艰难的驱动要求推动设计师迈向新的功率IC技术

　　艰难的驱动要求推动设计师迈向新的功率IC技术

　　场效应管（MOSFET半导体驱动技术，HEMT）和IGBTs（绝缘栅双极型晶体管）都做得很好的时候提供更为划算，但他们正在努力跟上日益增加的性能要求的宽带隙（WBG）功率半导体集成电路–像GaN和SiC–，取代硅MOSFET作为功率集成电路。

　　的要求包括较低的开关损耗，更高的抗噪声性，更短的传播延迟，和更高的电压和电流的能力，在更高的开关频率。处理所有这些，在更严格的形式因素，正在成为驱动设备提供商面临的主要挑战。

　　The latest generation of 600 V and 650 V MOSFETs have come a long way in satisfying increasing demands of switch-mode power supply （SMPS）， uninterruptable power supply （UPS）， motor drive， inverter， converter， induction heating， wind-power， and photovoltaic systems. However， it’s getting difficult to satisfy the increasing demands of these applications. WBG semiconductor devices based on GaN and SiC technologies appear to be the answer to answering those driver demands.

　　Switching frequencies of 20 kHz are common for IGBTs and MOSFETs. However， there are newer WBG drivers that offer higher performance levels， but at what price？