资料介绍
1 引言
随着科学的发展和技术的进步.超声波在超声焊接、超声清洗、干燥、雾化、导航、测距、育种等领域的应用日趋广泛。现在的大功率超声波电源大都采用频率跟踪控制或功率控制。这种单一控制方法不仅会降低超声波电源效率,而且会影响输出精度和强度。如何使超声波电源根据实际负载实时,动态调节输出谐振频率和功率,从而保证超声波加工等操作的要求具有重要的理论研究和实际应用价值。
2 超声波电源系统的组成
超声波电源系统主要由220V电源、整流滤波、高频逆变单元、匹配网络、检测电路、PWM产生电路和驱动电路组成,如图1所示。
220V单相交流电经过二极管不可控整流电路得到直流电压,然后经过由MOSFET组成的高频逆变电路得到满足换能器要求的高频电压。为减少高频工作条件下MOSFET的开关损耗,高频逆变电路采用带辅助网络的全桥结构,如图2所示。此电路结构解决了传统零电压开关(ZVS)PWM电路变压器漏感小且滞后桥臂难于实现ZVS的问题。同时,根据电流增强原理,此电路结构可在任意负载和输入电压范围内实现零电压开关,大大减少了占空比丢失。超声波电源与换能器匹配的好坏将决定整个电路的控制效果。因此,应该对匹配网络每个参量(高频变压器匝比K,输出匹配电感Lf)进行严格的计算。匹配主要指为使发生器输出额定电功率,进行阻抗变换匹配。以及为使发生器输出最高效率进行调谐匹配。
采用56F803型DSP作为控制电路的核心处理器.它内置2 KB SRAM,31.5 KB FLASH,同时,其40 MHz的CPU时钟频率比其他单片机具有更强的处理能力。6路PWM信号可以实现高频逆变电路开关管MOSFET的移相控制。12位A/D转换器采集可以实现电压和电流采样并满足采样数据精度的要求。利用56F803型DSP中定时器的捕获功能可以精确计算相位差大小,实现系统的频率跟踪控制。串行外设接口SPI与MCl4489配合使用可以实现对5位半数码管的控制.从而实现系统频率和功率的显示。另外,56F803还支持C语言与汇编语言混合编程的 SDK软件开发包.可以实现在线调试。
驱动电路采用IR21lO型驱动模块.它具有集成度高,响应速度快(tar/taff=120 ns/94 ns),偏值电压高(《600 V),驱动能力强,成本低和易于调试等优点。IR2110是基于自举驱动原理的功率MOSFET驱动电路.驱动信号延时为纳秒级,开关频率可以从数十赫兹到数百千赫兹。同时,IR2110还具有比较完善的保护功能(如欠压检测、抗干扰、外部保护闭锁等)。一个IR2110可以同时驱动单桥臂的上下二个 MOSFET,因此,使用少量分立元件和一路控制电源就可以实现一个桥臂MOSFET 的驱动控制,这样大大减小了驱动电路的体积和成本。
随着科学的发展和技术的进步.超声波在超声焊接、超声清洗、干燥、雾化、导航、测距、育种等领域的应用日趋广泛。现在的大功率超声波电源大都采用频率跟踪控制或功率控制。这种单一控制方法不仅会降低超声波电源效率,而且会影响输出精度和强度。如何使超声波电源根据实际负载实时,动态调节输出谐振频率和功率,从而保证超声波加工等操作的要求具有重要的理论研究和实际应用价值。
2 超声波电源系统的组成
超声波电源系统主要由220V电源、整流滤波、高频逆变单元、匹配网络、检测电路、PWM产生电路和驱动电路组成,如图1所示。
220V单相交流电经过二极管不可控整流电路得到直流电压,然后经过由MOSFET组成的高频逆变电路得到满足换能器要求的高频电压。为减少高频工作条件下MOSFET的开关损耗,高频逆变电路采用带辅助网络的全桥结构,如图2所示。此电路结构解决了传统零电压开关(ZVS)PWM电路变压器漏感小且滞后桥臂难于实现ZVS的问题。同时,根据电流增强原理,此电路结构可在任意负载和输入电压范围内实现零电压开关,大大减少了占空比丢失。超声波电源与换能器匹配的好坏将决定整个电路的控制效果。因此,应该对匹配网络每个参量(高频变压器匝比K,输出匹配电感Lf)进行严格的计算。匹配主要指为使发生器输出额定电功率,进行阻抗变换匹配。以及为使发生器输出最高效率进行调谐匹配。
采用56F803型DSP作为控制电路的核心处理器.它内置2 KB SRAM,31.5 KB FLASH,同时,其40 MHz的CPU时钟频率比其他单片机具有更强的处理能力。6路PWM信号可以实现高频逆变电路开关管MOSFET的移相控制。12位A/D转换器采集可以实现电压和电流采样并满足采样数据精度的要求。利用56F803型DSP中定时器的捕获功能可以精确计算相位差大小,实现系统的频率跟踪控制。串行外设接口SPI与MCl4489配合使用可以实现对5位半数码管的控制.从而实现系统频率和功率的显示。另外,56F803还支持C语言与汇编语言混合编程的 SDK软件开发包.可以实现在线调试。
驱动电路采用IR21lO型驱动模块.它具有集成度高,响应速度快(tar/taff=120 ns/94 ns),偏值电压高(《600 V),驱动能力强,成本低和易于调试等优点。IR2110是基于自举驱动原理的功率MOSFET驱动电路.驱动信号延时为纳秒级,开关频率可以从数十赫兹到数百千赫兹。同时,IR2110还具有比较完善的保护功能(如欠压检测、抗干扰、外部保护闭锁等)。一个IR2110可以同时驱动单桥臂的上下二个 MOSFET,因此,使用少量分立元件和一路控制电源就可以实现一个桥臂MOSFET 的驱动控制,这样大大减小了驱动电路的体积和成本。
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