资料介绍
These devices are N-channel Zener-protected Power MOSFETs developed using STMicroelectronics‘ SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in onresistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.
In order to meet environmental requirements, ST offers these devices in different grades of ECOPACK® packages, depending on their level of environmental compliance. ECOPACK® specifications, grade definitions and product status are available at: www.st.com. ECOPACK® is an ST trademark.
- N 沟道 60V,4.0 mΩ 标准电平 MOSFET,采用 TO220F(SOT186A)-PSMN3R9-60XS
- N 沟道 60 V 7.8 mΩ 标准电平 MOSFET,采用 TO220F(SOT186A)-PSMN7R6-60XS
- N 沟道 60V,2.6 mΩ 逻辑电平 MOSFET,采用 SOT78 封装-PSMN2R5-60PL
- 采用 SOT78 封装的N沟道 60V,2.6 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN2R6-60PS
- N 沟道 60V,3.4 mΩ 逻辑电平 MOSFET,采用 SOT78 封装-PSMN3R3-60PL
- N 沟道 60V,3.9 mΩ 逻辑电平 MOSFET,采用 SOT78 封装-PSMN4R2-60PL
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