氮化镓场效应晶体管的栅极驱动集成电路的选择

　　氮化镓场效应晶体管的栅极驱动集成电路的选择

　　随着宽带的可用性（WBG）设备，很多电源设计人员已经开始研究基于氮化镓上硅场效应管的优点（GaN-on-Si）为各种新的设计和新应用。与他们的客户保持一致，一些供应商已经出现，以满足这种需求。然而，在开始这条道路之前，重要的是要了解硅和GaN晶体管之间的关键差异，因为它们的驱动要求将是不同的。

　　与硅MOSFET，氮化镓基场效应晶体管（GaN）运行的速度快得多在较低的栅极阈值电压。此外，对于GaN FET的内部栅极电阻更低，体二极管的反向恢复特性远优于（GRR是零）。有一些输出电容，但它明显低于硅。¹现实中，GaN晶体管提供了一个很低的数字的优点（FOM）由于较低的电阻（RDS（on））和栅极电荷QG同行相比，硅。更重要的是，GaN晶体管不遭受像MOSFET的强负温度系数。因此，对于GaN FET的驱动要求，是否正常或关闭，将完全不同与硅MOSFET。

　　As a result， to extract full advantage from these new high-performance transistors， designers must understand how to first drive them efficiently so that both the conduction and switching losses of the GaN FETs are minimized. Besides implementing optimal gate drive， PCB layouts and thermal design considerations are also equally important for these WBG devices to realize the best system performance and reliability.