博客分享：单片机内部FLASH的字节操作

一般32位单片机的内部FALSH是不支持字节操作的，有的可以按字节读取，但是不能按字节写入。

而且，一般单片机内部FALSH擦除的最小单位都是页，如果向某页中的某个位置写入数据，恰好这个位置的前面存了其他数据，那么就必须把这页擦除，存的其他数据也会丢失。

实际上就是说内部的FALSH不好做改写的操作，如果有很多数据需要存放，最好是分页存储。这也是FALSH与E2PROM最大的区别，后者支持按字节操作且无需擦除，即使某一个地址写坏了，也不影响其他地址。

下面介绍一种方法让内部FLASH"支持"字节操作，且同一页的其他数据不受影响。

方法原理很简单，下面简单介绍下原理：

1.根据要写入地址，计算出该地址位于哪一页；

2.读出整个页，存入缓存BUF；

3.将要写入的数据按位置更新到BUF中；

4.擦除该页；

5.写入整个BUF。

可以看出这种方法弊端很明显：

1.耗时长 每次写都要读整个BUF，然后还要先把数据存到BUF里，然后再写入整个BUF；

2.FALSH擦写次数增加，降低使用寿命；

下面给出测试代码：

#include 
#include 
#include //C语言标准库
#include "flash.h"
 
#define USER_FLASH_START_ADDR   0x01070000   //FLASH最后两个扇区  供用户使用
 
 
u32tou8 u32data;//定义一个联合体
 
//==================================================================================
// 获取某个地址所在的页首地址
// addr:FLASH地址
// 返回:该地址所在的页 共128页（0~127）
//==================================================================================
unsigned int FLASH_GetFlashPage(unsigned int addr)
{
	  if (IS_FLASH_ADDRESS(addr))
		{
		   return  (addr&(~0xFFF));//清0低12位就是该页的起始地址
  	} 
}
//==================================================================================
// 从FLASH中读取 一个字（32位）
// addr:读取地址
// 返回： 读到的字数据
//备注： 地址为4字节对齐
//==================================================================================
unsigned int FLSAH_ReadWord(unsigned int addr)
{
    return (*(unsigned int *)addr);
}
 
 
//==================================================================================
//从FLASH指定地址 读取数据
//备注： 读取数据类型为32位  读取地址为4字节对齐
//==================================================================================
void  FLASH_Read(unsigned int	ReadAddr,unsigned char *pBuffer,unsigned int NumToRead)
{
    unsigned int i;
	  u32tobyte cache;
    for(i=0; iRO = 0;//去掉所有扇区写保护
    //==================================================================================
    // 判断写入地址是否非法  起始地址或者结束地址不在FALSH范围内则退出
    //==================================================================================
    if(!(IS_FLASH_ADDRESS(startaddr)&& IS_FLASH_ADDRESS(endaddr))) return FLASH_ERROR_PG;
   
	   while(startaddr  remain)//需要写入的数据量大于缓冲buf剩余字节数
				{
					for(i=index;i<4096;i++)//将需要写入FALSH的数据写入缓冲buff
					{
							 buffer[i]=*(pBuffer++);				
					}
					NumToWrite-=remain;//需要写入的数据长度-本次已经写入的数据长度	
          startaddr+=remain;//地址向后偏移本次写入的字节数					
			  }
				else
				{
				  for(i=index;i

其中还有个联合体的定义： 
typedef union
{
    unsigned int  data;
    unsigned char buf[4];
}
u32tou8;

FLASH_ErasePage、FLASH_ProgramWord、IS_FLASH_ADDRESS 这三个都是单片机FLASH的库函数
各家单片机不同，但功能基本相同，这里不再提供源码。
最后提供以下两个FLASH接口即可：
FLASH_Write(unsigned int    WriteAddr,unsigned char *pBuffer,unsigned int NumToWrite);
 
FLASH_Read(unsigned int    ReadAddr,unsigned char *pBuffer,unsigned int NumToRead)

演示：
1.为方便查看结果，测试从0x1070FFC的位置开始写入数据，FLASH地址分布如下图所示：
这里展示了FLASH连续两页的地址，首先将这两页全部擦除。


2.接着从1070FFC的位置开始写入56个1，这样就保证了数据跨越了1页。 
unsigned char write[]= {"1111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111"};
FLASH_Write(0x01070FFC,write,sizeof(write));


 注意：最后的00是因为字符串的结尾字符是“/0”
3.紧接着，在0x1070FFE位置写入新的字符串，也要保证写入长度跨越1页。
unsigned char write2[]={"23456789"};
FLASH_Write(0x01070FFE,write2,sizeof(write2));


可以看出，0x1070FFE~0x1071006的位置被写入了新的字节，但这两页的其他位置数据保持不变。
总结：
1、实际使用时，如果不是受限于成本或者FLASH大小，不建议这样读写内部FLASH，以为stm32内部FLASH也就
10W次寿命，这样频繁擦写会大大降低FLASH寿命。
2、如果保存的数据不多，建议每个数据都单独存1页，这样不用考虑擦除时会把其他数据也一并擦除。
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