资料介绍
超高亮度LED 在太阳能城市灯光系统中的应用:LED(注入式电致发光二极管)已有近30 年的发展历程。第一批商业化的LED 出现于己于1968 年,尽管多年以来LED 一直受到颜色和发光效率的限制,但由于GaP 和GaAsP LED 具有长寿命、高可靠、工作电流小、可与TTL、CMOS 数字电路兼容等许多优点,因而受到使用者的青眯,开始进入包括宇航、飞机、汽车、工业应用、通信等多种应用领域,到1996 年LED 在全世界的销售额已达到几十亿美元。近十年来,LED 材料和器件工艺技术研究的前沿课题一直是超高亮度化、全色化。所谓超高亮度LED(UHB)是指发光强度达到或超过100mcd 的LED,又称坎德拉(cd)级LED。由于利用A1GaInP 和InGaN做发光层,超高亮度LED 的研制进展十分迅速,并达到常规材料GaA1As、GaAsP、GaP 不可能达到的性能水平。1991 年日本东芝公司和美国HP 公司研制成InGaA1P(λ=620nm)橙色超高亮度LED,1992 年InGaA1p(λ=590nm)黄色超高亮度LED 实用化。同年,东芝公司研制InGaA1P(λ=573nm)黄绿色超高亮度LED,法向光强达2cd。1994 年日本日亚公司研制成InGaN(λ=450nm)蓝(绿)色超高亮度LED。至此,彩色显示所需的三基色红、绿、蓝以及橙、黄多种颜色的LED 都达到了坎德拉级的发光强度,实现了超高亮度化、全色化,使发光管的户外全色显示成为现实。我国发展LED 起步于二十世纪七十年代,产业出现于二十世纪八十年代。目前全国约有100 多家企业,其中95%的厂家都从事后道封装生产,所需管芯几乎全部来自台湾地区或从国外进口。通过几个“五年计划”的技术改造、技术攻关、引进国外先进设备和部分关键技术,使我国LED 的生产技术已向前跨进了一步。我国台湾地区是世界LED 及管芯的主要产地,年产LED 约40 亿只,产品品种规格齐全,性能达到或接近世界先进水平,所生产的管芯也大量出口日本等国。
2 超高亮度LED 的基本性能
2.1 各色超高亮度LED 的基本特性
超高亮度红A1GaAs LED 具有更高的发光效率,透明衬底(TS)A1GaAs LED(640nm)的流明效率已接近10lm/w,比红色GaAsP-GaP LED 大10 倍。超高亮度InGaAlP LED 提供的颜色与GaAsP-GaP LED相同,包括:绿黄色(560nm)、浅绿黄色(570nm)、黄色(585nm)、浅黄(590nm)、橙色(605nm)、浅红(625nm)、深红(640nm)。InGaAlP LED 吸收衬底(AS)的流明效率为10 1m/w,透明衬底(TS)为201m/w,在590-626nm 的波长范围内比GaAsP-GaP LED 的流明效率要高10-20 倍;在560-570 的波长范围内则比GaAsP-GaP LED 高出2-4 倍。超高亮度InGaN LED 提供了兰色光和绿色光,其波长范围兰色为450-480nm,兰绿色为500nm,绿色为520nm;其流明效率为3-151m/w。
2 超高亮度LED 的基本性能
2.1 各色超高亮度LED 的基本特性
超高亮度红A1GaAs LED 具有更高的发光效率,透明衬底(TS)A1GaAs LED(640nm)的流明效率已接近10lm/w,比红色GaAsP-GaP LED 大10 倍。超高亮度InGaAlP LED 提供的颜色与GaAsP-GaP LED相同,包括:绿黄色(560nm)、浅绿黄色(570nm)、黄色(585nm)、浅黄(590nm)、橙色(605nm)、浅红(625nm)、深红(640nm)。InGaAlP LED 吸收衬底(AS)的流明效率为10 1m/w,透明衬底(TS)为201m/w,在590-626nm 的波长范围内比GaAsP-GaP LED 的流明效率要高10-20 倍;在560-570 的波长范围内则比GaAsP-GaP LED 高出2-4 倍。超高亮度InGaN LED 提供了兰色光和绿色光,其波长范围兰色为450-480nm,兰绿色为500nm,绿色为520nm;其流明效率为3-151m/w。
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