用于DDR、QDR和QDR-IV SRAM的超薄型三路输出µmodule稳压器

　　引言

　　QDR-IV 实现了 QDR （四倍数据速率） SRAM 的最高 RTR （随机事务处理速率），可为高带宽网络、高性能计算和密集型数据处理应用提供高达 400Gbps 的数据传输。在这些较快数据速率下的一项主要挑战是保持在 SRAM 与高速 FPGA 和处理器等器件之间传输数据的完整性。

　　一种良好的解决方案是把 SRAM （例如：QDR-IV、 QDR 或 DDR） 布设得非常靠近 PCB 正面的接口器件。为节省 PCB 面积并最大限度地抑制数据总线线路上的感应 PCB 寄生噪声，应将给 QDR-IV SRAM 数据总线驱动器供电的 DC/DC 稳压器电路安置在近旁。面临的难题是在高安装密度的 PCB 上找到安放该稳压器的空间。

　　采用一个具片内电感器和 MOSFET 并内置于紧凑型封装中的完整 DC/DC 稳压器是一种解决方案。不过，即使是紧凑的解决方案，要面对 PCB 正面上稀缺的可用面积也会有难度。如果 DC/DC 稳压器解决方案的占板面积、高度和重量能够有足够的削减，则其就能安放在具有可用面积的 PCB 之背面。

　　在一个纤巧的超薄型封装中从 12VIN 获得 VTT、 VDDQ、VREF

　　LTM®4632 是一款完整的三路输出降压型 µModule® 稳压器，专为支持新型 QDR-IV 和较老式的 DDR RAM 所需要的全部三个电压轨而设计，其采用一个重 0.21g、外形超薄的微型 LGA 封装 （6.25mm x 6.25mm x 1.82mm）。

　　封装中内置了开关控制器、电压除二电路、功率 FET、电感器和支持组件。其纤巧的占板面积和低外部组件数 （少至一个电阻器和三个电容器） 仅占用0.5cm2 （双面） 或 1cm2 （单面），而它扁薄的外形则使其能安装在 PCB 的背面，这样就可腾出 PCB 正面的空间以实现超紧凑的电路板设计。

　　LTM4632 采用一个介于 3.3V 和 15V 之间的输入电压工作，可提供 0.6V 至 2.5V 的精准输出轨电压。该器件的两个开关稳压器输出 VOUT1 和 VOUT2 分别为 VDDQ 提供高达 3A 和 VTT 总线终端轨提供高达 ±3A。它的第三个输出为跟踪电压的终端基准 （VTTR） 提供一个低噪声缓冲 10mA 输出。图 1 示出了一种典型 DDR3 应用中的 LTM4632 电路，显现了其简单的解决方案和小的组件数目。