IS46TR16640A数据手册资料

　　FEATURES  Standard Voltage： VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V  Low Voltage （L）： VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V， -0.067V - Backward compatible to 1.5V  High speed data transfer rates with system frequency up to 933 MHz  8 internal banks for concurrent operation  8n-bit pre-fetch architecture  Programmable CAS Latency  Programmable Additive Latency： 0， CL-1，CL-2  Programmable CAS WRITE latency （CWL） based on tCK  Programmable Burst Length： 4 and 8  Programmable Burst Sequence： Sequential or Interleave  BL switch on the fly  Auto Self Refresh（ASR）  Self Refresh Temperature（SRT）  Refresh Interval： 7.8 us （8192 cycles/64 ms） Tc= -40°C to 85°C 3.9 us （8192 cycles/32 ms） Tc= 85°C to 105°C  Partial Array Self Refresh  Asynchronous RESET pin  TDQS （Termination Data Strobe） supported （x8 only）  OCD （Off-Chip Driver Impedance Adjustment）  Dynamic ODT （On-Die Termination）  Driver strength ： RZQ/7， RZQ/6 （RZQ = 240  ）  Write Leveling  Up to 200 MHz on DLL off mode  Operating temperature： Commercial （TC = 0°C to +95°C） Industrial （TC = -40°C to +95°C） Automotive， A1 （TC = -40°C to +95°C） Automotive， A2 （TC = -40°C to +105°C）