单晶硅的制造方法和设备和分离单晶硅埚底料中石英的工艺

　　单晶硅晶片及单晶硅的制造方法

　　本发明的单晶硅晶片及单晶硅的制造方法，是属于切克劳斯基法（CZ法）生长单晶硅晶片，其特征为：对全部晶片进行热氧化处理时，在环状发生OSF的外侧的N区域，不存在通过Cu淀积所检测出的缺陷区域。由此，可以利用确实能提高氧化膜耐压等电气特性的CZ法，在稳定的制造条件下，制造既不属于富含空孔的V区域、OSF区域，也不属于富含晶格间隙硅的I区域的硅单晶晶片。

　　绝缘体上的单晶硅（SOI）材料的制造方法

　　本发明公开了一种采用SIMOX技术制造SOI材料的方法。通过在传统的注氧隔离制造工艺中引入离子注入非晶化处理，使得非晶化区域内的各种原子在退火时产生很强的增强扩散效应，从而制造出顶部硅层中的穿通位错等晶体缺陷和二氧化硅埋层中的硅岛和针孔等硅分凝产物得以消除的高品质的SOI材料。本发明还公开了一种将离子注入非晶化处理应用到采用注氮隔离或注入氮氧隔离技术中制造SOI材料的方法，使得氮化硅埋层或者氮氧化硅埋层是非晶层，顶部硅层是和氮化硅埋层或者氮氧化硅埋层的界面具有原子级陡峭的单晶硅层。

　　分离单晶硅埚底料中石英的工艺

　　本发明属于半导体分离技术领域，特别是涉及一种分离单晶硅埚底料中石英的工艺，包括下列步骤：a.将埚底料破碎，得到颗粒状的埚底料；b.用Si3N4涂料刷抹坩埚底部和内壁，让其自然干燥；c.把颗粒状埚底料放置在坩埚内；d.装有颗粒状埚底料的坩埚放入中频感应电炉，开启电源使炉内温度升高至熔点温度后100℃左右，保温10-30分钟，则颗粒状埚底料在坩埚内重熔；e.在加热达到规定时间后，关掉电源，待自然冷却后，可得到已分离的硅与石英；本发明提供的分离单晶硅埚底料中石英的工艺方法，通过将混含有石英的埚底料放置在中频炉中高温加热熔融，利用硅的熔点低于石英熔点的特性，能够方便地将石英颗粒与硅液分离开，因此，本发明具有工艺简单、生产安全、能耗低、分离效果好等优点。

　　单晶硅衬底上可动微机械结构单片集成的制作方法

　　本发明公开了一种单晶硅衬底上可动微机械结构单片集成的制作方法，它涉及微电子机械工艺加工技术领域中的微电子机械系统结构器件的制造。它采用浓硼扩散、光刻、深反应离子刻蚀和选择性湿法腐蚀技术工艺，实现可动悬空与固定微结构都制作在同一单晶硅片上，达到可动微机械单片集成制作目的。本发明具有制造成本低廉，操作制造简易，能单片集成和大规模集成等优点，适合于光开关、谐振器、加速度计等多种具有可动微结构器件的制作。

　　直径300mm及300mm以上的单晶硅晶片及其制造方法

　　本发明涉及直径300mm及300mm以上的单晶硅晶片，从表面到3微米以上的深度存在无COP的无缺陷层；及一种单晶硅的制造方法，通过CZ法掺杂氮拉制直径300mm及300mm以上的单晶硅时，将拉晶速度设为V［mm/min］，以G［K/mm］表示从硅的熔点至1400℃间的拉晶轴向的结晶内温度梯度平均值，将V/G［mm2/K·min］的值设为低于0.17以生长结晶；及一种单晶硅晶片的制造方法，对掺杂氮的直径300mm及300mm以上的硅单晶硅晶片进行热处理，在惰性气体或氢或它们的混合气体的环境下，进行1230℃以上、1小时以上的热处理。由此，确立单晶硅拉晶条件及晶片的热处理条件，用于拉制直径300mm及300mm以上的单晶硅并加工成晶片，并对晶片进行热处理，获得在表层的相当深度具有无COP的无缺陷层的单晶硅晶片。

　　抑制长的大直径单晶硅生长条纹的直拉生长装置

　　在一种丘克拉斯基单晶硅生长装置中，其在生长炉（１）中通过提线（７）上拉晶种（Ｚ）来生长硅单晶（Ｙ），一个磁环（１２）被安装在硅单晶上，一个电磁体（８）被固定于生长炉上以便上拉磁环。

　　制备单晶硅片表面完整层的新途径

　　本发明属于集成电路用半导体材料的制备技术。发明人利用中子辐照氢气氛下区熔单晶硅。经切、磨、抛后，硅片实行两次热处理的方法，获得单晶硅片由于体内氢沉淀造成的表面完整层，为集成电路用硅材料提供了新的可能途径。

　　非线性磁场中单晶硅拉制方法及其装置

　　一种在磁场中拉制单晶的方法和单晶炉，该单晶炉的螺旋管分成内径大小不同的两组，螺旋管的衔铁做成炉壁的形状，同时作为整个炉体的炉壁，并与炉体的上下端盖和磁环形成全封闭结构，螺旋管由升降器支撑，可以相对坩埚做上下运动，拉晶时，坩埚位于由螺旋管所产生磁场的上端或下端具有喇叭形状的非线性区域，以获得对熔硅热对流的尽可能大的抑制效果，全封闭结构的炉壁兼作衔铁，使得用较小的直流功率源获得较大的磁场强度成为可能。

　　掺金、掺铂单晶硅互换热敏电阻及其制作方法

　　本发明提供一种掺金、掺铂单晶硅互换热敏电阻及其制作方法，属于温度敏感器技术领域。它主要采用在Ｐ型单晶硅中掺入金、铂两种杂质的方法，使电阻呈现负温度特征，其Ｂ值为３８５０Ｋ，Ｂ值的偏差分布小于±０．３％，使用温区为－５０℃～１００℃之间。由于该电阻元件的Ｂ值适中，互换性能好，又易制作，成本低廉，不失为一种用于配制具有线性输出的线性组件的理想元件。并可广泛适用于医疗仪器、食品工业、家用电器等行业的测温、控温等实用技术领域。

　　单晶硅的制造方法和设备

　　按照本发明，用一个隔板环将放有熔化原料的坩埚的内部隔开，从而使被提拉的单晶被包围并且使熔化原料可以流动，颗粒状硅加到隔板环的外侧，从而使外侧的熔化液体成为一个颗粒状硅的可溶区域，以保持隔板环内侧的熔化液面几乎保持恒定，并且用一块保温板复盖隔板环及其外侧的熔化液面，使隔板环外侧的熔化液体温度至少比其内部的温度高出１０℃，或更高些。