绝缘栅双极晶体管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）冈0出现时，电压、电流额定值只有600V、25A。很长一段时间内，耐压水平限于1200V--一1 700V，经过长时间的探索研究和改进，现在IGBT的电压、电流额定值已分别达到 3300V／1200A和4500V门800A，高压IGBT单片耐压已达到6500V，一般IGBT 的工作频率上限为20kHz‘一40kHz，基于穿通（PT）型结构应用新技术制造的 IGBT，可工作于150kHz（硬开关）和300kHz（软开关）。 IGBT的技术进展实际上是通态压降，快速开关和高耐压能力三者的折中。随着工艺和结构形式的不同，IGBT在20年历史发展进程中，有以下几种类型：穿通（PT）型、非穿通（NPT）型、软穿通（SPT）型、沟漕型和电场截止（FS）型。碳化硅SiC是功率半导体器件晶片的理想材料，其优点是：禁带宽、工作温度高（可达600“C）、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、PN 结耐压高等，有利于制造出耐高温的高频大功率半导体器件。可以预见，碳化硅将是21世纪最可能成功应用的新型功率半导体器件材料。

（2） 功率密度的提高提高开关电源的功率密度，使之小型化、轻量化，是人们不断努力追求的目标。电源的高频化是国际电力电子界研究的热点之一。电源的小型化、减轻重量对便携式电子设备（如移动电话，数字相机等）尤为重要。使开关电源小型化的具体办法有：一是高频化：为了实现电源高功率密度，必须提高PWM变换器的工作频率、从而减小电路中储能元件的体积重量。二是应用压电变压器：应用压电变压器可使高频功率变换器实现轻、小、薄和高功率密度。压电变压器利用压电陶瓷材料特有的”电压．振动”变换和”振动．电压”变换的性质传送能量，其等效电路如同一个串并联谐振电路，是功率变换领域的研究热点之一。三是采用新型电容器：为了减小电力电子设备的体积和重量，必须设法改进电容器的性能，提高能量密度，并研究开发适合于电力电子及电源系统用的新型电容器，要求电容量大、等效串联电阻ESR小、体积小等