反激式RCD缓冲器设计指南资料免费下载

　　当MOSFET关断时，由于主变压器的漏感器（Llk）和MOSFET的输出电容器（COSS）之间发生共振，漏极引脚上出现高压尖峰。漏极引脚上的过大电压可能导致雪崩击穿，并最终损坏MOSFET。因此，有必要增加一个附加电路来钳制电压。本文提出了反激变换器RCD缓冲电路的设计原则。

　　最简单的拓扑之一是反激变换器。它是由buck-boost变换器通过用耦合电感（即间隙铁芯变压器）替换滤波电感而得到的。当主开关打开时，能量以磁通形式存储在变压器中，并且在主开关关闭期间能量被转移到输出。由于变压器在主开关接通期间需要储存能量，因此铁芯应留有间隙。由于反激变换器只需要很少的元件，所以它是一种非常流行的拓扑结构，适用于低功率和中等功率的应用，如电池充电器、适配器和DVD播放机。

　　图1显示了反激变换器在连续导通模式（CCM）和不连续导通模式（DCM）下工作，具有几个寄生元件，如一次和二次漏感器、MOSFET的输出电容和二次二极管的连接电容。当MOSFET关断时，一次电流id在短时间内给MOSFET的cos充电。当通过COSS，Vds的电压超过输入电压加上反射输出电压Vin+nVo时，二级二极管导通，从而使通过磁化电感Lm的电压钳制为nVo。因此，Llk1和COSS之间存在高频高压浪涌共振。MOSFET上的过电压可能是其失效的主要原因。在CCM操作的情况下，二级二极管保持导通，直到MOSFET被选通。因此，当MOSFET导通时，二次二极管的反向恢复电流被加到一次电流中，因此，在导通的情况下，一次电流上有很大的电流浪涌。同时，由于在DCM操作的情况下，二次电流在一个开关周期结束前耗尽，MOSFET的Lm和COSS之间存在共振。

　　二次二极管打开，使得通过磁化感应器Lm的电压被钳制到nVo。因此，Llk1和COSS之间存在高频高压浪涌共振。MOSFET上的过电压可能是其失效的主要原因。在CCM操作的情况下，二级二极管保持导通，直到MOSFET被选通。因此，当MOSFET导通时，二次二极管的反向恢复电流被加到一次电流中，因此，在导通的情况下，一次电流上有很大的电流浪涌。同时，由于在DCM操作的情况下，二次电流在一个开关周期结束前耗尽，MOSFET的Lm和COSS之间存在共振。