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不断提高设备的能效是一个永无止境的目标。第三代宽禁带（WBG）半导体材料独有的高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特性，不仅能够满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等最新需求，还可以降低 50%以上的能量损失，最高可使设备的体积减小近 75%。以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的宽禁带半导体材料已经开始在射频和功率领域挑战硅（Si）材料的统治地位。 SiC 的禁带宽度为 3eV，SiC 基 MOSFET 非常适用于高频工作的高击穿、高功率等应用。与 Si 相比，因 RDS（on）等参数随温度的变化较小，在设计中可以有更宽的工作边界，从而提供额外的性能。 GaN 具有比 SiC 更高的禁带宽度（约为 3.4eV）和更高的电子迁移率。它的击穿场强是 Si 的 10 倍，电子迁移率是 Si 的 2 倍，输出电荷和栅极电荷都比硅低 10 倍，反向恢复电荷几乎为零，这是高频工作的关键。可以说，GaN 是现代谐振拓扑中最适合的技术。
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