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硅片自旋转磨削法的优点与单晶硅片的加工工艺介绍

2474220 2017-09-28 | rar | 0.1 MB | 次下载 | 免费

资料介绍

　　硅的材料性能

　　纯净的单晶硅具有灰色金属光泽，硬而脆，是典型金刚石结构的半导体，经抛光后表面光亮如镜。硅的熔点为 1420℃，常温下硅的化学性质稳定，升温时，很容易同氧、氯等多种物质发生反应，高温下极活泼。硅不溶于盐酸、硫酸、硝酸及王水，但易溶于 HF—HNO。混合液，后者常用作为硅的腐蚀液；硅易与碱反应，可用来显示晶体缺陷；硅与金属作用能便于实现机电器件的集成化。在室温下，单晶硅在外力作用下很难产生位错和滑移。但由于其抗拉应力远大于抗剪应力，因此，在切割、研磨和机械抛光等加工过程中，硅材料由于承受剪切应力而易于产生破碎现象，从而影响成品率。 2 硅片直径及集成电路的发展趋势按照美国半导体工业协会（SIA）提出的微电子技术发展构图，到 2008年，将开始使用直径为 450 mm 的硅片，实现特征线宽 0．07btm，硅片表面总厚度变化（TTV）要求小于 0．2btm，硅片表面局部平整度（SFQD）要求为设计线宽的 z／3，硅片表面粗糙度要求达到纳米和亚纳米级，芯片集成度达到 9000 万个晶体管／平方厘米等。目前，一个芯片上可集成几亿个元件，集成电路已进入 ULSI阶段，ULSI电路集成度的迅速增长主要取决于以下 2个因素：一是完美晶体生长技术已达到极高的水平；二是制造设备不断完善，加工精度、自动化程度和可靠性的提高已使器件尺寸进入深亚微米级领域。